美光科技（MU）：HBM技术引领内存革命

核心逻辑： 美光科技凭借高带宽内存（HBM）技术，成为AI基础设施中不可或缺的一环。当前HBM市场供不应求，美光产能已售罄至2025年，且与英伟达、超大规模云厂商（如亚马逊、微软）的深度合作，验证了其技术领先性。尽管增长迅猛，美光估值仍显著低于同业，存在45%的潜在上涨空间（目标价164美元）。

为什么HBM是AI时代的“隐形瓶颈”？

1. 需求爆发式增长：HBM市场从2023年的40亿美元飙升至2025年的350亿美元（+775%），2033年或达1300亿美元。驱动因素包括：

    

   AI训练与推理需求（如大语言模型、边缘计算）。

    

   新兴应用（自动驾驶、AI手机/PC）的本地化处理需求。

2. 技术护城河极高：全球仅三星、SK海力士、美光三家能量产HBM，且生产工艺复杂（需3D堆叠、硅通孔技术），客户认证周期长达数月，一旦合作便形成长期绑定。

美光的竞争优势：

• 性能碾压：HBM3E产品功耗比竞品低30%，36GB容量比竞品（24GB）高50%，更适合数据中心的高能效需求。

• 客户背书：英伟达GB200/GB300平台采用美光HBM3E，第三家神秘大客户（推测为Meta或微软）已开始批量采购。

财务与增长潜力

• HBM收入里程碑：2025财年Q2单季度HBM收入首次突破10亿美元（占公司总营收13%），且毛利率显著高于传统内存。

• 低功耗DRAM新战场：AI服务器中，美光的低功耗DRAM可减少2/3能耗，与英伟达合作开发的SOCAMM模块有望打开新市场。

• 未来预期：2025财年EPS预计增长438%至7美元，2026年再增57%至11美元，三年收入复合增速43.7%。

估值：被低估的AI核心标的

• 当前16.5倍远期PE，较半导体行业中位数（22.8倍）折价27%；

• EV/EBITDA仅7.8倍，较行业（14.4倍）折价45%。

• 若按2026年11美元EPS的15倍PE计算，目标价164美元（较当前118美元有45%空间）。

风险提示

1. 行业周期性：内存价格历史上波动剧烈（如2018年DRAM价格腰斩），需警惕产能过剩风险。

2. 地缘政治：中美技术竞争或导致出口限制扩大至HBM领域。

3. 短期波动：6月25日Q3财报可能因NAND业务拖累毛利率，但HBM长期逻辑不变。

美光在HBM领域的技术统治力，使其成为AI基础设施的“关键阀门”。尽管短期市场可能低估其转型潜力，但买卖节奏的把握仍需谨慎观察。