国家知识产权局信息显示，比亚迪股份有限公司;比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器”的专利，公开号CN121240561A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器，属于光电技术领域。单光子雪崩二极管的外延层被设置为第一导电类型，外延层包括相对的第一表面和第二表面，外延层包括被设置为第二导电类型的第一接触区，以及被设置为第一导电类型的第二接触区，第一接触区和第二接触区均设置于第一表面，外延层还包括倍增结，倍增结设置于第二接触区靠近第二表面的一侧，外延层还包括被设置为第二导电类型的第一阱区，第一阱区设置于倍增结远离第一表面的一侧。第一电极与第一接触区电接触。第二电极与第二接触区电接触。第一阱区的设置可以有效拓展耗尽区的范围并使得耗尽区在倍增结下方收缩，有利于改善时间抖动特性、提高光子检测效率。
天眼查资料显示，比亚迪股份有限公司，成立于1995年，位于深圳市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本911719.7565万人民币。通过天眼查大数据分析，比亚迪股份有限公司共对外投资了108家企业，参与招投标项目1010次，财产线索方面有商标信息1820条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可154个。
比亚迪半导体股份有限公司，成立于2004年，位于深圳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本45621.8756万人民币。通过天眼查大数据分析，比亚迪半导体股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目511次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息1474条，此外企业还拥有行政许可109个。
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