据SIA报告显示，2022年全球半导体销售额创历史新高达到5740亿美元。尽管2022年下半年，半导体市场出现了周期性的低迷，但其全年的销售额相较2021年增长了3.3%。 近日，市调机构Gartner发布了全球以及中国大陆TOP25名半导体厂商的排名情况。最新的榜单排名中，我们可以看到半导体去年究竟发生了什么变化。 01 全球半导体TOP25榜单之变 一年之变 2021年前25名半导体厂商排名如下。整体来看，2022年全球半导体收入达到5991亿美元，仅同比微幅增长0.2%，排名前25半导体厂商总收入同比增长1.9%。 图片 图片 受到周期的影响，可以看到三星、SK 海力士、美光、铠侠、西部数据等存储厂商营收都出现了下滑，其中西部数据营收下降17%，当属存储厂商中下滑最高的企业。 从收入的涨跌幅来看，去年TOP 25中ADI的营收同比增长幅度最大，达到46%，ADI CEO Vincent Roche表示：“2022年成为ADI历史上最赚钱的一年。”ADI在工业、汽车和通信领域的B2B市场营收均创下纪录。 受益于嵌入式，数据中心和游戏业务的增长，涨幅第二名的是AMD，年增达到45%。实际上，营收的增长是由市占率增长带来的，据 Mercury Research 报告显示到2022年第四季度，AMD在CPU市场的市占率上升至31.3%，将近占市场的三分之一。 跌幅最大的公司是联咏，营收下滑达23%，其次是英特尔其营收下滑达20%。英特尔以PC业务为代表的客户运算事业群业务板块营收下滑23%；数据中心和人工智能业务板块下滑15%，仅仅这两大业务就让英特尔丢掉了135亿美元的营业额。由此来看，曾经开启了芯片行业全盛时代的英特尔，转型之路走的并不如意。 从排名上看，今年全球前五的半导体厂商分别是：三星、英特尔、高通、SK 海力士、美光。除了前两大厂商三星、英特尔排名不变外，高通从去

2026年以来，MRAM不再是PPT里的“下一代存储器”。亚洲首个8nm eMRAM流片、搭载致真存储SOT-MRAM的无人机完成试飞、台积电1纳秒SOT-MRAM突破、全球首条8英寸磁性随机存储芯片产线在青岛建成等等，这些线索交汇，标志着MRAM产业化进入“临界点”。 01 MRAM的“2026时刻” 2026年，MRAM（磁阻式随机存储器）产业开始密集爆发，一条新型存储技术开始从实验室走向商业闭环。 事件一：亚洲首个8nm eMRAM AI芯片流片。寒序科技宣布其基于自研MRAM比特单元的AI芯片完成流片，采用“MRAM+SRAM”混合架构，支持20亿参数端侧大模型运行，能效比达到传统方案的2-3倍。这是亚洲首次在8nm先进制程上实现eMRAM的AI芯片工程化落地。 事件二：国产SOT-MRAM首次搭载无人机试飞成功。 致真存储自主研发的SOT-MRAM芯片搭载“天目山十三号”无人机完成试飞，在飞控系统中验证了非易失性、抗辐射、宽温域（-40℃~125℃）等特性。这是国产MRAM在低空经济领域的首次商用落地。 事件三：湖北MRAM存算一体芯片获央视《新闻联播》报道。该芯片是目前全球存储容量最大的MRAM存算一体芯片，功耗仅为同规格计算芯片的千分之一，将很快应用到智能摄像头等智慧城市场景中。 事件四：全球首条新一代磁性随机存储芯片产线在青岛建成。经测试，青岛海存微电子有限公司生产的该款芯片写入速度达数纳秒级，比目前主流闪存快上万倍，芯片支持-40°C 至125°C 宽工作温度范围，还具有抗辐照特性，主要性能指标达到全球领先水平。在省级科技计划项目的支持下，青岛海存微电子有限公司、北京航空航天大学等多家单位联合攻关成功。项目达产后，年产能达 4800万颗、产值突破 20亿元。 不难看出，MRAM产业化正从“技术突破”进入“场景落地”的新阶段。 02 三条路线的“三国杀”：S

金刚石半导体，是新一轮焦点之一。 2025年10月9日，商务部与海关总署根据《中华人民共和国出口管制法》、《中华人民共和国对外贸易法》、《中华人民共和国海关法》、《中华人民共和国两用物项出口管制条例》，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，联合发布四项公告，对部分物项实施出口管制，金刚石就在其中。 事实上，金刚石早就是未来半导体市场的关注焦点。2022年，美国商务部工业和安全局（BIS）在联邦公报上发布了临时最终规定，对 4 项 “新兴和基础技术” 实施出口管制，其中两项正是氧化镓、金刚石这类超宽禁带半导体材料。 01 金刚石，未来半导体 目前，半导体材料已然发展到第四代。 第一代半导体材料主要是硅、锗；第二代半导体材料主要是砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）；第三代半导体材料主要是碳化硅（SiC)、氮化镓（GaN)。 第四代半导体材料是指具有极端禁带宽度的半导体材料，包括超宽禁带（UWBG）和超窄禁带（UNBG）两类。其中超宽禁带半导体材料的禁带宽度超过4 eV，能够承受高电压、高温、高辐射等恶劣环境，金刚石便属于其中一种，此外还有氧化镓、氮化铝等。超窄禁带半导体材料的禁带宽度低于 0.5 eV，能够实现低功耗、高灵敏度、高速率等优异性能，代表性的材料有锑化镓、砷化铟等。 金刚石禁带宽度约为5.5eV，是第四代材料性能最高的材料，被视为“终极半导体材料”，具备优异导热性能，是硅的13倍，适用于高频高功率高温电子器件。 当硅基半导体逼近“摩尔定律” 物理极限，第三代半导体材料成为产业突围的关键方向。而在碳化硅、氮化镓之后，金刚石半导体凭借 “超宽禁带、超高热导、超强耐压” 的三重特性，正在高功率、高频、极端环境等领域打开新的想象空间。 在高功率场景中，“散热” 与 “耐压” 是两大核心痛点 —— 传统硅器件在高电压、大电流下易发热失控，而碳化硅虽有提升，仍无法满足下

​2023年，国内碳化硅（SiC）衬底行业涌入大量的玩家，众多项目在全国各地落地，产能扩张达到空前规模。 据行业数据显示，2023年国内SiC衬底的折合6英寸销量已超过100万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。直至如今，6英寸SiC衬底的扩产动作仍在继续。 01 SiC产能，持续开出 不完全统计，中国大陆约有20余家SiC衬底企业，分别包括天岳先进、天科合达、东尼电子、烁科晶体、同光晶体、世纪金光、露笑科技等。 天岳先进上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。在此基础上，天岳先进在2023年下半年决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。 天科合达徐州SiC芯片二期项目于去年8月开工，项目总投资8.3亿元，达产后，可实现年产SiC衬底16万片。2023年12月28日，该项目已全面封顶，预计今年投产。2024年2月27日，由天科合达子公司深圳重投天科负责运营的第三代半导体SiC材料生产基地也在深圳宝安区启动，预计今年衬底和外延产能达25万片。 烁科晶体SiC二期项目今年顺利通过竣工验收，二期项目的建成，预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸SiC衬底的产能，其中包括N型SiC单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。 东尼电子的“年产12万片SiC半导体材料”项目于2023年上半年实施完毕。今年3月，湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见，此次本次公示的项目，则是在该募投项目上的进一步扩建。根据公告内容，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。 三安光电去年年底在投资者问答中表示，目前SiC产能在逐步

1956 年，IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。 此后，随着科技的进步，内存技术逐渐发展。动态随机存取存储器（DRAM），具有较快的读写速度，能够满足计算机系统在运行过程中对数据的快速存取需求。固态硬盘（SSD）以其高速的读写性能、低功耗和抗震动等优点，逐渐取代传统磁盘成为主流存储设备之一。 存储技术仍旧在持续发展，近年来新型存储技术如雨后春笋般涌现，诸如相变存储器（PCM）、阻变存储器（RRAM）、磁变存储器（MRAM）、铁电存储器（FRAM/Feram）等。 01 MRAM的独特魅力 在介绍MARM前，我们先来简单了解一下新型的四种存储技术。 相变存储器（PCM）通过相变材料相态的变化获得不同的电阻值，以实现数据的存储。英特尔与美光联合研发的 3D XPoint 技术是其代表，英特尔将其冠名为傲腾（Optane），美光则称为 QuantX。 磁变存储器（MRAM）基于隧穿磁阻效应的技术，具有读写次数无限、写入速度快、功耗低、和逻辑芯片整合度高等特点。美国 Everspin 公司推出的 STT-MRAM是其代表产品。 阻变存储器（RRAM/ReRAM）利用阻变材料中导电通道的产生或关闭实现电阻变化。代表公司有美国 Crossbar、松下和昕原半导体等。 铁电存储器（FRAM/Feram）利用铁电材料的极化特性来存储数据，具有读写速度快、功耗低、非易失性等优点，在一些对读写速度和功耗要求较高的嵌入式系统中有应用。 在存储技术不断创新的浪潮中，磁性随机存储器（MRAM）作为一种新型存储技术脱颖而出。首先，它兼具非易失性和高速读写的特性。与传统的非易失性存储技术相比，MRAM的读写速度可以与内存相媲美，而又不像内存那样断电后数据