只要不死总会出头
11-11
这篇文章不错，转发给大家看看
存储芯片：AI驱动下的超级周期与产业链
免责声明：上述内容仅代表发帖人个人观点，不构成本平台的任何投资建议。
分享至
微信
复制链接
精彩评论
我们需要你的真知灼见来填补这片空白
打开APP，发表看法
APP内打开
发表看法
1
{"i18n":{"language":"zh_CN"},"detailType":1,"isChannel":false,"data":{"magic":2,"id":499052464526040,"tweetId":"499052464526040","gmtCreate":1762863937566,"gmtModify":1762863940596,"author":{"id":3462411791122107,"idStr":"3462411791122107","authorId":3462411791122107,"authorIdStr":"3462411791122107","name":"只要不死总会出头","avatar":"https://static.tigerbbs.com/7c237d9b35d3d010840c791aaedd41a8","vip":1,"userType":1,"introduction":"","boolIsFan":false,"boolIsHead":false,"crmLevel":1,"crmLevelSwitch":1,"currentWearingBadge":{"badgeId":"e50ce593bb40487ebfb542ca54f6a561-4","templateUuid":"e50ce593bb40487ebfb542ca54f6a561","name":"明星虎友","description":"加入老虎社区2000天","bigImgUrl":"https://static.tigerbbs.com/dddf24b906c7011de2617d4fb3f76987","smallImgUrl":"https://static.tigerbbs.com/53d58ad32c97254c6f74db8b97e6ec49","grayImgUrl":"https://static.tigerbbs.com/6304700d92ad91c7a33e2e92ec32ecc1","redirectLinkEnabled":0,"hasAllocated":1,"isWearing":1,"stampPosition":0,"hasStamp":0,"allocationCount":1,"allocatedDate":"2022.12.27","individualDisplayEnabled":0},"individualDisplayBadges":[],"fanSize":20,"starInvestorFlag":false},"themes":[],"images":[],"coverImages":[],"title":"","html":"<html><head></head><body>这篇文章不错，转发给大家看看</body></html>","htmlText":"<html><head></head><body>这篇文章不错，转发给大家看看</body></html>","text":"这篇文章不错，转发给大家看看","highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":1,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"link":"https://laohu8.com/post/499052464526040","repostId":2582683603,"repostType":2,"repost":{"id":"2582683603","kind":"news","pubTimestamp":1762851674,"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2582683603?lang=&edition=full","pubTime":"2025-11-11 17:01","market":"us","language":"zh","title":"存储芯片：AI驱动下的超级周期与产业链","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2582683603","media":"策略优基基","summary":"2025年下半年，全球存储芯片市场已正式迈入由AI驱动的“超级周期”，其最显著的特征是“短缺”与“涨价”。这一趋势不仅推动行业周期上行，更通过高端产能转移加剧供需失衡，催生新一轮存储超级周期。","content":"<html><body><article><img src=\"https://fid-75186.picgzc.qpic.cn/20251111184435696v206uc3z2kt9sb9\"/><p>2025年下半年，全球存储芯片市场已正式迈入由AI驱动的“超级周期”，其最显著的特征是“短缺”与“涨价”。与2024年原厂减产带来的短暂上行不同，本轮增长核心源于AI需求的爆发式增长。这一趋势不仅推动行业周期上行，更通过高端产能转移加剧供需失衡，催生新一轮存储超级周期。</p><p>一、<strong>存储芯片核心定义与分类</strong></p><p>存储芯片（又称半导体存储器）是用于存储数字数据和信息的半导体器件，是各类电子设备实现数据留存与调用的核心组成部分。它的核心功能包括数据的写入、读取及长期或临时保存。按数据保存特性主要分为两类：</p><p><strong>易失性存储芯片：</strong>需持续供电才能保持数据，若没有保存则断电后信息丢失，主要用于设备运行时的临时数据缓存，如动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）。其中DRAM是当前AI算力场景的核心耗材，HBM（高带宽内存）作为其高端形态，通过多层堆叠技术实现带宽跃升。</p><p><strong>非易失性存储芯片</strong>：无需持续供电即可长期保存数据，适用于长期数据存储，常见类型如NAND Flash，常用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘等大容量数据储存，以及随机快读快取，容量较小的NOR flash存储。</p><img src=\"https://fid-75186.picgzc.qpic.cn/20251111184437138v20645v8tv05d4w\"/><p><strong>二、2025年存储芯片两轮涨价周期</strong></p><p>2025年存储芯片市场受AI需求与供需结构双重驱动，呈现清晰的两轮涨价周期，具体节点与动因如下：</p><p><strong>第一轮涨价（2025年Q2）</strong>：以NAND Flash为核心驱动。原厂闪迪于4月对NAND flash产品全面提价，根据TrendForce数据显示，第二季NAND Flash Wafer合约价季增10%-15%，Client SSD价格季增3%-8%（Enterprise SSD因产能调节价格持平）。此轮涨价主因是2024年Q4原厂减产效应显现，叠加PC（Windows 10停止支持换机潮）、智能手机及数据中心的库存回补需求集中释放。</p><p><strong>第二轮涨价（2025年Q3-Q4）</strong>：NAND与DRAM双品类共振。NAND flash端经上半年减产去化，闪迪、长江存储等陆续发布涨价函，行业预测Q3价格涨3%-8%、Q4续涨5%-10%；DRAM端因<a href=\"https://laohu8.com/S/SMSN.UK\">三星</a>、<a href=\"https://laohu8.com/S/MU\">美光</a>将产能转向HBM，传统DDR4/LPDDR4X供应短缺，Q3一般型DRAM价格季增10%-15%、Q4预计涨8%-13%。值得注意的是，11月市场数据显示DDR5现货价格单周涨幅达30%，HBM领域更是迎来突破性进展——SK海力士与<a href=\"https://laohu8.com/S/NVDA\">英伟达</a>达成2026年HBM4供应协议，单价560美元/颗，较HBM3E涨幅超50%，远超行业预期。</p><p><strong>两轮周期清晰反映出：AI技术普及与高端产能转移已取代传统供需调节，成为决定存储芯片价格走势的核心变量。</strong></p><img src=\"https://fid-75186.picgzc.qpic.cn/20251111184444550v2068b16tzmt3t9\"/><p><strong>三、存储芯片产业链全景架构</strong></p><p>存储芯片产业链呈垂直分工架构，从上游基础支撑到下游应用落地形成完整生态，各环节在AI浪潮下呈现新的发展特征：</p><p><strong>1．上游：核心基础支撑层</strong></p><p>为产业链提供关键材料、设备及IP支撑，技术壁垒高，国产化替代需求迫切：</p><p><strong>半导体材料</strong>：12英寸硅片（存储芯片主流基底）、光刻胶、电子特气、CMP抛光材料等，高端领域仍依赖进口，但<a href=\"https://laohu8.com/S/688019\">安集科技</a>的氮化硅抛光液已应用于长鑫存储先进制程。</p><p><strong>核心设备</strong>：涵盖DUV光刻机、刻蚀设备、PVD/CVD沉积设备，TSV（硅通孔）、Hybrid Bonding等先进封装设备因HBM需求激增成为增长点。</p><p><strong>IP核设计</strong>：提供存储接口IP（如DDR5）、控制器IP等，是芯片设计效率提升的关键。</p><p><strong>2. 中游：制造与封测核心层</strong></p><p>存储芯片的设计、制造及封装测试，连接上下游的核心环节，技术与资本密集特征显著：</p><p><strong>芯片设计</strong>：芯片设计是半导体产业链的核心环节，是决定芯片性能、功耗、成本的关键步骤。其核心目标是在满足性能指标的同时，实现高集成度与高可靠性。</p><p><strong>芯片制造</strong>：主要有DRAM和NAND Flash等，技术壁垒与资本密集度体现强烈。国际龙头为三星、SK海力士、美光。三大巨头主导DRAM和NAND市场。从技术迭代来看，DRAM和NAND技术创新加速，尤其是HBM（高带宽内存）显著提升数据中心的数据处理速度，是AI应用的核心部件。具体来说，HBM属于DRAM存储芯片的一种，呈现出多层DRAM/DDR芯片垂直堆叠的形态。</p><p><strong>封装测试</strong>：封装测试是连接芯片设计制造与终端应用的关键纽带，对保障芯片性能、可靠性及商业化落地至关重要。</p><p><strong>3. 下游：终端应用驱动层</strong></p><p>AI场景成绝对增长引擎</p><p><strong>AI算力/数据中心场景</strong>：这是当前增长最强劲的领域。AI训练和推理催生了对HBM和高容量DRAM（DDR5）的巨大需求。</p><p><strong>消费电子场景</strong>：目前手机存储和PC端是传统主力市场。Windows 10停止支持推动PC换机潮，Client SSD均价季增8%；手机存储容量普遍提升至1TB以及512GB成主流支撑需求。</p><p><strong>智能汽车场景</strong>：随着自动驾驶级别提升和智能座舱普及，车规级存储芯片需求快速增长。自动驾驶域控制器需配备高可靠性DRAM。</p></article></body></html>","source":"tencent","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>存储芯片：AI驱动下的超级周期与产业链</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n存储芯片：AI驱动下的超级周期与产业链\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2025-11-11 17:01 北京时间 <a href=http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20251111184520a6f1d01a&s=b><strong>策略优基基</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>2025年下半年，全球存储芯片市场已正式迈入由AI驱动的“超级周期”，其最显著的特征是“短缺”与“涨价”。与2024年原厂减产带来的短暂上行不同，本轮增长核心源于AI需求的爆发式增长。这一趋势不仅推动行业周期上行，更通过高端产能转移加剧供需失衡，催生新一轮存储超级周期。一、存储芯片核心定义与分类存储芯片（又称半导体存储器）是用于存储数字数据和信息的半导体器件，是各类电子设备实现数据留存与调用的核心...</p>\n\n<a href=\"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20251111184520a6f1d01a&s=b\">Web Link</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"","relate_stocks":{"LU0056508442.USD":"贝莱德世界科技基金A2","BK4532":"文艺复兴科技持仓","BK4543":"AI","LU0757428866.USD":"THREADNEEDLE (LUX) GLOBAL SMALLER COMPANIES \"AE\" (USD) ACC","BK4512":"苹果概念","IE00B19Z3B42.SGD":"Legg Mason ClearBridge - Value A Acc SGD","SSD":"Simpson Manufacturing Co","LU2211815571.USD":"ALLIANZ POSITIVE CHANGE \"AT\" (USD) ACC","BK4527":"明星科技股","DRAM":"达泰莱","LU1316542783.SGD":"Janus Henderson Horizon Global Technology Leaders A2 SGD","LU1815336091.USD":"THREADNEEDLE (LUX) GLOBAL SMALLER COMPANIES \"AUP\" (USD) INC","LU1852331112.SGD":"Blackrock World Technology Fund A2 SGD-H","IE00B7SZLL34.SGD":"Legg Mason ClearBridge - Value A Acc SGD-H","GB00BDT5M118.USD":"天利环球扩展Alpha基金A Acc","BK4141":"半导体产品","IE0002270589.USD":"LEGG MASON CLEARBRIDGE VALUE \"A\" (USD) INC","LU2250418816.HKD":"BGF WORLD TECHNOLOGY \"A\" (HKD) ACC","BK4533":"AQR资本管理(全球第二大对冲基金)","LU0792757196.USD":"TEMPLETON SHARIAH GLOBAL EQUITY FUND \"A\" (USD) ACC","BK4587":"ChatGPT概念","BK4575":"芯片概念","BK4528":"SaaS概念","LU0642271901.SGD":"Janus Henderson Horizon Global Technology Leaders A2 SGD-H","LU0127658192.USD":"EASTSPRING INVESTMENTS GLOBAL TECHNOLOGY \"A\" (USD) ACC","LU0274383776.USD":"MANULIFE GF US SMALL CAP EQUITY \"AA\" (USD) INC","BK4086":"建筑产品","LU2089985449.USD":"MANULIFE GF GLOBAL SEMICONDUCTOR OPPORTUNITIES \"AA\" (USD) ACC","LU2048586759.USD":"ALLIANZ SMART ENERGY \"AT\" (USD) ACC","LU2360106780.USD":"BGF WORLD TECHNOLOGY \"A4\" (USD) INC","LU0082616367.USD":"摩根大通美国科技A（dist）","LU1366333091.USD":"FIDELITY GLOBAL FOCUS \"A\" (USD) ACC","HBM":"HudBay Minerals Inc","LU0719512351.SGD":"JPMorgan Funds - US Technology A (acc) SGD","MU":"美光科技","LU2931357623.SGD":"MANULIFE GF GLOBAL SEMICONDUCTOR OPPORTUNITIES \"AA\" (SGDHDG) ACC","AI":"C3.ai, Inc.","BK4579":"人工智能","BK4588":"碎股","BK4605":"半导体精选","LU0889566641.SGD":"FTSF - Templeton Shariah Global Equity A Acc SGD","LU0157215616.USD":"FIDELITY GLOBAL FOCUS \"A\" INC","LU0081259029.USD":"UBS (LUX) EQUITY FUND - TECH OPPORTUNITY \"P\" (USD) ACC","BK4551":"寇图资本持仓","IE00B19Z3581.USD":"Legg Mason ClearBridge - Value A Acc USD","LU1267930813.SGD":"FRANKLIN TEMPLETON SHARIAH GLOBAL EQUITY \"AS\" (SGD) ACC","LU0053671581.USD":"摩根大通美国小盘成长股 A(dist)","BK4168":"多种金属与采矿","BK4023":"应用软件","BK4554":"元宇宙及AR概念"},"source_url":"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20251111184520a6f1d01a&s=b","is_english":false,"share_image_url":"https://static.laohu8.com/9a95c1376e76363c1401fee7d3717173","article_id":"2582683603","content_text":"2025年下半年，全球存储芯片市场已正式迈入由AI驱动的“超级周期”，其最显著的特征是“短缺”与“涨价”。与2024年原厂减产带来的短暂上行不同，本轮增长核心源于AI需求的爆发式增长。这一趋势不仅推动行业周期上行，更通过高端产能转移加剧供需失衡，催生新一轮存储超级周期。一、存储芯片核心定义与分类存储芯片（又称半导体存储器）是用于存储数字数据和信息的半导体器件，是各类电子设备实现数据留存与调用的核心组成部分。它的核心功能包括数据的写入、读取及长期或临时保存。按数据保存特性主要分为两类：易失性存储芯片：需持续供电才能保持数据，若没有保存则断电后信息丢失，主要用于设备运行时的临时数据缓存，如动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）。其中DRAM是当前AI算力场景的核心耗材，HBM（高带宽内存）作为其高端形态，通过多层堆叠技术实现带宽跃升。非易失性存储芯片：无需持续供电即可长期保存数据，适用于长期数据存储，常见类型如NAND Flash，常用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘等大容量数据储存，以及随机快读快取，容量较小的NOR flash存储。二、2025年存储芯片两轮涨价周期2025年存储芯片市场受AI需求与供需结构双重驱动，呈现清晰的两轮涨价周期，具体节点与动因如下：第一轮涨价（2025年Q2）：以NAND Flash为核心驱动。原厂闪迪于4月对NAND flash产品全面提价，根据TrendForce数据显示，第二季NAND Flash Wafer合约价季增10%-15%，Client SSD价格季增3%-8%（Enterprise SSD因产能调节价格持平）。此轮涨价主因是2024年Q4原厂减产效应显现，叠加PC（Windows 10停止支持换机潮）、智能手机及数据中心的库存回补需求集中释放。第二轮涨价（2025年Q3-Q4）：NAND与DRAM双品类共振。NAND flash端经上半年减产去化，闪迪、长江存储等陆续发布涨价函，行业预测Q3价格涨3%-8%、Q4续涨5%-10%；DRAM端因三星、美光将产能转向HBM，传统DDR4/LPDDR4X供应短缺，Q3一般型DRAM价格季增10%-15%、Q4预计涨8%-13%。值得注意的是，11月市场数据显示DDR5现货价格单周涨幅达30%，HBM领域更是迎来突破性进展——SK海力士与英伟达达成2026年HBM4供应协议，单价560美元/颗，较HBM3E涨幅超50%，远超行业预期。两轮周期清晰反映出：AI技术普及与高端产能转移已取代传统供需调节，成为决定存储芯片价格走势的核心变量。三、存储芯片产业链全景架构存储芯片产业链呈垂直分工架构，从上游基础支撑到下游应用落地形成完整生态，各环节在AI浪潮下呈现新的发展特征：1．上游：核心基础支撑层为产业链提供关键材料、设备及IP支撑，技术壁垒高，国产化替代需求迫切：半导体材料：12英寸硅片（存储芯片主流基底）、光刻胶、电子特气、CMP抛光材料等，高端领域仍依赖进口，但安集科技的氮化硅抛光液已应用于长鑫存储先进制程。核心设备：涵盖DUV光刻机、刻蚀设备、PVD/CVD沉积设备，TSV（硅通孔）、Hybrid Bonding等先进封装设备因HBM需求激增成为增长点。IP核设计：提供存储接口IP（如DDR5）、控制器IP等，是芯片设计效率提升的关键。2. 中游：制造与封测核心层存储芯片的设计、制造及封装测试，连接上下游的核心环节，技术与资本密集特征显著：芯片设计：芯片设计是半导体产业链的核心环节，是决定芯片性能、功耗、成本的关键步骤。其核心目标是在满足性能指标的同时，实现高集成度与高可靠性。芯片制造：主要有DRAM和NAND Flash等，技术壁垒与资本密集度体现强烈。国际龙头为三星、SK海力士、美光。三大巨头主导DRAM和NAND市场。从技术迭代来看，DRAM和NAND技术创新加速，尤其是HBM（高带宽内存）显著提升数据中心的数据处理速度，是AI应用的核心部件。具体来说，HBM属于DRAM存储芯片的一种，呈现出多层DRAM/DDR芯片垂直堆叠的形态。封装测试：封装测试是连接芯片设计制造与终端应用的关键纽带，对保障芯片性能、可靠性及商业化落地至关重要。3. 下游：终端应用驱动层AI场景成绝对增长引擎AI算力/数据中心场景：这是当前增长最强劲的领域。AI训练和推理催生了对HBM和高容量DRAM（DDR5）的巨大需求。消费电子场景：目前手机存储和PC端是传统主力市场。Windows 10停止支持推动PC换机潮，Client SSD均价季增8%；手机存储容量普遍提升至1TB以及512GB成主流支撑需求。智能汽车场景：随着自动驾驶级别提升和智能座舱普及，车规级存储芯片需求快速增长。自动驾驶域控制器需配备高可靠性DRAM。","news_type":1,"symbols_score_info":{"AI":0.9,"DRAM":1,"HBM":0.7,"MU":0.9,"SSD":1}},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":8,"commentLimit":10,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false,"reportStatus":false,"symbols":[],"verified":2,"subType":0,"readableState":1,"langContent":"CN","currentLanguage":"CN","warmUpFlag":false,"orderFlag":false,"shareable":true,"causeOfNotShareable":"","featuresForAnalytics":[],"commentAndTweetFlag":false,"andRepostAutoSelectedFlag":false,"upFlag":false,"length":27,"optionInvolvedFlag":false,"xxTargetLangEnum":"ZH_CN"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"isTiger":false,"isWeiXinMini":false,"url":"/m/post/499052464526040"}
精彩评论