据SIA报告显示，2022年全球半导体销售额创历史新高达到5740亿美元。尽管2022年下半年，半导体市场出现了周期性的低迷，但其全年的销售额相较2021年增长了3.3%。 近日，市调机构Gartner发布了全球以及中国大陆TOP25名半导体厂商的排名情况。最新的榜单排名中，我们可以看到半导体去年究竟发生了什么变化。 01 全球半导体TOP25榜单之变 一年之变 2021年前25名半导体厂商排名如下。整体来看，2022年全球半导体收入达到5991亿美元，仅同比微幅增长0.2%，排名前25半导体厂商总收入同比增长1.9%。 图片 图片 受到周期的影响，可以看到三星、SK 海力士、美光、铠侠、西部数据等存储厂商营收都出现了下滑，其中西部数据营收下降17%，当属存储厂商中下滑最高的企业。 从收入的涨跌幅来看，去年TOP 25中ADI的营收同比增长幅度最大，达到46%，ADI CEO Vincent Roche表示：“2022年成为ADI历史上最赚钱的一年。”ADI在工业、汽车和通信领域的B2B市场营收均创下纪录。 受益于嵌入式，数据中心和游戏业务的增长，涨幅第二名的是AMD，年增达到45%。实际上，营收的增长是由市占率增长带来的，据 Mercury Research 报告显示到2022年第四季度，AMD在CPU市场的市占率上升至31.3%，将近占市场的三分之一。 跌幅最大的公司是联咏，营收下滑达23%，其次是英特尔其营收下滑达20%。英特尔以PC业务为代表的客户运算事业群业务板块营收下滑23%；数据中心和人工智能业务板块下滑15%，仅仅这两大业务就让英特尔丢掉了135亿美元的营业额。由此来看，曾经开启了芯片行业全盛时代的英特尔，转型之路走的并不如意。 从排名上看，今年全球前五的半导体厂商分别是：三星、英特尔、高通、SK 海力士、美光。除了前两大厂商三星、英特尔排名不变外，高通从去

4月7日美国政府拨款2500万美元支持芯片代工厂格芯开发光量子计算机。4月14日英特尔与代尔夫特理工大学 (TU Delft) 在英特尔半导体制造工厂使用替代和先进工艺成功地在28 Si/28 SiO2界面上制造了量子点。4月19日荷兰政府将通过国家基金并动员其他私营部门机构，向该国光子集成电路（PIC）产业投入11亿欧元，推动本土企业发展。4月26日据外媒报道，由德国初创企业Q.ANT牵头，14家合作伙伴组成“PhoQuant”项目，目前正在开展可在常温下运行的光量子计算芯片研发。究竟是什么原因让各国纷纷投入光量子芯片的研发？近年来，光量子计算中兴起了一种使用光纤作为光量子的内存，进而用光量子内存来提升容错量子计算的量子比特数目的方法。随着集成电路技术逐渐接近原子极限，量子计算被认为是后摩尔时代最具潜力的破局者。相比经典电子计算机，量子计算可以提供指数级的算力提升，从而突破目前日益复杂的金融模型计算、生物医药、材料设计和人工智能等领域的算力瓶颈。今年2月，国防科技大学计算机学院QUANTA团队，联合军事科学院、中山大学等国内外单位，研发出一款新型可编程硅基光量子计算芯片，实现了多种图论问题的量子算法求解，被外界认为是绕开光刻机的办法之一，而美国却眼热要求技术共享。这种新型量子芯片虽然也是采用微纳加工工艺，但是主要是在单个芯片上集成大量光量子器件，由于生产原理的不同，所以可以绕开光刻机的限制。一旦光量子芯片成功商用，诸如7nm、5nm等制程工艺的研究将失去原有的意义，芯片制造领域也将迈进一个新的里程，我们将突破芯片制造被卡脖子的困境。光量子芯片的研发和制作，并不依赖西方的高端光刻机，一旦该技术研制成功，并且走向成熟，我们将彻底打破被西方卡脖子的局面。甚至在该领域，乃至未来全球的芯片市场，我们都能占据优势。量子领域重大突破的消息意味着，未来我国不仅将重点发展新型碳基芯片，还将

金刚石半导体，是新一轮焦点之一。 2025年10月9日，商务部与海关总署根据《中华人民共和国出口管制法》、《中华人民共和国对外贸易法》、《中华人民共和国海关法》、《中华人民共和国两用物项出口管制条例》，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，联合发布四项公告，对部分物项实施出口管制，金刚石就在其中。 事实上，金刚石早就是未来半导体市场的关注焦点。2022年，美国商务部工业和安全局（BIS）在联邦公报上发布了临时最终规定，对 4 项 “新兴和基础技术” 实施出口管制，其中两项正是氧化镓、金刚石这类超宽禁带半导体材料。 01 金刚石，未来半导体 目前，半导体材料已然发展到第四代。 第一代半导体材料主要是硅、锗；第二代半导体材料主要是砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）；第三代半导体材料主要是碳化硅（SiC)、氮化镓（GaN)。 第四代半导体材料是指具有极端禁带宽度的半导体材料，包括超宽禁带（UWBG）和超窄禁带（UNBG）两类。其中超宽禁带半导体材料的禁带宽度超过4 eV，能够承受高电压、高温、高辐射等恶劣环境，金刚石便属于其中一种，此外还有氧化镓、氮化铝等。超窄禁带半导体材料的禁带宽度低于 0.5 eV，能够实现低功耗、高灵敏度、高速率等优异性能，代表性的材料有锑化镓、砷化铟等。 金刚石禁带宽度约为5.5eV，是第四代材料性能最高的材料，被视为“终极半导体材料”，具备优异导热性能，是硅的13倍，适用于高频高功率高温电子器件。 当硅基半导体逼近“摩尔定律” 物理极限，第三代半导体材料成为产业突围的关键方向。而在碳化硅、氮化镓之后，金刚石半导体凭借 “超宽禁带、超高热导、超强耐压” 的三重特性，正在高功率、高频、极端环境等领域打开新的想象空间。 在高功率场景中，“散热” 与 “耐压” 是两大核心痛点 —— 传统硅器件在高电压、大电流下易发热失控，而碳化硅虽有提升，仍无法满足下

​2023年，国内碳化硅（SiC）衬底行业涌入大量的玩家，众多项目在全国各地落地，产能扩张达到空前规模。 据行业数据显示，2023年国内SiC衬底的折合6英寸销量已超过100万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。直至如今，6英寸SiC衬底的扩产动作仍在继续。 01 SiC产能，持续开出 不完全统计，中国大陆约有20余家SiC衬底企业，分别包括天岳先进、天科合达、东尼电子、烁科晶体、同光晶体、世纪金光、露笑科技等。 天岳先进上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。在此基础上，天岳先进在2023年下半年决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。 天科合达徐州SiC芯片二期项目于去年8月开工，项目总投资8.3亿元，达产后，可实现年产SiC衬底16万片。2023年12月28日，该项目已全面封顶，预计今年投产。2024年2月27日，由天科合达子公司深圳重投天科负责运营的第三代半导体SiC材料生产基地也在深圳宝安区启动，预计今年衬底和外延产能达25万片。 烁科晶体SiC二期项目今年顺利通过竣工验收，二期项目的建成，预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸SiC衬底的产能，其中包括N型SiC单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。 东尼电子的“年产12万片SiC半导体材料”项目于2023年上半年实施完毕。今年3月，湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见，此次本次公示的项目，则是在该募投项目上的进一步扩建。根据公告内容，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。 三安光电去年年底在投资者问答中表示，目前SiC产能在逐步