众所周知，全球制造芯片最厉害的当属台积电，目前已经是5nm，使用台积电5nm工艺术的苹果A14就已经发布了。然后再是三星，马上也将推出5nm芯片，那就是三星自家的Exynos1080。
而中国大陆的技术还是14nm，和台积电相差还是很远的，毕竟中间还隔了10nm、7nm这么两大代，按照正常技术演进，至少是5年以上差距。
而为了追上台积电，国内众多的芯片制造企业，也是想尽了办法，毕竟制造技术已经成为了中国芯发展的一块短板了，毕竟目前我们已经能设计、封测5nm的芯片了，只有制造跟不上来。
在大家的努力之下，近日传出了好消息，芯动科技(INNOSILICON)，表示自己的基于中芯FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试成功。
对于这个N+1工艺，相信大家是不陌生了，从去年就提起了。虽然没有明确说是多少nm，但相对于14nm工艺，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。
这样算下来，与7nm工艺已经是相当接近了，可以看作是低配版的7nm，外界也有称是相当于三星的8nm工艺，但不管是低配的7nm，还是8nm，意味着大陆的芯片制造技术，终于迈进10nm以内了，这不得不说是一个真正的好消息，从14nm进入10nm以内，也是前进了一大步。
从全球半导体的工艺制程来看，28nm以上算是成熟工艺，而14nm及以下都算是先进工艺，而7nm或以下工艺的芯片产能占了全球总产能的90%以上，目前基本上也就只有几款手机芯片才使用5nm工艺。
所以这个N+1工艺一旦量产，代表着大陆不用依赖别人就至少能生产90%的芯片了，而按照相关政策要求，我们的目标是到2025年实现70%的自给率，由此来看，只要N+1产能爬坡，这个目标就没有问题了。
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