异动解读 | Roundhill Memory ETF盘前大跌10.11%，全球存储芯片板块持续遭遇集体重挫，SK海力士财报不及预期引发恐慌性抛售

Roundhill Memory ETF（DRAM）今日盘前大跌10.11%，引发了市场的广泛关注。该ETF跟踪全球存储芯片行业，此次暴跌延续了前一交易日存储板块的集体重挫态势。

消息面上，全球存储芯片板块正经历一轮惨烈的抛售潮。韩国存储巨头SK海力士公布的二季度财报显示，公司营业利润达60.54万亿韩元，虽同比飙升557%并刷新历史纪录，但仍低于市场预期的64.22万亿韩元。这一业绩不及预期的表现，加剧了市场对AI驱动存储行业热潮可持续性的担忧。此前摩根士丹利曾警示，AI驱动的存储行业狂欢正接近拐点，内存合同价格预计将于第四季度见顶。

隔夜美股市场，存储芯片板块全线崩跌。闪迪暴跌14.25%，SK海力士跌近9%，美光科技重挫8.85%，希捷科技跌逾8%，西部数据跌超6%。费城半导体指数大跌4.49%，连续第四个交易日下挫。韩国KOSPI指数盘中跌幅一度扩大至11%，SK海力士在韩国市场跌逾17%，创下历史最大单日跌幅纪录，较6月高点累计下跌57%。市场对AI融资模式的疑虑以及机构对存储芯片估值分歧的加大，使得板块情绪持续恶化，资金加速从存储芯片板块撤离。