据消息，全球存储芯片巨头SK海力士位于韩国清州的M15X芯片厂将比原计划提前四个月投入量产。该工厂原定于2026年6月启动生产，现调整至2026年2月即可量产用于高带宽内存HBM4的核心组件1b DRAM晶圆，初期月产能约1万片，预计到2026年底将实现数倍产能扩张。
技术验证与客户合作同步推进
目前SK海力士已完成1b HBM4工艺，采用改进型电路的HBM4晶圆将于2025年底完成制造，并计划在2026年1月初向英伟达交付12层HBM4内存的终样品。值得注意的是，该工厂专为配合英伟达下一代Rubin AI加速器设计，SK海力士早在2025年9月便完成客户验证样品制作，目前已进入终优化阶段。相较之下，三星电子虽已送出HBM4样品，但测试进度稍显滞后，而美光则宣布HBM4产能已全部售罄。
AI浪潮驱动存储产业变革
此次产能提速的背景是AI服务器需求的爆发式增长。随着英伟达、谷歌、亚马逊等科技巨头大幅上调2026年HBM3E订单，存储芯片供应持续紧缺。SK海力士通过提前布局HBM4产线，不仅缓解当前HBM3E产能不足的困境，更在下一代存储技术竞争中占据先发优势。行业数据显示，HBM3E价格已上调近20%，而HBM4将成为2026年AI芯片性能突破的关键支撑。
产业链协同效应显现
HBM4的量产加速将进一步带动上游产业链升级，特别是PCB（印刷电路板）产业将迎来"高频、高功耗、高密度"的三高时代。随着Rubin平台采用无缆化设计，PCB层数、工艺复杂度及功能集成度将持续提升，单台服务器PCB价值量有望实现倍增。产业界预计，2026年将成为存储芯片与配套供应链的爆发元年，从材料、制造到终端应用的完整生态链正在AI大时代背景下重构格局。
