昨日阿斯麦 (ASML.US)成交额55.13亿美元，位列美股第23位，收跌5.80%，算是最近ASML单日下跌幅度TOP2。
首先还是需要回顾一下ASML的整体行情走势和驱动：
26年1月投行对于ASML的目标价集体上调：摩根士丹利1月16日目标价大幅上调40%至1400欧元、（此前约1000欧元）UBS 1月20日目标价上调至1400欧元（此前约1030欧元）、巴克莱1月29日目标价至1500欧元（此前约1200欧元）。
这其中的驱动是：
①台积电2026年资本开支指引大幅上调至520–560亿美元（中值同比+32%）远超预期。
②HBM和通用DRAM价格创近年高点，投行预期内存厂商（三星、SK海力士等）将在2026–2027年启动大规模产能建设。
③ASML中国需求“好于担忧”，虽有出口管制，但成熟节点/DUV仍有贡献。叠加整体订单动量强劲，公司在1月28日财报中给出2026年净销售额340–390亿欧元指引（中值超当时共识），并明确“不预期2026年总净销售额低于2025年”，缓解了此前对2026年增长的疑虑。
然后是...
26年3月海力士加大采购EUV：SK海力士通过监管文件正式披露：将在未来约两年内（至2027年12月31日）向ASML采购价值约11.95万亿韩元（约79.7–80亿美元）的EUV光刻机。
这是当时公开披露的单笔最大规模EUV订单之一，按当时单台EUV价格估算（约3000–5000亿韩元/台），大约对应20–30台设备，用途明确指向下一代先进DRAM和HBM的量产扩产，以应对AI驱动的内存需求，算是印证了此前投行的语气，属于是预期兑现。
之后就是
26年4月ASML Q1 2026财报：首次上调全年指引至360–400亿欧元，此前340–390亿欧元，毛利率51–53%。
26年7月ASML Q2 2026财报：大超预期 + 大幅二次上调指引至430–450亿欧元、2027年底NA EUV产能较2026年增加约30%，并研究2028年再增加30%；DUV产能同步扩张。
从近期走势看，趋势已经偏下行，于近期的半导体板块一致，不过就今年上半年来说，ASML还是没有跑赢半导体指数这块的。
昨天最主要的消息是：《The Information》报道一家国有背景的中国企业已启动浸没式DUV光刻机量产规划，主要供应国内客户。市场担心这会长期冲击阿斯麦在中国的DUV业务份额。
该公司是上海宇量升科技（Yuliangsheng），深圳（新凯来）+上海（创科微）双城国资联手，已开始制造并计划量产浸没式深紫外（Immersion DUV）光刻机。
2025年9月，中芯国际开始测试宇量升的 DUV 光刻机，初步测试结果令人鼓舞，算是中国国产光刻机进入顶级晶圆代工厂测试线的标志性事件。
2026年7月这次主要是已经开始兑现实现量产了，计划2026年交付约5台，2027年约20台，客户包括中芯、华虹、长鑫。
宇量升目前最先进的机器大致对标ASML 2007–2008年前后的水平（接近NXT:1950i时期），设计目标约为28nm单次曝光。通过多重曝光理论上可尝试更先进节点（如7nm甚至更低），但存在明显短板：
中国目前仍无法量产真正有竞争力的EUV，国产DUV也尚未进入能与ASML高端浸没式设备（NXT:2000i及以后）直接竞争的阶段，差距大约仍在10–15年以上（如果以量产良率和产能衡量）。但可以说在美国持续收紧对先进DUV出口管制的背景下，中国第一次有了可小批量交付的国产浸没式DUV选项，降低对ASML的完全依赖。
【影响】
ASML去年交付131套浸没式DUV光刻系统，宇量升的27年20台仍存在差距，但是中国市场的业绩在过往两年一直是ASML绕不开的一个坎，中国地区收入占比20~30%，从2026年开始，占比才出现明显回落，投资者和分析师几乎每次财报都会追问中国业务，直接关系到短期业绩和长期地缘风险。
①短期情绪冲击明显，但实质影响无。市场担忧中国加速国产替代，会进一步压缩ASML在中国的DUV份额（中国已因出口管制导致ASML对华收入占比显著下降）。
②中期实质影响有限。高端AI芯片（先进逻辑、HBM等）仍高度依赖ASML的EUV和最先进DUV，这是ASML的真正增长引擎场。
③只是从长期从护城河角度看，已经有缺口了，不再是真正的卡脖子企业，中国这块蛋糕未来也得除外。
【其他关注点】
①DUV涨价：目前ASML预计把低数值孔径极紫外光刻机（Low-NA EUV）提价10%，也就是目前主流的NXE系列0.33 NA，中国这边部分客户接受涨价，毕竟中国还是太缺了，台积电目前明确反对涨价的，台积电一直占据ASML收入20+%，有很大的议价权，现在供应紧张下ASML话语权回升，台积电资本开支继续扩大，整体影响不算大还是偏好的。
②新一代EUV商业化：High-NA EUV是ASML在现有 0.33 NA EUV（NXE 系列）基础上的下一代光刻技术，数值孔径从0.33提升到0.55。目前使用客户不多，只有英特尔较多，海力士25年9月装机了，三星后续也会跟进，台积电不急着买（跟Intel不一样不在现在制程上急，多次表示现有0.33 NA EUV + 多重曝光 + 自研工艺创新够用了），市场关注商业化进度，26年7月15日Intel用High-NA EUV高产量部分Panther Lake芯片，后续放量还得看先进存储技术这块三星海力士的贡献。
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