据《韩国经济日报》报道，据报道，三星将于今年晚些时候收到其首款高数值孔径 （high-NA）EUV扫描仪——Twinscan EXE：5200B，随后将于 2026 年上半年推出第二台扫描仪。报告补充说，虽然该公司已经在其华城市园区运营了一种研究用途的高 NAEUV工具，但新系统将标志着其首次旨在大规模生产的收购。
报告指出，竞争对手台积电目前正在测试该系统的研发版本，但尚未将其部署用于商业规模制造。报道援引消息人士的话称，SK海力士在9月份证实已经订购了生产级高NAEUV系统。
据报道援引消息人士透露，三星计划使用其高数值孔径 EUV 机器进行 2nm 代工生产，该工厂将生产 Exynos 2600 AP 和特斯拉的下一代 AI 芯片。报告补充说，这些工具还将支持该公司未来的垂直通道晶体管 （VCT） DRAM——高性能、低功耗存储器，预计将于 2027 年左右投入量产。
该公司正在为这两台机器投资 1.1 万亿韩元（7.73 亿美元）。正如报告所强调的那样，高数值孔径系统可以比当前的 EUV 工具精细约 1.7 倍的电路图案化，这要归功于其升级的数值孔径（表示镜头捕获光线效率的指标），该孔径已从 0.33 增加到 0.55。
台积电和英特尔的高数孔径EUV部署计划
正如《中央报》所指出的，台积电打算通过 2nm 节点使用其当前的 EUV 工具，并从 1.4nm 工艺开始整合高 NA EUV 系统。与此同时，据报道，英特尔正在将其高 NA EUV 机器的订单从ASML扩大到两台，据 Wccftech 称。该报告补充说，该公司正在加大对这家荷兰芯片制造商先进光刻工具的投资，因为它“全力以赴”其 14A 工艺。正如 BITS & CHIPS 所指出的那样，该工艺的风险生产计划于 2027 年进行，而大批量生产预计将于 2028 年进行。
