2025年，EDA市场波澜四起。 从5月底美国对华EDA出口管制的突然加码，到7月初政策松动后国际巨头恢复供应的戏剧性转折，管制的反复无常让这条“卡脖子”赛道的博弈更显激烈；与此同时，行业整合与资本冲刺的节奏同步提速，海外巨头忙着通过并购补全产品线，国内企业则在收购博弈与独立上市之间做出明确选择，IPO动作愈发密集。 年末的资本市场，这场“冲刺”尤为清晰。 01 国产EDA 公司，密集IPO 2025年12月11日，全芯智造技术股份有限公司向安徽证监局办理辅导备案登记，其辅导机构为国泰海通证券股份有限公司。该公司成立于2019年，总部位于合肥，已构建起四大核心技术平台，包括国产计算光刻平台、设计制造协同优化平台、智能制造平台以及全流程工艺器件仿真设计平台，形成了覆盖半导体制造关键环节的技术体系。 2025年12月24日，芯和半导体科技（上海）股份有限公司IPO辅导工作正式完成，中信证券出具报告确认其已具备上市所需的治理架构与合规能力，标志着这家国产EDA领军企业正式进入上市冲刺阶段。该公司致力于开发多物理引擎技术，提供从芯片、封装、模组、PCB板级、互连到整机系统的全栈集成系统级EDA解决方案，支持高速高频智能电子产品的设计。 2025年12月26日，中国证监会官网IPO辅导公示系统显示，上海合见工业软件集团股份有限公司正式向上海证监局提交了IPO辅导备案，保荐机构为国泰海通证券股份有限公司。合见工软成立于2020年，总部位于上海，是一家专注于EDA领域的高性能工业软件及解决方案提供商。 短短一个月内，三家各具技术特色的国产EDA企业接连叩响资本市场大门，叠加此前已启动辅导的芯耀辉等企业，一场属于国产EDA的“上市冲刺季”已然拉开帷幕。 值得注意的是，上述三家公司中，芯和半导体今年的资本运作节奏非常密集。该公司于2025年2月刚刚启动A股IPO辅导备案，一个月后国内EDA领

2026年，全球存储行业正迎来前所未有的变革与机遇。巨头战略调整引发市场供需重构，AI技术迭代催生新型存储需求，商业航天爆发开辟太空存储赛道，三大风**织共振，推动存储行业进入全新发展周期。从消费级市场到AI数据中心，从地球表面到外太空轨道，存储技术的应用边界不断拓展，成为数字经济与尖端科技发展的核心支撑。 01 国产DRAM出海：巨头撤离下的全球突围 目前存储芯片厂商都在集中精力生产第三代高带宽内存（HBM3E），这种用于GPU和AI加速器的超高速内存适用于AI推理和训练，导致服务器DRAM产能承压，谷歌、微软等公司也在开拓基于推理的AI服务业务，一定程度上也催生了服务器DRAM需求。 在此背景下，全球存储市场正经历深刻的格局重塑。美光甚至关停了拥有29年历史的消费级品牌英睿达。这一趋势是存储巨头向高附加值领域转型的必然选择，却意外为中国存储企业打开了全球市场的突破口。 同时，由AI驱动的供需失衡直接引发了内存的价格波动，三星与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%-70%，PC与智能手机DRAM也将同步涨价，传统DRAM合约价格环比涨幅预计达55%至60%。 这也影响了戴尔等OEM厂商及众多第三方内存/SSD品牌的核心组件的供应。一旦供应中断，全球消费级存储市场将面临严重"断粮"危机，而三星将成为全球最大的存储和NAND供应商，市场集中度进一步提升。 价格上涨与供应短缺的双重压力下，全球整机厂商开始主动拓宽供应链。惠普已启动中国内存供应商的资格审查，尽管短期内不会大规模转向中小厂商供货，但完成"资格认证"标志着中国存储企业正式进入国际主流供应链的候选名单。内存芯片的大宗商品属性为这一转型提供了天然优势——品牌和型号间可替代性较强，终端消费者更关注性能稳定性与价格合理性，而非颗粒供应商身份。这意味着中国存储企业可在三星、美光等

最近，摩根士丹利在最新的研究报告中指出，由于AI半导体需求极为强劲，加上日月光的产能已趋近极限，预计该公司将在2026年调涨后段晶圆代工服务价格，涨幅预期落在5%至20%之间，高于原先预期的5%—10%。 同时，中国台湾封测厂如力成、华东、南茂等订单蜂拥而至，目前产能利用率直逼满载，因此近期陆续调整封测价格，启动首轮涨价，涨幅直逼30%。 多家厂商证实：“订单真的太满，后续不排除启动第二波涨价”。 01 涨价背后：产能紧张 力成是美光重要的封测合作伙伴，华东科技隶属于华新丽华集团，业务核心是承接集团内部华邦电子的相关订单。 以力成为例，近年来随着美光调整产品结构与产能规划，将部分原本内部消化的封测产能对外开放，其中就包括移动图形芯片、DDR5等高端存储器产品。力成承接这批订单后，高端产品在自身业务中的占比不断提升，产能利用率始终保持在较高水平。 华东科技专注于利基型存储器封测业务，过去一年受工业控制及特殊应用领域需求波动的影响较为明显。不过目前市场情况已出现好转，工控领域客户已逐步恢复下单，库存清理工作也已完成，市场需求已回升至正常水平之上。在整个存储器行业进入“景气超级周期”的大背景下，华东科技的产能利用率大幅提升，后续订单的可预见性也显著增强。 南茂是此次传统DRAM市场复苏过程中，封测领域的典型受益企业。相关机构分析认为，南茂的NAND产品线在整体营收中占比不高，但在DRAM领域布局扎实。从当前营收构成来看，DDR4产品贡献了七成到八成的收入，是支撑公司经营发展的核心业务。 实际上，造成本次产能紧张的一个原因，是上游晶圆厂策略中心的转移。 存储的封装需求吃紧，还是来看供需两个方面。一方面是供给不足。三星和SK 海力士等巨头都在全力扩充HBM，资源高度集中于先进封装，那么标准型的DRAM和NAND芯片的产出就同步受到了挤压，旧规格产品供给迅速转趋吃紧。 另一方面是需求方

行业对待玻璃基板的态度已经发生了180度大转弯。 去年年中，媒体还在报道英特尔放弃玻璃基板技术的流言，市场还在争吵玻璃基板的商业化前景。 Absolics、LG Innotek等公司还在产线上试水，大部分生态链上的玩家处在观望状态。 然而仅仅过了半年，“2026量产玻璃基板”的目标便开始出现在厂商的路线图中，研究机构也给出了引人遐想的市场增长预测。 玻璃基板技术的背景是，随着生成式人工智能训练模型向万亿参数规模演进，算力基础设施的物理性能正面临严峻瓶颈。在摩尔定律放缓的背景下，先进封装技术已不再是单纯的芯片组装，而是提升半导体系统性能的关键路径。 当前，传统的有机基板在散热效率、大尺寸加工稳定性及互连密度方面已逐渐逼近物理极限。相比之下，玻璃基板在平整度、热稳定性、绝缘性能及互连密度方面具备显著的物理优势。 今天的玻璃基板发展到了哪一步？这项技术会成为2026年半导体产业的一匹黑马吗？ 让我们先从行业报告开始看。 01 市场规模与趋势预测 根据多家权威市场分析机构在2025年末发布的数据，玻璃基板行业正经历从技术验证向早期量产的关键转折。 市场普遍预测，2026年是玻璃基板进入小批量商业化出货的节点，而2028年至2030年将进入快速增长期。Yole Group于2025年11月发布的行业报告指出，2025年至2030年期间，半导体玻璃晶圆出货量的复合年增长率将超过10%。 值得注意的是，在存储（HBM）与逻辑芯片封装这一特定细分领域，玻璃材料需求的复合年增长率预计高达33%。这一数据直接反映出高性能计算领域对高密度互连技术的迫切需求，这种需求并非来自存量市场的替代，而是增量市场的爆发。 从价值分布来看，MarketsandMarkets在2025年10月的报告数据显示，全球半导体玻璃基板市场规模预计将从2023年的71亿美元增长至2028年的84亿美元。 尽管整体规模的绝

AI算力的狂飙，正在重塑整个半导体产业的需求逻辑。而在这条产业链上，有一个“卖铲子”的赛道正迎来确定性爆发——半导体设备。 01 半导体设备，坐上“快车” 2025年，存储市场的涨价潮贯穿全年。叠加HBM（高带宽内存）与DDR5需求的集中爆发，以及全球行业巨头的扩产动作，半导体设备市场直接坐上了需求增长的“快车”，成为最大受益领域之一。 国际半导体产业协会（SEMI）近日发布的《半导体设备年终预测——OEM视角》报告给出了明确信号：预计2025年全球半导体设备原始设备制造商（OEM）的半导体制造设备总销售额将达到创纪录的1330亿美元，同比增长13.7%。预计未来两年半导体制造设备销售额将继续增长，2026年和2027年分别达到1450亿美元和1560亿美元。这一增长主要得益于AI相关投资的推动，尤其是在尖端逻辑电路、存储器以及先进封装技术的应用方面。 从细分领域来看，增长脉络同样清晰可辨。SEMI指出，晶圆制造设备（WFE）领域2024年创下1040亿美元的销售额纪录后，预计到2025年将增长11.0%，达到1157亿美元。这一预测值较SEMI 2025年中期设备预测中的1108亿美元有所上调，反映出为支持AI计算，DRAM和高带宽内存（HBM）领域的投资力度超出预期。 全球存储厂商的扩产与技术升级动作，正成为拉动半导体设备需求的核心引擎。 国内方面，根据长鑫招股书，其募集资金将重点投向三大方向“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”（拟投入75亿元）、“DRAM存储器技术升级项目”（拟投入130亿元）及前瞻研发项目。上述一系列项目的落地，有望直接带动半导体设备市场需求增长。 国际存储龙头同样动作频频，韩国两大存储芯片企业三星与SK海力士正加速推进内存产能扩张。其中三星电子近期不仅提高了韩国本土DRAM和NAND闪存生产线的运行效率，更将资源集中于HBM等高端产品的制造。

近日，中芯国际、华虹半导体、晶和集成传来了密集的动作。 2025年12月29日晚，中芯国际公告称，公司拟向国家集成电路基金等5名中芯北方股东发行股份购买其所持有的标的公司49%股权，交易价格406亿元。本次交易完成后，中芯国际将持有中芯北方100%的股权，中芯北方将成为公司的全资子公司。 值得注意的是，中芯国际对中芯北方的收购并非孤例。 1月1日，华虹公司公告称，计划通过发行股份方式，向华虹集团等 4 名交易对方购买其合计持有的华力微 97.4988% 股权，交易价格（不含募集配套资金金额）82.68亿元，并拟向不超过 35 名符合条件的特定对象发行股票募集配套资金。本次交易完成后，华虹公司将全控华力微。 到了1月4日，晶合集成宣布总投资355亿元的晶合集成四期项目正式启动建设，新厂房将落户合肥新站，持续发挥厂区集聚效应，为提升国内半导体产业技术和供应链自主化水平再次贡献力量。 短短数日，近850亿资本密集进场。 01 三大晶圆厂动作，背后各有深意 中芯国际 交易标的中芯北方成立于2013年7月，是中芯国际与北京市政府共同投资设立的12英寸晶圆制造基地。初始股权结构中，中芯国际持股51%，大基金一期、北京集成电路制造和装备股权投资中心、北京亦庄国际投资发展有限公司等国资背景机构合计持股49%。 此次收购前，中芯国际作为控股股东，同时也为中芯北方提供晶圆代工技术，并且全权负责中芯北方的生产和运营。这种“行业龙头+地方政府+产业基金”的合作模式，为中芯北方的快速发展提供了充足的资金和政策支持。 经过十余年发展，中芯北方已成长为中芯国际在北京地区的重要产能布局。目前中芯北方拥有两条月产能均为3.5万片的300mm生产线，总计月产能达到7万片。工艺技术覆盖40纳米和28纳米，包括28纳米的Polysion工艺和高K金属栅（HKMG）工艺，产品广泛应用于通用逻辑电路、低功耗逻辑电路、

全球消费者可能在新一年发现，那个曾被视为生产力与娱乐工具的个人电脑，正变成一场由AI热潮引发的供应链危机的中心舞台。 今年年初，计划升级电脑的消费者将面临一个令人困惑的景象——市场研究机构IDC预测，PC平均价格将上涨4%至8%。 在内存短缺持续到2027年的情况下，主要PC厂商已向客户发出预警，产品价格涨幅可能普遍在15%至20%之间。这种“量减价增”的复杂图景与2025年下半年市场的乐观预期形成鲜明反差。 01 一张价格普涨的硬件清单 这场涨价风暴的广度与烈度前所未有，没有一块核心硬件能够幸免。它并非同时爆发，而是如同一张被推倒的多米诺骨牌链，从产业链最上游开始，压力逐级传导，最终将所有消费者卷入其中。 存储芯片的涨幅惊人。作为风暴眼，内存（DRAM）和固态硬盘（NAND Flash）的价格涨幅被行业描述为“惊人”。TrendForce数据显示，2025年12月主要存储芯片的合同价已暴涨80%至100%。其根源直指AI数据中心对高带宽内存（HBM）的饕餮需求。为满足英伟达、谷歌、亚马逊等巨头的巨额订单，三星、SK海力士等存储巨头将大量产能转向利润丰厚的HBM，导致用于消费电子产品的标准DRAM和NAND闪存供应锐减。近期，HBM3E的价格又因供不应求被上调近20%，进一步加剧了产能争夺。 显卡与CPU的接力上涨。存储芯片的涨价迅速波及到严重依赖它们的显卡。显存（GDDR）作为DRAM的一种，成本随之飙升。市场消息显示，AMD计划从1月起率先调涨显卡价格，英伟达则可能自2月跟进，且后续可能采取“逐月调涨”的策略。这意味着一张显卡的价格在未来数月内可能阶梯式上升。紧接着，CPU市场也传来风声。AMD已正式通知渠道伙伴上调处理器价格。更深远的影响来自晶圆代工龙头台积电。其计划在今年对先进制程全面涨价5%-10%，其中用于CPU的制程涨幅约7%。这为英特尔和AMD下一代处理器的

HBM（高带宽内存）作为当前AI加速器GPU的核心配置，凭借垂直堆叠的薄DRAM芯片结构，以超高数据带宽为AI训练与推理提供了关键支撑，成为AI算力爆发的重要基石。 然而，HBM存在两大显著短板：一是成本居高不下，其价格较普通DDR内存高出一个数量级；二是容量增长受限，受限于DRAM内存密度缩放的技术瓶颈，即便如英伟达Blackwell GPU搭载8个24GB HBM3e芯片堆栈（总容量192GB），也难以满足模型规模爆炸式增长、上下文长度拓展及AI视频生成带来的海量内存需求。在此背景下，开发成本更低、容量更大的替代技术成为产业共识，类HBM技术阵营加速崛起，推动AI存储赛道进入多元化竞争时代。 01 SPHBM4：标准封装重构HBM应用边界 JEDEC固态存储协会近期宣布，接近完成SPHBM4标准制定（"SP"即"Standard Package"标准封装）。作为HBM4的衍生技术，SPHBM4沿用了与HBM4完全一致的DRAM芯片与堆叠架构，在单堆栈容量上保持同等水平，核心差异在于接口基础裸片（Interface Base Die）的设计优化——可直接搭载于标准有机基板，而非传统HBM4依赖的硅基板，彻底改变了HBM的物理集成方式。 在性能参数方面，HBM4堆栈采用2048位接口，较此前1024位接口实现翻倍，这是自2015年HBM技术问世以来的最大突破；而SPHBM4则将单堆栈接口位数降至512位，通过提升工作频率与采用4:1串行化技术，实现了与HBM4相当的数据传输速率，同时放宽了有机基板所需的凸点间距，降低了封装难度。更重要的是，有机基板布线赋予SPHBM4更长的SoC到内存通道支持能力，使其能够通过增加堆栈数量进一步提升总内存容量，为高容量需求场景提供了新的解决方案。 值得强调的是，SPHBM4绝非"低成本版HBM"或"降配替代方案"，其存储核心性能与HBM4一

当全球科技圈的目光聚焦拉斯维加斯，半导体行业的“奇点时刻”，正随着CES 2026的倒计时加速逼近。 这场盛会之上，AI 正在悄然催生一场产业风暴。 01 AI芯片，“神仙打架” AI的爆发式增长，最终要落到算力支撑上。本届CES，全球半导体巨头正集体亮剑。 英伟达GeForce RTX 50 Super系列 CES2026期间，英伟达CEO黄仁勋将通过多场重磅活动密集发声，核心聚焦消费级硬件升级、物理AI落地及全行业生态协同。 2025年9月市场消息称，英伟达GeForce RTX 50 Super系列将于当年Q4发布，但该系列产品并未在2025年露面。英伟达的合作伙伴表示，预计GeForce RTX 50 Super系列仍会延续以往节奏，选择在2026年初的CES 2026上发布，保持游戏显卡的中期更新规律。 此前RTX 50 Super系列有三款显卡规格曝光，显存和功耗均有大幅提升。分别是RTX 5070 Super、RTX 5070 Ti Super和RTX 5080 Super，定位于中高端市场。 据知名硬件爆料账号@kopite7kimi透露，RTX 5080 Super在保持10752个CUDA核心不变的情况下，采用8颗3GB GDDR7显存颗粒，实现24GB显存容量，较原版增幅达50%。同时显存速率提升至32Gbps，带宽首次突破1TB/s大关。不过其整卡功耗从标准版的360W攀升至415W，接近目前旗舰产品的能耗水平。 根据泄露的PCB设计文件，5070 Super采用GB205核心，将12GB显存升级至18GB，成为首款在中端卡中突破16GB容量限制的产品。其CUDA核心数量也从6144小幅增加4%至6400个，不过显存位宽保持192-bit不变。更令人意外的是5070 Ti Super的曝光，这款定位次旗舰的产品通过全系3GB颗粒实现24GB显存，核心

QPU时代的到来之快，可能会出乎所有人的意料。 英特尔前CEO帕特·基辛格在近期接受采访时表示，量子计算将在两年内普及并加速戳破AI泡沫，且将在2030年前彻底取代GPU。在他看来，量子计算将与经典计算、AI计算共同构成未来计算世界的“神圣三位一体”。 12月9日，量子硬件初创公司QuantWare正式发布了全新的量子处理器（QPU）扩展架构VIO-40K，并计划于2026年实现量子芯片的大规模量产。在荷兰代尔夫特总部，公司正在积极建设Kilofab——这座全球最大且首个专门用于量子芯片生产的晶圆厂。据称，这将使其产能较现有水平提升20倍。 2025年初，黄仁勋还曾笑称“量子技术距离实际应用至少还需20年”，可到了年底，各个量子初创公司和巨头们的路线图一个比一个激进，媒体和机构的预测也开始变得乐观。 无可争议的是，2026年将是量子计算走向实际应用的关键一年。而现在正是梳理技术、回顾市场的好时机。 让我们先看看2025年的量子行业都发生了什么。 01 2025年，量子大爆发 2025年，量子大舞台上的主角可以概括为：三大巨头、量子四侠和英伟达。 谷歌：继2024年底发布拥有105个物理量子比特的Willow超导量子处理器后，谷歌于2025年10月正式宣布实现“可验证的量子优势”。通过运行“量子回声”算法，Willow芯片在处理乱序时间相关器任务时的速度比经典超级计算机快1.3万倍。实验数据进一步显示，随着物理量子比特规模的增加，系统的逻辑错误率呈现指数级下降，从物理层面验证了纠错理论的有效性。 生态方面，谷歌深化了与英伟达的合作，利用CUDA-Q平台进行大规模物理仿真，以解决下一代处理器的噪声设计难题；此外，谷歌与英国国家量子计算中心（NQCC）达成合作，向英国科研机构开放Willow芯片的云端访问权限，支持在材料科学等领域的算法测试。 IBM：IBM在2025年继续执行其