据SIA报告显示，2022年全球半导体销售额创历史新高达到5740亿美元。尽管2022年下半年，半导体市场出现了周期性的低迷，但其全年的销售额相较2021年增长了3.3%。 近日，市调机构Gartner发布了全球以及中国大陆TOP25名半导体厂商的排名情况。最新的榜单排名中，我们可以看到半导体去年究竟发生了什么变化。 01 全球半导体TOP25榜单之变 一年之变 2021年前25名半导体厂商排名如下。整体来看，2022年全球半导体收入达到5991亿美元，仅同比微幅增长0.2%，排名前25半导体厂商总收入同比增长1.9%。 图片 图片 受到周期的影响，可以看到三星、SK 海力士、美光、铠侠、西部数据等存储厂商营收都出现了下滑，其中西部数据营收下降17%，当属存储厂商中下滑最高的企业。 从收入的涨跌幅来看，去年TOP 25中ADI的营收同比增长幅度最大，达到46%，ADI CEO Vincent Roche表示：“2022年成为ADI历史上最赚钱的一年。”ADI在工业、汽车和通信领域的B2B市场营收均创下纪录。 受益于嵌入式，数据中心和游戏业务的增长，涨幅第二名的是AMD，年增达到45%。实际上，营收的增长是由市占率增长带来的，据 Mercury Research 报告显示到2022年第四季度，AMD在CPU市场的市占率上升至31.3%，将近占市场的三分之一。 跌幅最大的公司是联咏，营收下滑达23%，其次是英特尔其营收下滑达20%。英特尔以PC业务为代表的客户运算事业群业务板块营收下滑23%；数据中心和人工智能业务板块下滑15%，仅仅这两大业务就让英特尔丢掉了135亿美元的营业额。由此来看，曾经开启了芯片行业全盛时代的英特尔，转型之路走的并不如意。 从排名上看，今年全球前五的半导体厂商分别是：三星、英特尔、高通、SK 海力士、美光。除了前两大厂商三星、英特尔排名不变外，高通从去

4月7日美国政府拨款2500万美元支持芯片代工厂格芯开发光量子计算机。4月14日英特尔与代尔夫特理工大学 (TU Delft) 在英特尔半导体制造工厂使用替代和先进工艺成功地在28 Si/28 SiO2界面上制造了量子点。4月19日荷兰政府将通过国家基金并动员其他私营部门机构，向该国光子集成电路（PIC）产业投入11亿欧元，推动本土企业发展。4月26日据外媒报道，由德国初创企业Q.ANT牵头，14家合作伙伴组成“PhoQuant”项目，目前正在开展可在常温下运行的光量子计算芯片研发。究竟是什么原因让各国纷纷投入光量子芯片的研发？近年来，光量子计算中兴起了一种使用光纤作为光量子的内存，进而用光量子内存来提升容错量子计算的量子比特数目的方法。随着集成电路技术逐渐接近原子极限，量子计算被认为是后摩尔时代最具潜力的破局者。相比经典电子计算机，量子计算可以提供指数级的算力提升，从而突破目前日益复杂的金融模型计算、生物医药、材料设计和人工智能等领域的算力瓶颈。今年2月，国防科技大学计算机学院QUANTA团队，联合军事科学院、中山大学等国内外单位，研发出一款新型可编程硅基光量子计算芯片，实现了多种图论问题的量子算法求解，被外界认为是绕开光刻机的办法之一，而美国却眼热要求技术共享。这种新型量子芯片虽然也是采用微纳加工工艺，但是主要是在单个芯片上集成大量光量子器件，由于生产原理的不同，所以可以绕开光刻机的限制。一旦光量子芯片成功商用，诸如7nm、5nm等制程工艺的研究将失去原有的意义，芯片制造领域也将迈进一个新的里程，我们将突破芯片制造被卡脖子的困境。光量子芯片的研发和制作，并不依赖西方的高端光刻机，一旦该技术研制成功，并且走向成熟，我们将彻底打破被西方卡脖子的局面。甚至在该领域，乃至未来全球的芯片市场，我们都能占据优势。量子领域重大突破的消息意味着，未来我国不仅将重点发展新型碳基芯片，还将

金刚石半导体，是新一轮焦点之一。 2025年10月9日，商务部与海关总署根据《中华人民共和国出口管制法》、《中华人民共和国对外贸易法》、《中华人民共和国海关法》、《中华人民共和国两用物项出口管制条例》，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，联合发布四项公告，对部分物项实施出口管制，金刚石就在其中。 事实上，金刚石早就是未来半导体市场的关注焦点。2022年，美国商务部工业和安全局（BIS）在联邦公报上发布了临时最终规定，对 4 项 “新兴和基础技术” 实施出口管制，其中两项正是氧化镓、金刚石这类超宽禁带半导体材料。 01 金刚石，未来半导体 目前，半导体材料已然发展到第四代。 第一代半导体材料主要是硅、锗；第二代半导体材料主要是砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）；第三代半导体材料主要是碳化硅（SiC)、氮化镓（GaN)。 第四代半导体材料是指具有极端禁带宽度的半导体材料，包括超宽禁带（UWBG）和超窄禁带（UNBG）两类。其中超宽禁带半导体材料的禁带宽度超过4 eV，能够承受高电压、高温、高辐射等恶劣环境，金刚石便属于其中一种，此外还有氧化镓、氮化铝等。超窄禁带半导体材料的禁带宽度低于 0.5 eV，能够实现低功耗、高灵敏度、高速率等优异性能，代表性的材料有锑化镓、砷化铟等。 金刚石禁带宽度约为5.5eV，是第四代材料性能最高的材料，被视为“终极半导体材料”，具备优异导热性能，是硅的13倍，适用于高频高功率高温电子器件。 当硅基半导体逼近“摩尔定律” 物理极限，第三代半导体材料成为产业突围的关键方向。而在碳化硅、氮化镓之后，金刚石半导体凭借 “超宽禁带、超高热导、超强耐压” 的三重特性，正在高功率、高频、极端环境等领域打开新的想象空间。 在高功率场景中，“散热” 与 “耐压” 是两大核心痛点 —— 传统硅器件在高电压、大电流下易发热失控，而碳化硅虽有提升，仍无法满足下

​2023年，国内碳化硅（SiC）衬底行业涌入大量的玩家，众多项目在全国各地落地，产能扩张达到空前规模。 据行业数据显示，2023年国内SiC衬底的折合6英寸销量已超过100万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。直至如今，6英寸SiC衬底的扩产动作仍在继续。 01 SiC产能，持续开出 不完全统计，中国大陆约有20余家SiC衬底企业，分别包括天岳先进、天科合达、东尼电子、烁科晶体、同光晶体、世纪金光、露笑科技等。 天岳先进上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。在此基础上，天岳先进在2023年下半年决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。 天科合达徐州SiC芯片二期项目于去年8月开工，项目总投资8.3亿元，达产后，可实现年产SiC衬底16万片。2023年12月28日，该项目已全面封顶，预计今年投产。2024年2月27日，由天科合达子公司深圳重投天科负责运营的第三代半导体SiC材料生产基地也在深圳宝安区启动，预计今年衬底和外延产能达25万片。 烁科晶体SiC二期项目今年顺利通过竣工验收，二期项目的建成，预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸SiC衬底的产能，其中包括N型SiC单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。 东尼电子的“年产12万片SiC半导体材料”项目于2023年上半年实施完毕。今年3月，湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见，此次本次公示的项目，则是在该募投项目上的进一步扩建。根据公告内容，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。 三安光电去年年底在投资者问答中表示，目前SiC产能在逐步

2023开年到现在，全球晶圆代工业不见了过去3年的光辉，走入了低谷，整体表现萎靡不振，特别是上半年，霸主台积电的营收同样下滑明显，三星电子则更加惨淡。不过，进入6月以来，持续的低迷状态出现了一些变化，似乎有触底反弹的迹象。那么，今年下半年，全球晶圆代工业是否会重回往日辉煌呢 01 上半年表现 根据市场研调机构Susquehanna Financial Group研究，芯片交期（从订购到交付）在2022年12月缩短了8天，创下2017年以来最大月降幅，2022年12月芯片交期平均约为24周，较当年5月的峰值缩短了3周。 全球芯片业从供不应求转为供过于求。 进入2023年以后，更多电子产品制造商把重心放在了降低库存，与过去3年供应短缺的趋势截然不同，许多企业对投资者表示，由于经济疲软且消费者延后购物，预期企业营收将下滑，PC和智能手机等产品首当其冲。 今年1月，三星电子表示，第一季度难逃产业库存调整压力，晶圆代工业务产能利用率开始下降。不止三星，当时，全球晶圆代工厂产能利用率普遍下滑，联电产能利用率由先前满载降至70%左右，还传出有厂商部分产线产能利用率仅剩50%。 在当时行业不景气的大背景下，有报道称，为了刺激合作伙伴使用N3制程工艺，台积电考虑降低这些制程的报价，特别是，台积电的N3E工艺仅使用19层EUV掩模，并且在制造方面具有较低的复杂性，成本更低。台积电可以在不损害盈利能力的情况下降低N3E的报价。不过，台积电N3制程降价消息并未得到证实。 2月，焦点还在三星电子，该公司表示，行业库存调整导致其晶圆代工业务产能利用率下降。当时，业界指出，面对不利局面，三星以价格战抢单，希望借此挽回颓势，争取更多订单填补产能。 三星晶圆代工业务原本是以生产自家芯片为主，但在行业下景气的情况下，三星自家芯片需求大幅下滑，闲置产能大增，为了填补产能空缺，杀价抢单难以避免。据悉，三星针对晶圆

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自businesskorea 三星专注于提高良率，而SK海力士则专注于长期技术进步。 韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略，引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。 作为年终组织重组的一部分，三星电子在全球制造和基础设施总部下成立了一个新的工作组（TF）团队，名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提高超精细半导体制造（例如 3 纳米 代工厂）良率的努力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 设备管理，重点是提高光刻和跟踪设备的生产率。该团队的目标是最大限度地提高EUV光刻设备中使用的各种材料和组件的生产率，其中包括ASML独家供应的价值200亿美元的光刻机和东京电子的EUV轨道设备。 三星对 EUV 技术的承诺体现在其对 EUV 光刻机的大量投资。该公司已在其华城和平泽工厂购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上，对于生产更小、更复杂的半导体电路至关重要。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺，此后在提高其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工厂的良率方面面临挑战。 三星电子计划于2024年底至2025年初期间，在其华城园区安装首台来自ASML的High-NA EUV（极紫外光刻）光刻机。此举标志着三星在先进半导体制造技术领域的又一重大突破，旨在开发用于逻辑和DRAM的下一代制造技术。随着High-NA EUV光刻技术的引入，三星有望在提升芯片生产效率、降低生产成本的同时，进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。 为了充分利用High NA EUV技术，三星已与日本Lasertec公司展开合作，共同开发专门用于H

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自microcontrollertips 利用新兴光子解决方案扩展AI性能。 人工智能 (AI)和机器学习 (ML)不断突破传统半导体架构的极限。为了提高速度、降低延迟并优化高性能工作负载的功耗，半导体公司和研究机构正在开发基于光而不是电流原理运行的先进光子芯片。 本文讨论了传统半导体在 AI 和 ML 方面的局限性，例如冯·诺依曼瓶颈和摩尔定律的放缓。它探讨了工程师如何利用光子芯片实现效率和可扩展性，重点介绍了Lightmatter等公司以及麻省理工学院 (MIT)和清华大学等研究机构取得的进展。最后，它概述了Lightmatter如何通过基于云的高性能计算 (HPC)解决方案优化电子设计自动化 (EDA)工作负载。 传统半导体对人工智能的局限性 数据中心和智能边缘中的高性能 AI 和 ML 应用推动了对更快、更具可扩展性的芯片的需求。在数据中心，大量的训练数据集、大型语言模型 (LLM)和深度强化学习 (DRL)突破了计算能力和内存带宽的极限。在边缘，高级驾驶辅助系统 (ADAS)、可穿戴设备、医疗设备和工业 4.0基础设施需要越来越复杂的芯片，以便在更低功耗范围内实现快速实时推理（图 1）。 图 1. ADAS 处理复杂的 AI 工作负载，以实现边缘实时推理。来源：Fundacion Mapfre 同时，研究机构正在推进通用人工智能 (AGI)模型，以实现人类水平的认知能力。与创建新内容的生成式人工智能 (GenAI)或通过反复试验优化决策的 DRL 不同，AGI 将独立适应、学习并完成任务，而无需有针对性的预编程。 然而，人工智能的发展受到摩尔定律逐渐减弱、每个封装的硅面积有限以及先进计算系统不断增长的能源需求的制约。CMOS技术的物理限制（例如7nm以下节点的量子隧穿效应）进一步减缓了传统半导体的小型化和性能提升。

近期，关于美光（Micron Technology）裁员的消息不绝于耳。 虽然裁员潮席卷了全球IT业，但身处半导体行业的美光似乎吸引了更多媒体眼球，在一片裁员声浪中显得特别凸出。 先是传出美光将在2023年裁员10%，而最新消息显示，该公司的全球裁员规模将达到15%，共涉及7200人。 美光的这波全球裁员潮中，在中国台湾的操作更引人关注，据悉，该公司在台湾地区裁员350人，占该地区员工总数的5%。这些员工大多在位于台中的工厂工作。  值得注意的是，中国台湾“劳工局”表示，因为台积电等厂商有人力需求，美光的这350人恰好可以弥补台积电等晶圆厂的人力空缺，多数都已经找到新工作。 01 缺人仍是基本面 可见，台湾地区的半导体人才，特别是芯片制造类的人才还是比较短缺的，被裁的员工，多数很快就可以找到下家。由于人才供需总体处于紧张状态，即使在行业不景气的当下，台湾地区晶圆厂很少出现较大规模的裁员状况，美光则是因为受全球大宗存储器严重供过于求影响，不得不大规模裁员。相比于美光这样的IDM，晶圆代工厂的境况就要好很多，而台湾地区正是晶圆代工聚集地，对相关晶圆厂工人的需求量很大，具有很强的人才“消化”能力。 台湾地区的IC设计和封测业分居全球的第二和第一位，而晶圆代工业则以62%的市占率稳居全球第一。 据台湾地区104人力银行统计，半导体人才需求自2021年第一季度起持续创新高，平均每月缺口达2.6万人，2022年第一季度平均每月需求量已增至3.5万人，年增幅为9.8%。2022年第一季度“求供比”为3.4，也就是说，平均每位想进入半导体行业的求职者可分到3.4个工作机会，高于整体求职市场的1.58。 在产业链各环节，芯片制造人才缺口最大，2022年第一季度平均每月招募1.6万人，年增幅达36.3%。  02 兴建晶圆厂 台湾地区对芯片制造人才需求量如此之大，主要是因为

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自digitimes ASML的EUV技术还能走多远？ 荷兰半导体设备领导者ASML Holding NV 主导着极紫外 (EUV) 光刻技术，而这项技术是生产尖端半导体芯片的关键。随着行业向更小的节点迈进，以推动人工智能、5G 和下一代计算的发展。 一个问题是：ASML 的 EUV 技术还能走多远？ 根据Research and Markets、Future Market Insights数据，ASML控制着全球75%至80%的EUV光刻市场，其技术无人能及。ASML为所有主要芯片制造商（台积电、三星电子和英特尔）提供产品，实际上垄断了EUV系统领域，该领域贡献了其近四分之一的总收入。 2025年第一季度，ASML净销售额达77亿欧元（约合89亿美元），毛利率达54%，未完成订单达39亿欧元。预计全年销售额将达到300亿-350亿欧元，这主要得益于EUV系统需求的强劲增长以及市场对深紫外光刻设备日益增长的兴趣。 技术路线图：从标准EUV 到高数值孔径及更高水平 标准EUV（0.33 NA） 自2016 年首次亮相以来，ASML 的 0.33 NA EUV 系统（采用 13.5 纳米光刻技术）已实现 2 纳米节点的图案化步骤比 193 纳米浸没式光刻机更少。其结果是：更高的分辨率、更高的良率以及更低的制造复杂性。 高数值孔径EUV (0.5 NA) ASML 的高 NA EUV 系统（0.5 NA）目标是到 2029 年实现 1 纳米级节点的生产。据Tech in Asia和 TrendForce 指出，英特尔计划在其 14A 节点采用该系统，但台积电由于成本和复杂性而选择放弃 A16/A14。 高数值孔径EUV 需要光学、激光器和晶圆系统方面的重大进步。其较小的视场和较浅的焦深需要新的光刻胶、超平坦晶圆以及重新设计的掩模平台

晶圆厂价格升降一波未平一波又起，压力从上游传到下游，2022年寒气逼人，2023年第一季度已经画上了句号，三巨头短兵相接，刀刃见谁血？ 01 台积电：都不是事 台积电进入2023年持续展现出“红人体质”，始终处于风口浪尖，首先是依旧亮眼的成绩。 根据台积电财报，其2021年第一季度营收为3614.1亿新台币，同比增长16.7%，环比增长0.2%。同时，净利润为1397.39亿新台币（约合49.81亿美元），同比增长了19.4%，环比增长2.2%，Q1净利润率则为38.6%。 尽管成绩如此，但美国著名投资人沃伦·巴菲特旗下伯克希尔-哈撒韦公司继去年第四季度减持台积电ADR持股逾86%之后，最新申报文件显示，巴菲特今年第一季度已进一步出清剩下持股。目前，根据美国证券交易所（SEC）公布的文件，巴菲特旗下伯克希尔-哈撒韦公司持股台积电ADR持股，已经归零。 本来前段时间半导体“去台化”的言论甚嚣尘上，巴菲特又完全放弃持股，这究竟是为什么呢？巴菲特5月初曾在股东大会上称，台积电是一家很好的公司，“但不喜欢台积电所在的地点”，凸显其地缘政治考量。相比之下，他认为投资日本企业更适合。 对此种种，台积电的回应是：扩建、涨价，完全不在怕的。 2月，台积电计划在日本熊本县建立其第二座芯片制造厂，投资规模有望超过1万亿日元（约合74亿美元）。预计将于2030年前完工，或采用5纳米/10纳米制程。 3月，传出台积电预计在大陆工厂投资28亿美元，扩产28nm成熟工艺的芯片。 4月，台积电宣布将在德国建28nm工厂。此外台积电宣布扩大3nm芯片工厂的产能，将会在台湾省生产制造更多3nm制程的芯片。 同时，台积电宣布推出全新的海外芯片代工价格策略，不仅是美国、日本工厂会涨价，就连未来台积电设在德国的工厂，其代工价格也将长期处于高位。 台积电的涨价缘于多方要素的考虑。首先是3nm、4nm等先进制程需要大

4月，美国芯片制造商Wolfspeed在纽约建立了碳化硅芯片制造工厂。这是全球最大的碳化硅芯片工厂，占地面积6.3万平方公里，投资额达10亿美元。该厂将是美国首家生产200毫米碳化硅芯片的工厂。据TrendForce，全球碳化硅、氮化镓功率半导体市场预计2022年将达到18.4亿美元，2025年会进一步增长到52.9亿美元，成长非常迅猛。在今年18.4亿美元的市场中，碳化硅约占16亿美元，氮化镓约占2.5亿美元。跨越46亿年，碳化硅的应用之路据说，碳化硅在天然环境下非常罕见，最早是人们在46亿年前太阳系刚诞生的陨石中，发现了少量这种物质，所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。1891年，美国科学家艾奇逊就在做电熔金刚石实验时，偶然发现了一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，后来发现这种碳化物就是碳化硅。然而，对碳化硅的研究却拖后了百年。因为碳化硅晶体生长难度很大，需要在2300℃以上进行，生长速度也比较慢，加上过程难以调控、生长多型多、切割难度大等多种问题，对其研究进展一直很缓慢。直到上世纪九十年代初，以Cree为代表的美国等发达国家的公司才在技术上有所突破。三大优势助力碳化硅走向巅峰一直以来，硅是制造半导体芯片最常用的材料，目前90%以上的半导体产品是以硅为衬底制成的。究其原因，是硅的储备量大，成本比较低，并且制备比较简单。然而，硅在光电子领域和高频高功率器件方面的应用却受阻，且硅在高频下的工作性能较差，不适用于高压应用场景。这些限制让硅基功率器件已经渐渐难以满足5G基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。在这个背景下，碳化硅走到了聚光灯下。和传统的硅相比。碳化硅的使用极限性能优于硅，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅已应用于射频器件及功率器件。碳化硅耐高压。用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和