目前能够量产7nm及以上工艺芯片的厂商只有台积电和三星，二者的芯片代工技术已经将其他公司远远地甩在了身后，双方也是彼此唯一的竞争对手。
虽然当下，台积电全面领先三星，但事实上，三星已经找到了反超台积电的机会。
据悉，三星将会加大对3nm技术的投入，按照计划明年就可以进行量产。而且，在近日举办的国际固态电路会议上，三星就率先对外展示了自己代工的3nm制程工艺芯片，这是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的是，三星代工的3nm芯片不仅展示时间早于台积电，技术也更强。
三星的3nm芯片是采用MBCFEF技术，而台积电所使用的还是FinFET技术。这其中，FinFET技术已经在芯片上使用了将近10年时间，帮助芯片完成了从28nm工艺到5nm工艺的跨越。但要知道的是，5nm工艺已经是FinFET技术的所能适应的极限。事实上，最理想的情况是，在7nm技术时代就对FinFET技术进行过渡性升级。
5nm技术本应搭配更加先进的工艺，去年A14、麒麟9000等芯片相继出现功耗翻车，很大一部分原因就是FinFET技术无法支撑5nm工艺，导致芯片漏电率大幅提升。台积电在3nm技术上继续使用FinFET技术其实是承担了相当大风险。产品和自身口碑，都很可能迎来翻车。相比之下，三星则是做出了一个更加明智的选择。
以目前技术眼光来看，三星计划在3nm工艺上使用的MCBCFEF技术大概率就是FinFET技术的代替者。MBCFEF技术本质是GAAFET技术的一种，也就是下一代技术的一个分支选择。根据三星官方给出的数据显示，使用MBCFEF技术打造的3nm芯片相比上一代技术芯片，芯片晶体密度提升80%，性能和能效提升30%，功耗降低50%。
作为对比，台积电方面公布的FinFEF技术3nm工艺，相比上一代技术芯片，晶体密度提升70%，能效提升11%，功耗只降低了27%。可以看出，同样是3nm工艺，MBCFEF技术表现完胜FinFEF技术。
三星3nm工艺借助MBCFEF技术帮助，将可以有效控制芯片漏电以及功耗翻车问题。若是来年，台积电3nm芯片功耗短板变得更加明显。三星其实很有机会从台积电手中获得大客户订单。
而按照惯例，芯片技术大都是两年一更新，也就是说三星将有两年的技术领先时间。即便台积电当前优势明显，但两年也足够让三星改变芯片代工市场格局。
文/JING 审/QKF