2026年8月4日，FMS 2026闪存峰会上，SK海力士与SanDisk联合发布全球首个High Bandwidth Flash（HBF，高带宽闪存）标准规范。这是双方自2025年8月启动合作、2026年2月成立HBF联盟以来的首个重大成果，历时约6个月。规范通过Open Compute Project（OCP）正式对外发布，以开放行业标准形态进入市场。

HBF被定义为介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的全新存储层级。它在提供接近HBM的数据传输速度的同时，依托NAND闪存实现显著容量扩展，精准回应AI推理加速普及与数据处理规模膨胀对“高带宽+大容量”的双重需求。

技术规格方面，HBF支持8层与16层两种NAND芯片堆叠，单模块最大容量达512GB。带宽分Grade 1至Grade 3三级，可实现约0.4TB/s至最高3.0TB/s的可扩展性能。接口采用业界标准UCIe协议，可灵活连接GPU、CPU等处理器，为异构计算系统提供高效互连。

目前Google与Tenstorrent已加入HBF联盟，参与技术验证与标准完善。SK海力士表示将通过开放协作扩大联盟规模，加速HBF在AI存储市场落地。

峰会期间，SK海力士进行多项展示：开幕日主题演讲中，金春成与姜旭松联合阐述“分层内存（Tiered Memory）”架构；8月6日与Google DeepMind、SanDisk共同参与“用HBF打破内存墙”圆桌论坛。展台首次公开展示正在开发的第10代（V10）375层4D NAND晶圆与产品，单位功耗效率较前代提升2.5倍，更适合数据中心等高能效AI环境。公司同时宣布计划于2027年初开始量产基于375层4D NAND的高性能大容量企业级SSD（eSSD）。目前尚未公布HBF产品具体量产时间表。

金春成表示：“随着AI应用快速普及，我们正处在数据处理器架构需要彻底重新设计的关键时刻。通过HBF，我们将扩展内存与存储之间的边界，为提升整体系统效率的新架构做出贡献。”

HBF标准的发布，不仅填补了HBM高带宽与SSD大容量之间的空白，更以开放标准形式推动产业链协同，有望成为AI时代存储架构演进的重要里程碑。