2026年，中国半导体设备行业最不缺的词就是“首台”。
从年初到年尾，国内半导体设备厂商几乎每隔几天就要官宣一台“国内首台”。串列型高能氢离子注入机、关键尺寸量测CDSEM、先进气体团簇离子束刻蚀机、EUV光源样机，各种“全国首台”“全球首发”让人眼花缭乱。那我们不禁要问，这么多设备难题被攻克之后，国内设备制造链整体到底走到了哪一步，哪些环节已经能打，哪些还是硬骨头，跟国外巨头差在哪，又强在哪里。
01
今年为什么“国内首台”忽然这么多
今年国内设备的高光时刻一个接一个。1月，中核集团中国原子能科学研究院研制的首台串列型高能氢离子注入机POWER-750H成功出束，官方口径称核心指标达到国际先进水平，补齐了功率半导体制造链条上长期缺失的一环。6月，中国电科48所自主研发的首台关键尺寸量测设备CDSEM完成整机调试与出厂检验，启运交付客户，这块被称作“纳米标尺”的量测装备，此前几乎由海外厂商垄断。同一时期，北方华创发布12英寸先进气体团簇离子束刻蚀设备AcmeGlaion130，又推出第三代12英寸全石英立式氮化硅LPCVD设备。10月的展会上，朗道燧岩亮出了国内公开进度最领先的本土EUV光源样机，宣称整体本土化率已达90%。
中微公司更是按住了快进键。3月发布四款新品，9月再推六款，覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD金属钼沉积、碳化硅外延等环节，半年内两度高密度上新。截至2026年，中微累计超过8800个反应台在国内外220余条产线量产。
这背后是整体大盘的火热，SEMI在SEMICON West上发布的《300mm晶圆厂展望报告》显示，预计2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出将达到1490亿美元，较2025年的约1130亿美元增长31%，创下历史新高；此后数年这一投资仍将以两位数增速延续，到2029年攀升至2270亿美元。
首台密集出现，说明本土设备的技术瓶颈正在被一寸寸突破。十年前，产业还在为能不能造出刻蚀机、清洗机而焦虑，今天的议题已经变成能不能把全产业链的设备都补齐，这是生态层面的质变。但要冷静看待“首台”，从样机到量产、从量产到稳定大批量交付、再到被头部晶圆厂当作主力机台，中间隔着好几道坎。
2025年全球设备厂商排名里，ASML以约372亿美元半导体业务营收居首，应用材料约270亿美元第二，泛林2026财年232亿美元第三，东京电子、科磊分列四五。前五家合计拿走全球近七成。北方华创是唯一进入全球前十的中国公司，2025年营收393.53亿元，约合55亿美元。
02
已经能打的环节，国内的优势在哪
如果把设备按本土化率分层，最上面一层是去胶设备，28nm及以上成熟制程方面的本土化率约80%到90%，是整条工序链上自给最彻底的环节，屹唐半导体以全球第二的市占率（约33.7%）成为这一环节的主要受益者，国内产线上去胶设备已基本摆脱外部依赖。再往下，刻蚀、清洗、CMP、热处理这几大工序，在成熟制程已经形成规模部署。
清洗设备是本土设备最早的突破口之一。盛美上海以差异化创新起家，产品线覆盖约95%的清洗工艺步骤，据Gartner统计全球清洗设备市占率约8.3%，位列全球第四，在国内本土清洗设备中份额达60.5%，整体国内份额仅次于日本DNS。盛美还切进了电镀和先进封装设备，并向新加坡等海外客户交付了单片清洗设备，这是本土设备从内卷走向出海的标志性一步。
CMP设备则是“样板间”。华海清科几乎独揽本土CMP市场，占据本土CMP装备销售90%以上份额，在国内部分头部集成电路制造企业的采购量中占有率最高可达90%以上，先进制程机型已经通过多家头部晶圆厂全流程工艺验证。它的路径很有代表性，先在单一环节做到极致，再向外延伸，如今华海清科也在布局离子注入装备。
刻蚀和薄膜沉积是市场规模最大、技术含量也最高的两个环节，本土厂商在这里的突破最扎实。中微公司的CCP刻蚀设备早已进入台积电5nm产线，这是本土设备能进入全球最先进产线的一张名片。北方华创的刻蚀设备和薄膜沉积设备收入在2025年双双突破百亿，覆盖28纳米及以上成熟制程并向更先进节点延伸。拓荆科技在薄膜沉积领域深耕，并向先进封装混合键合拓展。刻蚀与薄膜沉积共享等离子体物理、真空腔体、射频功率等核心技术底座，一家企业在刻蚀积累的经验可以复用沉积设备，这是本土厂商能在这两个环节快速平台化的原因。
本土设备的核心优势，说白了是三张牌。一是本地服务，晶圆厂遇到问题，本土厂商几小时内能到现场，这是海外巨头做不到的贴身响应。二是成本，同等性能下本土设备的价格通常明显更低，备件和维保也便宜。三是客户验证窗口，在供应链安全考量下，国内晶圆厂比以往更愿意开放产线给本土设备做验证，这个“被信任的机会”在过去十年是最稀缺的资源。中科飞测累计交付约2000台量检测设备。
03
中间地带，正在爬坡但仍吃力
刻蚀、清洗这些大市场之外，有一片技术难度高、市场规模相对较小的“深水区”，本土化率还趴在个位数到十几个百分点，离子注入、量检测、涂胶显影是其中最典型的代表。
离子注入机被称作芯片制造“四大核心装备”之一，但国内整体本土化率在15%左右，其中大束流机型不足10%。最要命的是，国际最先进的离子注入机已禁止向中国出口，连对应二手设备都无法采购，国内晶圆厂只能用老旧型号，直接影响良率和稳定性。这条赛道的玩家在增多，中科信、凯世通是老面孔，艾恩半导体、思锐智能、晶盛机电、北方华创都涌了进来，艾恩已形成覆盖中束流、大束流、高能、特种的全谱系矩阵，思锐智能的高能和大束流机型已出货，晶盛机电的硅中束流机型正在客户验证。但几乎所有玩家都还没盈利，普遍处于高研发投入阶段。离子注入难在技术路径不可迁移，它的核心是离子光学、电磁质量分析、高压加速，更像粒子加速器而非传统工艺设备，刻蚀机的积累几乎搬不过来。首台串列型高能氢离子注入机出束，是好消息，但从出束到能稳定支撑先进功率器件量产，路还长。
量检测设备是本土化率最低的环节之一，前些年不足10%，晶圆厂对它的信任门槛极高，因为量检测不直接造芯片，却决定一片晶圆是合格品还是废品，任何微小缺陷都可能让整批报废。但这两年的进展肉眼可见。中科飞测已量产和验证的设备种类占质量控制设备市场总量超70%，明暗场缺陷检测在四大晶圆厂实现高比例替代，御微半导体的掩膜检测设备已达海外顶尖水平可完全替代，东方晶源的CDSEM量测重复性做到0.15纳米，中国电科48所的首台CDSEM也交付客户。不过行业人士坦承，头部晶圆厂新采购时仍会保留进口设备做基准标尺，本土设备要通过复刻海外机台检测结果做match对照来验证性能，这堵信任墙还没有被完全推倒。
涂胶显影设备本土化率约6%，这块长期被东京电子和DNS垄断，芯源微、盛美等正在进入头部存储客户验证，突破后替代空间巨大，但目前仍在导入期。
04
最硬的骨头还是光刻与键合
如果说深水区是难，那光刻机和混合键合就是“难上之难”，是本土设备真正够不着的地方。
光刻是半导体设备里最大的单一品类，也是本土化率最低的，不到1%，几乎完全依赖ASML、尼康、佳能。上海微电子是唯一的国内主力，展出的I-line扫描投影光刻机分辨率280纳米，KrF干式光刻机分辨率110纳米，客户累计产量超1000万片。更上游的EUV光刻机，是绕不开的天花板。朗道燧岩的EUV光源样机本土化率号称90%，但剩下的10%往往是最要命的零部件，可能是特殊光学材料、超高精度传感器、特定规格的激光器组件，半导体设备的逻辑是任何一个零部件断供，整台机器就是废铁。蔡司半导体部门负责人公开表示中国在EUV技术上大约落后西方15年，瑞银分析师推断中国至少10年后才可能造出替代ASML顶级设备的机型。本土EUV从光源样机到商用，还有漫长的工程化道路。
先进封装里的D2W混合键合设备，是另一块硬骨头。后摩尔时代，先进封装成为延续算力增长的关键路径，键合设备直接决定芯片的性能和良率。国内青禾晶元、拓荆、芯慧联芯、星空科技都推出了混合键合产品，但从业者说得直白，W2W工艺早已成熟，真正的硬仗在D2W。当前D2W混合键合设备主要由荷兰BESI垄断，全球仅台积电具备D2W工艺量产能力，国内厂商几乎都处于验证阶段，缺乏量产落地的成熟产品。D2W难在三个方面，下游缺牵引，国内暂无D2W工艺量产客户，无法明确工艺参数需求；验证资源稀缺，头部晶圆厂的高价值晶圆物料有限，新进入者难获产线验证机会；跨环节协同门槛高，混合键合要结合光刻补偿等前道工艺能力，属于系统工程。
05
国外巨头强在哪
国外设备巨头能垄断高端市场，靠的是几十年的积累和先发优势。
光刻领域，ASML垄断了EUV光刻机，2018年就实现250瓦光源功率，2025年4月又完成1000瓦级EUV光源演示，这是本土光源样机短期内无法企及的工程化水平。ASML对中国市场的依赖也在加深，2026年第三季度对中国销售额环比暴涨109%，中国占比从14%跃升至23%，全年预计贡献约20%营收，而2023年起中国大陆一度是它的全球第一大市场，2024年和2025年占比都在30%以上。这个反差很微妙，一边是对华销售节节攀升，一边是高端型号被管制，卖给你的永远是“够用但非顶配”的那一批。
刻蚀领域，泛林集团全球市占率约52.7%，全球前五大厂商合计占据86.3%，泛林2025年还实现了约210个基点的份额提升，靠的是高端刻蚀设备的工艺优势。量检测领域，科磊在套刻误差量测的中国市占率达46.2%，几乎是半壁江山。这些巨头在先进制程的工艺know-how、客户多年积累的信任、全球化的服务网络、以及核心零部件供应链上，仍是本土厂商短期难以逾越的壁垒。
但国外巨头也有它的软肋。一是价格和响应，设备贵、备件贵、服务慢，本土化不足。二是管制反噬，越是先进制程的设备越被出口管制捆住手脚，反而把中国市场让给了国内厂商，这正是本土设备获得验证窗口的根源。三是“过度依赖单一市场”的风险，对中国营收占比过高，一旦地缘政策生变，这些巨头的业绩会剧烈波动。
06
差距、短板，和一句实话
把各环节本土化率摆在一起，结论很清晰。去胶、清洗、CMP已接近或过半自给，刻蚀、薄膜、热处理在成熟制程站稳了脚跟，量检测、离子注入、涂胶显影还在导入爬坡，光刻和EUV则几乎完全依赖进口。整体上，中国晶圆厂已安装设备中本土占比据韩媒报道已升至35%左右，2026年上半年八家设备企业营收增长13.8%至69%。
但最关键的断层在制程。28纳米及以上成熟制程的设备本土化率已经过半，14纳米及以下先进制程的刻蚀自给率却不足15%，先进制程整体不足15%。用成熟制程的设备和工艺去绕开EUV做先进制程，要在良率和成本上持续付出代价。本土设备如今不缺“从0到1”的首台，缺的是“从1到N”的量产稳定性、先进制程的工艺验证，以及核心零部件的自主，EUV光源那10%的进口零部件，就是最现实的写照。
还有一重隐忧是盈利。离子注入厂商普遍亏损，量检测、涂胶显影的玩家大多还在靠高研发投入硬扛，设备本土化是长跑，不是百米冲刺。产业的健康度不只看有没有首台，还要看这些企业能不能靠经营性现金流活下来、滚动投入下一代研发。容易的已经做完，剩下的都是硬骨头，这句话既是现状，也是提醒。
客观地说，本土半导体设备已经站在一个关键坐标点上。规模上，中国已成为全球最大的设备采购市场，为本土厂商提供了其他国家没有的验证和应用土壤。技术上，刻蚀、清洗、CMP已在全球产业链里占据一席之地，平台型龙头开始出现，中微、北方华创的体量和产品广度，已经具备和国外二线厂商掰手腕的资格。结构上，从工艺设备到量检测到封装设备再到核心零部件，全链条的玩家都在涌现，生态正在成形。
而短板同样扎眼，光刻的断层、EUV的漫长攻坚、离子注入与量检测的信任门槛、D2W键合的量产空白、核心零部件的自主化，这些都不是靠单点突破能解决的，需要产业链上下游协同验证、需要长期高强度投入。国外巨头的优势是几十年积累的壁垒，本土设备的优势是贴身的服务、更低的成本，以及一个愿意给它机会的本土市场。
回到开头那个问题，本土设备到底到了哪一步。答案是，大市场跑通了，深水区还在啃，最硬的光刻还需要努力。首台的意义不在于那台样机本身，而在于它让产业链上的每一环都知道，这条路有人在走，而且已经走过了最难的一段。
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