消息称，广发证券香港分行于 11 月 3 日发布报告指出，美光科技下一代高带宽内存（HBM4）未能满足英伟达关键数据传输速度要求，需重新设计产品结构，全面供货或推迟至 2027 年。
报告称，客户对 HBM4 的数据传输速度要求远超 JEDEC 标准，而美光样品未能满足这一关键门槛，导致认证流程受阻。
这并非市场首次对美光 HBM4 提出质疑。早在 10 月 30 日，韩国媒体便披露，美光 HBM4 因功耗控制和散热性能不达标，已启动架构调整，量产时间可能延后 9 个月，甚至面临错失英伟达 Rubin 平台（2026 年推出）首批订单的风险。
行业分析机构 TrendForce 也在同期报告中指出，美光采用的 12nm 级逻辑芯片工艺，与三星的 4nm 工艺、SK 海力士的台积电 12nm 工艺存在代差，直接导致其 HBM4 的能效比落后竞品 15%-20%，“这对追求‘高带宽、低功耗’的 AI 服务器而言，是难以接受的短板”。
面对市场质疑，美光方面多次公开反驳。在 9 月 24 日的财报电话会议上，美光 CEO Sanjay Mehrotra 曾高调宣布，HBM4 样品已实现 11Gbps 传输速率、2.8TB/s 带宽，不仅远超 JEDEC 标准的 8Gbps 和 2TB/s，还 “显著优于行业竞品”，且已向英伟达、AMD 等核心客户交付最终样品，2026 财年第二季度启动首批供货的计划 “没有变化”。
10 月，美光投资者交流会上透露，截至 10 月中旬，2026 年 HBM4 规划产能的 80% 已被意向订单锁定，客户对产品性能 “反馈积极”；同时，为支撑 HBM4 量产，美光已将 2026 年相关资本开支提升至总投入的 35%，重点用于先进封装产线升级与高纯度硅晶圆采购。
针对 “封装良率低” 的说法，美光回应称，通过设备迭代与工艺优化，TC-NCF 技术良率已提升至 75%，“完全能满足量产需求”。
关于美光 HBM4 测试认证进展的争议，目前仍处于官方声明与市场传闻博弈的关键阶段，TrendForce 预测，2026 年 HBM4 市占率将逐季提升至 60%，市场规模突破 120 亿美元，SK 海力士与三星有望瓜分超 90% 份额。若广发证券报告属实，美光将彻底错失 HBM4 的 “第一波红利”。
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