双展辉映，智驭未来 | 赛晶半导体以匠心功率技术，点亮绿色能源新纪元

中国上海—— 在这个激荡着创新与变革能量的初秋，赛晶亚太半导体以其前瞻的视野与坚实的技术步伐，在上海完成了一场精彩的“双展”接力。甫一落幕聚焦电力电子核心的PCIM Asia展会，又即刻闪耀于规模空前的SNEC ES +国际储能盛宴。这不仅是一次连续的品牌亮相，更是一场精心编排的技术交响，向世界清晰地传递出赛晶以尖端功率半导体，深度赋能智慧能源与高效交通的雄心与实力。

在刚刚落幕的上海 PCIM 展会上，赛晶亚太半导体展示的碳化硅（SiC）与 IGBT 核心技术已引发行业广泛关注，而此次 SNEC ES + 展会则实现了技术成果向储能场景的精准转化。同步展出的有1200V i23 ED 封装半桥 IGBT 模块，该系列模块搭载自主研发的 i23 微沟槽栅 IGBT 芯片组，其中 900A 规格产品实现极低饱和压降（VCEsat=1.55V），配合增强型 FRD 设计使二极管正向压降降低 0.25V，完美适配储能 PCS 及三电平储能应用场景。采用铜线绑定与大面积功率端子的封装优化设计，不仅使模块内部阻抗显著降低，更通过 “直线型” 均流设计保障 175℃高温下的长期运行可靠性，现场吸引多家大型能源企业驻足咨询。

“从 PCIM 到 SNEC ES+，我们的核心目标是让先进功率半导体技术真正赋能储能产业升级。” 赛晶亚太半导体相关负责人表示。此次连续参展的技术展示，不仅印证了赛晶亚太半导体在功率半导体领域的技术引领地位，更凸显了其聚焦新能源赛道的战略决心。随着储能行业进入高质量发展阶段，赛晶亚太半导体将以 “芯片自主化、模块定制化、方案场景化” 的核心优势，为全球储能产业提供更具竞争力的核心器件解决方案。