韩国存储芯片巨头SK海力士正加速推进其全球化资本布局。公司首席执行官郭鲁正近日明确表示，目标在2026年下半年实现美国存托凭证（ADR）上市，此举旨在扩大全球投资者基础，并为持续扩大的AI芯片产能筹集资金。
赴美上市的战略考量：估值重塑与资本对接
对于SK海力士而言，选择在美股发行ADR不仅是融资手段，更是一次估值体系的重塑。目前，SK海力士市盈率约为5.7倍，显著低于美国同行美光科技的12.1倍。在美国上市将使公司直接接入全球最大的科技股投资者群体，有助于缩小这一估值差距。
尤金资产管理公司首席投资官河硕根指出，一旦美国机构投资者能通过ADR直接参与AI基础设施投资主题，SK海力士在高带宽内存（HBM）领域的主导地位所应得的估值溢价，就能真正在股价中得以体现。此前，台积电ADR的成功经验已证明这一路径的有效性——其美股与台股之间曾出现超过30%的溢价。
百亿美元融资计划与产能扩张
市场消息显示，此次上市计划预计筹集10万亿至15万亿韩元（约合67亿至100亿美元）。这笔资金将主要用于两大方向：一是扩建韩国龙仁市的半导体产业集群，打造下一代AI半导体研发与制造基地；二是扩大高带宽内存（HBM）等核心产品的产能，以巩固与英伟达等AI算力巨头的供应链绑定。
SK海力士发言人回应称，包括发行ADR在内的多项提升股东价值的措施正在审议中，尚未做出最终决定。不过，公司已向多家投资银行发出招标邀请以筛选承销商，显示准备工作已在积极推进。
在推进上市的同时，SK海力士也在优化股东回报。公司今年已注销约1530万股库存股，价值约12.2万亿韩元。市场估算，潜在的ADR发行规模约占流通股的2.4%，与注销的库存股数量大致相当，这一安排被视为优化股权结构的配套举措。
大手笔设备采购加码技术壁垒
资本运作之外，SK海力士在技术投入上同样不遗余力。公司近期宣布斥资约11.95万亿韩元（约合79.7亿美元）向ASML采购极紫外（EUV）光刻设备，订单执行周期约两年，预计2027年底完成。这笔投资相当于公司2024年底总资产的近10%，是其为争夺AI内存主导权推进的最大规模设备采购之一。
SK海力士表示，采购的EUV设备将主要用于满足HBM等AI核心存储产品的产能需求，同时支持第六代（1c）DRAM制程的落地。公司计划到2027年再引进约20台EUV设备，届时其EUV机队规模将较当前翻倍。
SK集团会长崔泰源此前在英伟达GTC大会上明确表示，赴美上市是公司全球化战略的关键一步，将助力其吸引全球资本关注。在存储行业制程竞赛白热化的当下，从资本市场到技术研发的全方位布局，正成为头部厂商巩固护城河的必然选择。
