4月29日，中国科学院上海光机所林楠团队在极紫外光刻（EUV）光源领域取得重大突破，成功开发出基于固体激光器的激光等离子体极紫外（LPP-EUV）光源，能量转换效率达3.42%，超越国际顶尖水平，打破西方技术垄断，为中国半导体产业叩开7纳米以下先进制程大门。
EUV技术：高端芯片制造的“金钥匙”
芯片是现代科技核心，EUV光刻技术是制造高端芯片的关键。其原理是利用13.5nm极紫外光，通过光刻系统将掩模版电路图案精确投影到硅片上。长期以来，EUV技术被国外垄断，荷兰ASML公司是全球唯一能生产商用EUV光刻机的企业。2019年美国实施出口管制后，ASML禁止向中国出售先进EUV光刻设备，制约中国高端芯片自主生产。
ASML技术路径与林楠团队创新
ASML技术路径
：光源系统采用激光轰击液态锡靶技术，效率仅0.02%；光学系统使用蔡司制造的多层镀膜反射镜，表面粗糙度0.1纳米以内，反射率70%；精密制造层面，套刻精度达1.1纳米，支持5纳米以下制程。
林楠团队技术路线
：采用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，通过优化激光峰值功率密度、改进激光脉冲控制算法和筛选靶材材料，实现光源能量转换效率重大突破。3.42%的效率超越国际顶尖水平，达到商用光源转化效率的一半。固体激光器体积小、电光转换效率高（目前可达千瓦级输出，未来有望达万瓦级），理论最大效率接近6%，有望成为新一代LPP-EUV光刻光源的驱动光源。
林楠的科研传奇
林楠师从诺贝尔物理学奖得主Anne L’Huillier，在荷兰ASML公司工作期间主导EUV光源研发核心项目。2021年，他放弃国外优厚待遇全职归国，组建先进光刻研究小组，全身心投入EUV光刻技术攻坚。目前，他已申请/授权国际专利110余项，多项专利实现产品转化。
“跟跑”到“领跑”：中国半导体产业的机遇与挑战
短期影响
：提振产业信心，国内企业有望摆脱对国外设备依赖，降低生产成本，提高产品竞争力。
长期影响
：带动整个半导体产业链协同发展，吸引优秀人才投身产业，形成良好人才培养和创新生态。
挑战
：尽管在光源上取得突破，但构建完整EUV生态系统仍是巨大挑战。中国在EUV光学元件、光刻胶、对准系统等关键领域仍依赖进口。
EUV光学元件
：上海光机所离子束抛光技术实现反射镜表面粗糙度低于0.1nm，接近ASML水平，但在镀膜材料和工艺方面仍有差距。
EUV光刻胶
：国产化率不足1%，日本垄断全球99%市场，国内在高端领域未取得突破，面临配方、原料纯度等难题。
对准系统
：中国电子科技集团研发的纳米级同步定位技术，同步误差控制在0.5nm以内，达到核心指标，但在整体集成和优化方面仍需努力。
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