当前，AI正一往无前地从云端向各类终端渗透，各大行业巨头纷纷加码。英伟达不断迭代Agent Computer硬件方案，推动智能体脱离云端依赖，在本地硬件完成感知、规划、执行的全链路闭环；苹果依托M6系列硬件升级Apple Intelligence，将文档摘要、照片编辑等大模型能力落地端侧运算，把用户隐私保护摆在产品核心位置。智谱在天猫开设旗舰店售卖Token，这一商业化信号也反映出端侧AI的应用越来越日常。伴随AI PC本地大模型能力持续优化、Agent硬件盒子逐步走向市场，叠加具身机器人、新一代智能穿戴设备等新品类不断发展，可以看到，端侧硬件正在承接更多AI算力负载，推动智能能力向各类硬件载体、千行百业业务场景延伸。 但大模型端侧化，并不是简单把云端算力做小型移植。终端设备要同时面对功耗、散热、体积、成本、带宽多重硬性约束，既要承载持续增长的大模型参数规模，又要保障低延迟实时交互，同时守住本地数据的隐私安全，传统冯・诺依曼架构的局限性被进一步放大。面对这一组现实产业矛盾，以后摩智能为代表的先行者探索出可落地的商业化路径，存算一体技术走出实验室，迎来难得的产业发展窗口期。端侧AI的核心命题，已经从“能不能跑通模型”，转向“能不能跑得好、用得起、实现大规模商用”，2026年，正是存算一体技术接受真实产业场景实战检验的关键之年。 01 端侧AI需求大爆发，存储一体破解端侧算力“不可能三角” 弗若斯特沙利文的数据显示，全球端侧AI市场规模将从2025年的3219亿元，攀升至2029年的1.22万亿元，复合年均增长率达40%。规模高速扩张的背后，端侧AI产业正在经历一场深刻的范式切换。 两三年前，端侧AI更多停留在概念Demo阶段。受限于模型能力与硬件条件，终端设备仅可运行1B-2B的小参数模型；即便勉强部署7B-8B模型，多模态理解、复杂任务处理能力大打折扣，也缺少成熟芯片支撑稳

新一代Mate XT2 19999起，9月12日正式开售。 **新品发布会如期登场，全场最高潮、欢呼声最热烈的一刻，当属余承东官宣：新一代**三折叠Mate XT2，首发搭载麒麟9050 Pro旗舰芯片。这也是继**Mate40全球发布会之后，**时隔六年在旗舰发布会上推出全新麒麟芯片。 麒麟9050 Pro芯片，“史上性能最强” 麒麟9050 Pro在单芯片内将逻辑单元分层排布，如同从平层升级为复式，内部增设垂直互联通道，好似加装“电梯”，信号传输路径更短、时延更低、性能更好。余承东透露，整机性能相对上一代提升42%以上，并称其是“史上性能最强的芯片”。 麒麟9050 Pro自研九核灵犀CPU超线程技术，单核峰值性能提升24%，多核并发性能提升52%。九核之外，芯片搭配一颗超低功耗微核，息屏显示、消息推送等低负载场景由微核运行，降低待机功耗。大文件打开速度提升50%，多任务流畅度提升35%。 自研马良GPU，光追硬加速技术，计算单元与缓存翻倍，支持5000万线实时光线追踪，渲染性能提升142%；4K视频导出速度提升40%以上。 达芬奇架构NPU实现多尺寸大模型入端，多级存算协同优化技术，余承东透露，在**新一代三折叠手机上实现了行业首个300亿参数MOE大模型入端，激活参数20亿，在端侧实现了更强大的处理能力。在无网络环境下，可完成本地AI图库整理等任务，摆脱网络依赖。 通信方面，搭载巴龙基带，天地一体融合通信架构，卫星巡呼成功率42%。硬件原生支持天通卫星通信、北斗卫星消息，芯片底层预留低轨宽带卫星Modem能力。 站在C位：新一代Mate XT2 在发布新一代Mate XT2之前，余承东先透露了一组重磅数据，截至目前，**三折叠系列全球累计发货量超100万台，在折叠屏品类中拥有行业第一的品牌提及率。 先讲下大家最关心的新一代Mate XT2价格，19999起，9月12

过去两年，AI算力需求的爆发式增长，让GPU和CPU成了最抢手的硬件。但大多数人没注意到的是，这场抢购潮已经向产业链上游传导——晶圆代工厂的先进制程产能，正在经历前所未有的挤兑。 2025 年下半年起，晶圆代工行业便已是热浪迭起。而到了2026年下半年，该行业涨价风潮并未见消退迹象，反而愈演愈烈。 01 最高25%！三星、台积电火热涨价 据悉，三星电子已将部分先进制程晶圆代工新订单的价格上调最高15%，原因是AI芯片需求激增导致产能持续紧张。业内人士透露:三星于7月上调了采用4纳米制程（SF4）生产的芯片价格。中国大陆和美国客户的SF4订单价格较上月上涨10%至15%，而中国台湾地区客户因与台积电同处一地，涨幅为5%至10%。此外，5纳米制程晶圆价格同样上涨10%至15%，8纳米制程价格也上涨近10%。 业内人士称，来自中国大陆客户的需求尤为强劲，但三星无法满足全部订单，原因是其必须同时供应美国客户，并保留部分产能用于自家芯片生产。中国大陆客户是接受最大涨幅的群体之一。 无独有偶，台积电也计划2027年全面上调芯片代工服务报价，覆盖先进与成熟全品类工艺。 具体调价幅度分两档设置。 其中台积电划定的7nm及以下先进制程，基础报价计划上调5%~10%，最终数值根据具体工艺节点和客户有所区分。如果客户需要在原有订单量之外，追加高性能计算芯片的产能，还要在标准涨幅的基础上再支付 10%~15%的溢价。 两项叠加计算，部分追加订单的总涨幅最高可达25%左右。而包括12nm、16nm、28nm在内的成熟节点，以及更多存量工艺，涨幅最高可达10%，部分节点的调整幅度会更小。 值得注意的是，根据市场研究机构 Counterpoint Research 于当地时间 8 月 27 日发布的最新数据，2026 年第二季度全球纯晶圆代工（Pure-Play Foundry）市场同比增长 29%。其

国内首家MRAM计算公司寒序科技公布uHBM®与uLPU™，将Persistent MRAM权重驻留计算从验证芯片推进至Die、Chip、Tray和Rack完整产品路线。 进入大模型推理的下半场，存储再次回到计算架构的中心。 以三星为代表的DRAM-PIM 路线，尝试把特定运算下沉到内存；以 Groq 为代表的 SRAM LPU 路线，用大容量片上 SRAM 承载权重；寒序科技选择 Persistent MRAM，把模型权重驻留与矩阵向量计算放进同一颗Compute-Memory Die。三条路线的器件基础、工艺边界和系统形态各不相同，却指向同一个问题：进入大模型Decode 阶段后，权重究竟还要搬多远？ 近日，寒序科技正式公布uHBM® 与 uLPU™ 推理计算架构及产品路线，产品形态从 uHBM®-Die、uLPU™-Chip，延伸至 Module、2U Tray 和 Rack。首代完整工程产品目前进入流片前收敛，未来两年将重点推进工程实现与量产。作为国内首家MRAM 计算公司，寒序此次发布的意义，在于把磁计算从验证芯片进一步推向一条完整产品路线。 uHBM®-Die Decode 阶段，权重搬运成为主角 大模型Prefill 阶段可以并行处理较长的输入序列，计算密度相对较高；进入 Decode 阶段后，系统开始逐个生成 Token。对于 FFN、MLP 和 GEMV 等典型负载，每一轮计算只输入规模相对有限的激活向量，却需要反复读取本轮参与计算的大规模模型权重。 一颗FP4 权重只有 4 bit。单次读取几乎微不足道；当几十亿颗权重伴随每一个 Token 被重新读取，数据搬运便会持续占用显存带宽、封装接口和系统功耗。 HBM3E 持续提高存储与 GPU 之间的接口带宽，权重仍需跨越存储与计算之间的物理边界。对于对话式 AI，这段路径影响首字延迟和单用户生成速度；对于机

在芯片制造的数百道工序中，离子注入是决定器件电学性能的核心环节之一。它直接决定了晶体管的导电类型、阈值电压、开关速度以及耐压能力。然而，全球离子注入机市场长期被美国应用材料、亚舍立两家公司掌控，合计占据约80%-90%的市场份额，在低能大束流、高能离子注入机领域合计市占率更高，国产化率则不足10%。同时，离子注入机设备长期被列为敏感产品，部分高能量、超低温机型，中国企业即使出高价也买不到。在这样的产业背景下，离子注入机的国产化不仅是一家企业的技术攻关，更是中国半导体产业链自主的关键一环。艾恩（山东）半导体科技有限公司，正是这一赛道上的重要参与者。 01 离子注入机是半导体制造的关键设备 离子注入机是半导体芯片制造领域的关键设备，离子注入工艺是芯片工艺制程的核心工艺步骤，工艺表现为将一定能量和剂量的杂质离子掺杂到芯片中，形成PN结或者提供可移动的载流子，其性能直接决定了器件的电学特性和良率。一台完整的离子注入机本质上是一个带电粒子加速器的工业应用版本，由离子源系统、引出系统、质量分析器、加速/减速系统、离子束聚焦、离子束扫描系统、离子束平行、离子注入室（靶室）、晶圆传输系统、剂量控制、软件系统等核心子系统构成。 由于应用工艺和材料的不同，离子注入机的种类繁多。按照束流强度，离子注入机可分为中束流离子注入机、大束流离子注入机、高能离子注入机等。离子注入机种类繁多的根本原因在于，半导体器件的物理需求覆盖了极宽的参数空间。中束流离子注入机通用性最强，主要用于阈值电压调节、阱区形成等，占全球市场的最大份额；大束流离子注入机以高剂量、高通量为特点，是逻辑芯片和存储芯片源漏区掺杂的主力设备；高能离子注入机可实现MeV级深注入，用于IGBT背面场截止层、深埋阱等。 随着制程不断微缩，离子注入工序持续增加：28nm工艺普遍需要30次以上离子注入，14/7nm FinFET先进制程可达40～6

8月29日，长鑫科技官方微博正式官宣重磅产业进展：自研新一代LPDDR6移动内存芯片已实现规模量产，该产品将由小米全新折叠旗舰小米18 Fold全球首发搭载，新机定于9月正式发布上市。这是国产存储芯片首次在新一代移动端最高规格内存标准上实现全球首发商用，彻底打破海外厂商对旗舰级LPDDR新标准首发权的长期垄断，标志着国产DRAM技术正式迈入全球第一梯队。 本次官宣并非突发进展，早在8月28日晚间，长鑫科技发布2026年半年度报告，已提前披露LPDDR6的研发与产业化进度。财报明确，长鑫自研LPDDR6相比主流商用的LPDDR5X规格实现全方位性能升级，通过全新架构迭代与数据传输优化技术，芯片峰值传输速率可达12800Mbps，单颗芯片最大容量支持16GB，完全适配AI手机、高端折叠屏等旗舰终端的高性能、低功耗需求。在官宣量产前，该产品已完成头部客户多轮送样、适配与验证工作，软硬件稳定性、功耗控制、极限性能表现均达到商用标准，具备大规模装机条件。 同步本次量产官宣，小米创始人雷军公开发声祝贺长鑫实现技术突破，并确认核心适配信息：小米自研玄戒O3芯片是全球首家完整适配、支持长鑫LPDDR6内存的系统级芯片，二者组成的“国产SoC+国产顶级内存”黄金组合，将独家落地小米18 Fold机型。作为小米年度高端阔折叠旗舰，小米18 Fold也成为全球第一款预装商用版LPDDR6内存的智能手机，开创了国产核心硬件联合首发旗舰终端的行业先例。 从硬件规格迭代来看，LPDDR6是当前移动终端最新一代内存标准，面向端侧AI、多任务并行、高清影像渲染、大型游戏运行等高频高负载场景设计。相较于上一代产品，全新架构有效提升数据传输带宽与调度效率，同时优化能效比，在保证旗舰级性能释放的同时，控制整机功耗与发热，完美适配折叠屏手机精密机身的散热与功耗要求。结合玄戒O3芯片的硬件能力，整套平台的内存带宽相

硅电容作为算力底座的核心元器件，已然成为高端算力硬件的“标配刚需”。 随着全球AI产业高速迭代，训练与推理算力需求爆发增长，推动AI芯片向着高功耗、大电流、快瞬变、高频化方向演进。与此同时，2.5D/3D先进封装逐渐取代传统封装，成为高端算力芯片的主流形态。面向未来的算力集群建设，芯片的电源分配与信号传输体系将被重构，电源完整性瓶颈已然成为制约高端AI芯片性能释放的隐形枷锁。传统多层陶瓷电容已经无法全面适配算力芯片性能升级与先进封装场景需求，苏纳硅电容凭借半导体工艺精度与全维度性能优势，精准破解算力硬件底层瓶颈，成为AI与先进封装时代不可或缺的被动元件。 长期以来，多层陶瓷电容（MLCC）凭借工艺成熟、成本低廉的优势，为消费电子、传统工控市场提供底层支撑，但其性能仅适配低端、低速硬件场景，无法完全匹配AI算力的严苛标准。针对AI高频、大电流、长待机、高集成四大场景特点，硅电容将是适配高端算力硬件发展的理想被动元件。 AI芯片长期处于高频工作、瞬时大电流切换和持续高负载运行状态已是常态，这对电源分配网络（PDN）的稳压能力、滤波效果、响应速度提出了极致要求。而传统MLCC寄生参数偏高，等效串联电感（ESL）普遍达到nH级别，在GHz级高频工作环境下极易产生阻抗尖峰，无法实现宽频稳定滤波，导致AI芯片高频噪声干扰严重，运算精度下降。苏纳硅电容采用晶圆级半导体制造工艺，从材料、结构、制程三大维度实现代际性能跃迁。通过优化结构设计，将电容ESL降至pH级、ESR低至mΩ级，已经无限接近理想电容特性，可在MHz-GHz超宽频范围内保持平稳低阻抗，精准滤除AI芯片高频开关噪声与谐波干扰，低成本解决高端芯片PDN阻抗失配难题。在AI训练集群高负载、多任务并发场景中，苏纳硅电容可保障芯片满频运行，杜绝电压抖动、运算误差等问题，最大化释放高端芯片的极致性能。 此外，传统MLCC厚度普遍超过2

8月29日，华勤技术迎来成立21周年。就在21周年前夕，这家ODM巨头连续释放了两个重要信号。 8月25日晚，华勤技术交出了一份937.2亿元的半年报。2026年上半年，公司营收同比增长11.7%，研发投入达到35.6亿元，同比增长20%。九天前，第二届华勤技术展在上海华勤技术全球研发中心揭幕，集中展出280余项技术创新成果。从手机、AI PC，到服务器、超节点、智能座舱和机器人，华勤几乎覆盖了这一轮智能硬件产业最受关注的方向。 半导体产业纵横独家对话华勤技术联合创始人、执行副总裁兼CTO吴振海。在这场对话里，“交付”是一个反复出现的词。他谈超节点，重点是高速互联、液冷和异构算力；谈汽车电子，重点是车规验证、多平台适配和跨车型量产；谈机器人，首先考虑的也是如何在华勤自己的工厂里完成真实场景验证。 21年间，华勤从手机走向PC，从消费终端进入算力基础设施，又将业务边界延伸至汽车电子和机器人。今年以来，华勤市值一度越过1200亿元。1200亿元之上，这家ODM巨头的下一场远征，将走向哪里？ 01 版图向外，能力向上 采访进行到第八分钟，楼上忽然传来一阵沉闷的“咚咚”声。有人解释，是机器人在走路。因为机身较重，它的每一步，在楼下都听得清楚。 这个意外插曲，恰好为观察华勤提供了一个入口。在大多数人的认知里，华勤是一家伴随中国智能手机产业成长起来的ODM企业。但在第二届技术展现场，手机只是庞大产品版图的一个起点。此次现场展出了280余项技术创新成果，技术储备实现了翻倍增长。 最接近用户的一端，仍然是华勤积累时间最长的移动终端。手机、平板、手表和耳机背后，是射频、天线、影像、声学、结构、散热、系统和测试等一整套工程能力。无断点金属边框是吴振海主动谈到的一项技术。今天的金属边框手机，通常需要多个塑胶断点来保证天线性能。虽然断点越少，外观越完整，但多天线共存、全频段覆盖和结构可靠性也越难兼

从摩尔定律到韬(τ)定律，半导体产业完成由“几何缩微”向“时间缩微”的范式切换。摩尔定律持续推动半导体制程与超精密光学技术协同演进，带动前道工艺、先进封装、微纳光学加工不断革新；在后摩尔时代，韬定律以全链路时延优化为核心，驱动3D堆叠、Chiplet、混合键合等技术快速落地，也对精密装备的底层稳定性与运动控制能力提出更高标准。 多数设备厂商聚焦光学、工艺与结构研发，往往忽略振动抑制、精密运动控制两大底层核心。环境1-5Hz低频振动，不仅造成晶圆对位偏差、良率下降，还会引发光学设备成像模糊、微纳加工精度偏移等问题；传统被动隔振、气浮平台存在固有短板，无法适配先进制程与高端光学装备的严苛标准。同时，纳米/微米级精密运动控制尚存诸多挑战：高速抖动、多轴联动同步精度不足、海外控制器交付周期漫长。振动扰动与定位误差相互耦合，大幅提高了装备研发与量产成本，成为规模化量产的隐形瓶颈。 第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC2026）即将于8月31日9月2日，在无锡太湖国际博览中心盛大启幕。作为国内半导体设备与核心部件领域风向标展会，聚焦设备零部件国产化、先进封装、量检测设备等产业热点。格蓝若精密将携国产自研主动减振系统、精密运动控制系统等多系列产品亮相展会，带来减振-运动控制协同优化完整解决方案，与行业同仁共同探讨国产精密零部件的落地路径。 01 主动减振系统：多元产品矩阵，赋能精密制造 格蓝若深耕高端精密装备底层减振领域，产品可实现0.5Hz以下的超低起始隔振，规避固有频率处振动放大问题，突破行业长期存在的共振峰抑制与低频隔振难以兼顾的痛点，整体性能跻身国际第一梯队，可全面替代海外主流品牌，实现高端减振产品国产化替代，补齐国内高端主动减振领域技术短板。 公司搭建完备的主动减振产品矩阵，拥有SFV、SFN、SFT、SST 等分腿系列及 PAD、FSD 一体式减振平台，合计60余款

随着AI大模型训练与推理需求持续爆发，算力芯片的性能瓶颈已从计算单元转向存储带宽，HBM高带宽内存成为制约高端AI硬件迭代的核心关键。在HotChips 2026国际高端芯片技术大会上，全球两大存储龙头三星、SK海力士集中披露了HBM4下一代技术演进路线，打破了行业沿用多年的HBM迭代逻辑。 相较于过往单纯提升DRAM速率与堆叠层数，新一代HBM4架构全面转向Base Die逻辑工艺升级、混合键合3D堆叠、EMIB异构混合封装三大创新方向。技术迭代的背后，是HBM从单一存储器件向“存储+逻辑+封装+IP+EDA”一体化系统的转型。 01 从颗粒提速到系统优化，HBM的演进逻辑发生切换 在此前HBM3、HBM3E的迭代周期中，行业技术升级逻辑相对固定，核心优化集中在DRAM存储颗粒本身，通过提升单颗粒传输速率、增加堆叠层数、优化微凸点互联结构，实现整体带宽的稳步提升。在此体系下，底部Base Die仅承担简单的信号转接、电源分配与测试辅助功能，充当被动信号桥梁角色。工艺架构长期沿用成熟存储衍生工艺，无需大规模迭代，整个HBM产品的技术壁垒与产能瓶颈，完全集中在DRAM制造环节。 但随着AI算力需求指数级增长，传统迭代模式的边际效应快速递减。超高带宽场景下，单纯提升DRAM速率会带来严重的信号串扰、功耗激增、时序偏移等问题，二维平面的优化已经无法适配超大算力负载。针对这一行业痛点，本届HotChips 2026大会上，三星与SK海力士同步释放全新技术思路，明确HBM4时代的核心突破点不再是存储颗粒，而是底层Base Die的系统性重构。 两大厂商在技术方案上形成明显差异化路线。三星在HotChips演讲中披露，其HBM4/HBM4E产品Base Die采用自家4nm逻辑工艺，CDie使用1c DRAM节点，引脚速率最高达到11.7Gbps，可向上拓展至13Gbps，单堆栈带宽可