三星、SK海力士将既有产能全力冲刺生产高端DRAM及高频宽存储（HBM），大举排挤NAND Flash产出，两大厂今年同步削减NAND芯片产量。
三星电子计划今年累计投入468万片NAND晶圆，2025年是490万片；SK海力士今年产能规模为170万片，2025年是190万片。总计两大厂今年NAND芯片产出量由去年的680万片降至约638万片，全球NAND芯片供给结构性缺口将因此扩大约3%至4%，将使得NAND芯片市场持续供不应求，价格涨势延续。
业界分析，现阶段NAND芯片供给吃紧，高端存储市场更火热、价格更好，由于NAND芯片与DRAM产能可互相转换“三星、SK海力士并非不想赚NAND市场缺货财，而是高端DRAM更好赚，惟两大厂并无多余产能可调配，在利益最大化的前提下，只能把相对赚得少的NAND芯片产能转换成生产高端DRAM，这样赚更多。”
随着三星、SK海力士推进减产，加上AI推理应用持续扩大，数据中心对高容量SSD与储存资源需求同步升温，NAND芯片逐步从消费性零组件，转为AI基础建设的一环，业界正向看待将推升NAND芯片报价继续上涨，其中又以企业级NAND为涨价主力。
闪迪传出将在3月调涨企业级NAND，单季涨幅可能超过100%，并要求客户以全额现金预付方式签订长期供货合约。尽管条款严苛，但面对AI基础设施建设对存储设备的刚性需求，部分云服务供应商（CSP）正在考虑接受这一条件，以规避未来的断供风险。
虽然目前尚不清楚企业级产品价格翻倍将在多大程度上波及消费级市场，但有机构称，由于智能手机和PC使用的3D NAND与企业级芯片产自同一晶圆厂，通常情况下，消费级产品价格会跟随企业级产品上涨。
机构对NAND涨幅的的预测也在30%-50%。TrendForce最新调查显示，NAND Flash则因原厂控管产能，和服务器强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价持续上涨33-38%。
摩根士丹利研究报告指出，由于常规NAND Flash供应大幅缩减，MLC与SLC NAND一季度价格涨幅将超50%，高密度SLC NAND价格涨势也将在同期跟进。
