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2021-11-23
$富途控股(FUTU)$
Q4财报是今天宣布吗?
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2021-07-14
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EUV光刻机的全球战争
EUV光刻机已经成为芯片制造的支柱,台积电和三星等晶圆厂这几年不断追逐5nm和3nm等先进工艺,本身就是EUV光刻机采购大户,再加上现在这几大晶圆厂纷纷扩产建厂,无疑又加大了对EUV光刻机的需求。 而
EUV光刻机的全球战争
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2021-07-14
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@独立分析师:
$高途(GOTU)$高途昨日冲高回落,5日线继续压制股价,今天在一些利好的刺激下,高途有望突破12元,进入11元区间。很多被高途深套的股民,还是把A股的“毛病”带到了美股上,A股被套了就是死不割肉,结果被套牢。做美股也要止损思维,制定操盘纪律:亏损10%,坚决止损换股,绝不再碰止损股。照此纪律,大部分高途的股民,还是建议止损,现在美股大好的行情,不要在高途上浪费时间浪费机会了。
$高途(GOTU)$高途昨日冲高回落,5日线继续压制股价,今天在一些利好的刺激下,高途有望突破12元,进入11元区间。很多被高途深套的股民,还是把A股的“毛病”带到了美股上,A股被套了就是死不割肉,结果被套牢。做美股也要止损思维,制定操盘纪律:亏损10%,坚决止损换股,绝不再碰止损股。照此纪律,大部分高途的股民,还是建议止损,现在美股大好的行情,不要在高途上浪费时间浪费机会了。
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2021-07-04
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2021-07-02
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2021-07-01
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券商7月金股出炉!哪些个股收获点名最多?
机构指出,7月指数将持续震荡,随着中报行情展开,业绩为王,高景气成长是最小阻力方向,主题机会关注旺季线索。 6月A股市场呈现窄幅震荡走势,科技股热点贯穿全月,7月如何寻找机会?截至6月30日,有14
券商7月金股出炉!哪些个股收获点名最多?
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2021-06-30
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美联储笔记:美国加息是否会影响新兴市场经济体稳定?
美联储近日公布最新笔记,分析了美国货币政策对新兴市场的金融溢出效应。相关研究结果帮助解释了最近几个月美国国债收益率的上升对新兴市场经济体金融状况的影响为何相当温和:因为收益率上升似乎主要是受到美国增长
美联储笔记:美国加息是否会影响新兴市场经济体稳定?
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tg-width=\"1000\" tg-height=\"473\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>图源:Mizuho证券股票研究估计</p>\n<p>据了解,<b>只有那些7nm或以下的晶圆厂才真正需要基于 EUV光刻机。</b>而英特尔在3月份宣布,将从2023年开始使用其7nm工艺制造用于客户端PC和高端服务器(开发代号为Meteor Lake和Granite Rapids)的处理器。</p>\n<p>英特尔将斥资200亿美元在亚利桑那州建立两个领先的制造工厂,这将是“EUV能力”,这意味着他们将能够生产7nm及以下的芯片。通过引入EUV光刻技术,同时将制造外包给台积电来争取时间,这似乎是试图重建公司内部开发和制造体系的尝试。</p>\n<p>而在日前参加<a href=\"https://laohu8.com/S/JPM\">摩根大通</a>的会议时,CEO基辛格又表示,英特尔将全面拥抱EUV光刻工艺,大家能够看到英特尔对EUV工艺进行多代重大改进,也能看到晶体管级别的重大改进。这也是因为英特尔来到7nm之后,将有更多晶圆(芯片中的层)使用EUV进行曝光。而目前只有十几个最关键的层使用EUV进行曝光,这就是英特尔“全面拥抱EUV”的意思。</p>\n<p><b>台积电和三星两家一直在追逐先进工艺,在EUV光刻机上的布局要多于英特尔。</b>而且台积电和三星均将在美国建厂,这些工厂也都需要EUV光刻机。</p>\n<p>据wccftech的报道,台积电的洁净室供应商江西汉唐系统集成有限公司在4月份发表的声明中,提供了有关台积电美国芯片厂设备进展的一些初步细节。该工厂将建在亚利桑那州,也是英特尔的所在地。汉唐董事长陈朝水概述了该工厂的合同将于7月完成,设备安装将于明年9月开始。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/629dd49b5c31e5a1a9589d7d2bb1d3ee\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"559\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>台积电在上个月的技术研讨会上分享了其亚利桑那工厂的渲染图。图片:台积电</p>\n<p>Fanuan System Technology是台积电为荷兰ASML极紫外(EUV)光刻机生产组件的合作伙伴,该公司也将派工程师前往亚利桑那州,预计该工厂的营收将从明年第三季度开始,这家工厂应该也要采购EUV光刻机。根据台积电上个月在其技术研讨会上分享的详细信息,该晶圆厂在全球拥有所有这些机器的一半,并负责去年所有基于EUV的芯片的 65%的出货量。</p>\n<p>今年5月,据韩国媒体报道,<a href=\"https://laohu8.com/S/SSNLF\">三星电子</a>已决定在德克萨斯州奥斯汀建设EUV半导体晶圆厂,这将是该公司首次在韩国以外的国家拥有EUV生产线。该公司做出这一决定是为了满足对更小的芯片日益增长的需求以及拜登总统重组该国半导体供应链的计划。公司计划今年第三季度破土动工,2024年开始运营,据悉该厂将采用5nm工艺。该工艺是<a href=\"https://laohu8.com/S/SMSD.UK\">三星电子</a>迄今为止商业化的最先进工艺。</p>\n<p>此外,三星电子李在镕去年10月访问了ASML,显然是为了获得EUV光刻机。而就在今年5月,ASML与韩国中央和地方政府签署了一份协议,将投资2400亿韩元(2.11亿美元),到 2025 年在京畿道华城建立EUV产业集群。</p>\n<p>随着英特尔开始全面拥抱EUV光刻机,EUV光刻机的抢夺将更加白热化。<b>虽然ASML 正在扩大生产,但到目前为止,他们只出货了100多台EUV机器,这是另一个潜在的瓶颈。</b></p>\n<p>存储厂商也来到EUV光刻机时代</p>\n<p>过往,逻辑厂商在工艺上一直处于先进地位,也是使用EUV光刻机的大户。但是现在存储厂商的发展也来到了使用EUV光刻机阶段。</p>\n<p>此前一直表示不会采用EUV光刻的美光,也扛不住来到了EUV光刻时代,近日据韩媒报道,美光计划到 2024 在其制造工厂中实施极紫外(EUV)光刻,在1γ(Gamma)节点的有限的层数中部署EUV,然后会将其扩展到具有更大层采用率的1δ(Delta)节点。旨在通过允许制造更小的芯片特征来保持摩尔定律的存在。</p>\n<p>美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在公司2021财年第三季度财报电话会议上表示:“我们一直说我们会监控EUV的进展。我们实际上参与了EUV评估。我们过去使用过EUV工具。所以我们一直说,当我们看到EUV平台以及生态系统变得更加成熟时,我们将在我们的路线图中使用EUV。美光已从ASML订购了多种 EUV工具。”Mehrotra证实。美光已将2021财年的资本支出增加到略高于95亿美元,其中就包含这些EUV的预付款。</p>\n<p>2021年2月1日,SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂,它于2年前开始建造,位于京畿道利川园区的晶圆厂名为M16,是该公司最大的晶圆厂。SK海力士首次为M16引进了EUV光刻设备。SK海力士计划使用尖端设备从今年下半年开始生产第四代10纳米DRAM产品,即1a-nm DRAM。</p>\n<p>除此之外,SK海力士已与ASML签署了一份价值4.75万亿韩元(43亿美元)的5年合同,以采购极紫外光刻系统,按照最先进的EUV曝光设备预计每台约200亿日元,本次合同金额为采购20台以上的规模(支付金额包括安装费用等)。</p>\n<p>去年年初,三星电子宣布全球首次开发基于 ArF-i 的D1z DRAM和分别应用其EUVL光刻的 D1z DRAM。今年2月份,三星电子基于极紫外光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已经完成了量产。半导体分析机构TechInsights拆解了采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM,它认为该技术提升了三星的生产效率,并减小了DRAM的核心尺寸。</p>\n<p><b>DRAM单元尺寸和D/R缩放最近越来越难,但三星将D1z的D/R降低到15.7 nm,</b>比D1y缩小了8.2%。据了解,三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1e8bf932b5a6b420454d1ce2811dc991\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星 DRAM 单元尺寸趋势,D3x到 D1z(图源:TechInsights)</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/3800c06aab38dedd6e033e3eeed05cd8\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星DRAM单元D/R趋势,D3x到 D1z(图源:TechInsights)</p>\n<p>至此,存储三巨头三星、SK海力士、美光都已加码投资EUV光刻机,EUV光刻机需求不断增加,而ASML的产能有限,预计各家公司将竞相采购设备。</p>\n<p>“千呼万唤”的下一代EUV光刻机</p>\n<p>多年来,芯片制造商使用基于光学的193nm波长光刻扫描仪来对芯片中最先进的功能进行图案化。通过多重图案化,芯片制造商已将193纳米光刻技术扩展到10或7纳米。<b>但是在5nm处,当前的光刻技术已经失去动力。</b>所以EUV光刻机就被推上历史舞台,这将NA(breaking index)从大约1.0提高到大约1.35纳米。</p>\n<p>ASML的EUV光刻机目前使用的还是第一代,EUV光源波长在13.5nm左右,物镜的NA数值孔径是0.33,发展了一系列型号。但是,现在第一代的EUV光刻机的NA指标太低,解析度不够。所以在第一代EUV光刻机你争我抢的局面下,下一代光刻机也在被呼唤。</p>\n<p>在ASML的规划中,第二代EUV光刻机的型号将是NXE:5000系列,其物镜的NA将提升到0.55,进一步提高光刻精度,<b>半导体工艺想要突破1nm制程,就必须靠下一代光刻机。</b>不过这也将更加昂贵,其成本超过一架飞机,预计成本超过3亿美元。</p>\n<p>但下一代high-NA EUV的演进却不是那么容易,未来工艺节点向高数值孔径(“high NA”)光刻的过渡不仅需要来自系统供应商(例如 ASML)的巨大工程创新,<b>还需要对合适的光刻胶材料进行高级开发。</b>EUV光刻演化的一个经常被低估的方面是相应光刻胶材料的相应开发工作,寻找合适的光刻胶必须与系统开发同时进行。(详细的技术细节请查看《下一代的EUV光刻,准备好了吗?》)</p>\n<p>High-NA EUV光刻系统将始于N2、N2+技术节点,ASML预计将在2022年完成第一台High-NA EUV光刻机系统的验证,并计划在2023年交付给客户。ASML宣布,它现在预计High-NA设备将在 2025 年或2026年(由其客户)进入商业量产。如三星、台积电和英特尔等的客户们也一直呼吁开发High-NA 生态系统以避免延误。</p>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>EUV光刻机的全球战争</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 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class=\"title\">\nEUV光刻机的全球战争\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n<a class=\"head\" href=\"https://laohu8.com/wemedia/1099700132\">\n\n\n<div class=\"h-thumb\" style=\"background-image:url(https://static.tigerbbs.com/705285f8deea4d7b8e48df7848a67868);background-size:cover;\"></div>\n\n<div class=\"h-content\">\n<p class=\"h-name\">半导体行业观察 </p>\n<p class=\"h-time\">2021-07-14 14:15</p>\n</div>\n\n</a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<p>EUV光刻机已经成为芯片制造的支柱,<a href=\"https://laohu8.com/S/TSM\">台积电</a>和<a href=\"https://laohu8.com/S/SMSN.UK\">三星</a>等晶圆厂这几年不断追逐5nm和3nm等先进工艺,本身就是EUV光刻机采购大户,再加上现在这几大晶圆厂纷纷扩产建厂,无疑又加大了对EUV光刻机的需求。</p>\n<p>而现在除了晶圆厂等逻辑厂商之外,存储厂商也逐渐来到光刻机采用阶段,甚至与ASML签下多年的大单。</p>\n<p>EUV光刻机的争夺战,逐渐白热化。</p>\n<p>晶圆厂拥抱EUV光刻机,<a href=\"https://laohu8.com/S/INTC\">英特尔</a>加倍重视</p>\n<p>多个研究表明,在三大晶圆厂中,英特尔迄今为止购买的EUV工具相对较少,并且尚未开始购买这些极其昂贵、交货时间非常长、供应受限的系统。</p>\n<p>据Mizuho Securities Asia Limited的一份关于ASML的报告,其预测了EUV客户台积电、三星、英特尔的购买情况,如下图所示,相对来说,英特尔处于落后地位,这与其在工艺节点的落后有关。</p>\n<p>ASML宣布,其在 2020 年出货了31台EUV工具。虽然这表明EUV现已达到成熟,但仍低于其 35 台出货计划。然而,未能达标的部分原因是英特尔有据可查的7nm延迟:这减少了ASML四个单位的出货量。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6e8df9f8b235b235e626f32d6da043c6\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"473\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>图源:Mizuho证券股票研究估计</p>\n<p>据了解,<b>只有那些7nm或以下的晶圆厂才真正需要基于 EUV光刻机。</b>而英特尔在3月份宣布,将从2023年开始使用其7nm工艺制造用于客户端PC和高端服务器(开发代号为Meteor Lake和Granite Rapids)的处理器。</p>\n<p>英特尔将斥资200亿美元在亚利桑那州建立两个领先的制造工厂,这将是“EUV能力”,这意味着他们将能够生产7nm及以下的芯片。通过引入EUV光刻技术,同时将制造外包给台积电来争取时间,这似乎是试图重建公司内部开发和制造体系的尝试。</p>\n<p>而在日前参加<a href=\"https://laohu8.com/S/JPM\">摩根大通</a>的会议时,CEO基辛格又表示,英特尔将全面拥抱EUV光刻工艺,大家能够看到英特尔对EUV工艺进行多代重大改进,也能看到晶体管级别的重大改进。这也是因为英特尔来到7nm之后,将有更多晶圆(芯片中的层)使用EUV进行曝光。而目前只有十几个最关键的层使用EUV进行曝光,这就是英特尔“全面拥抱EUV”的意思。</p>\n<p><b>台积电和三星两家一直在追逐先进工艺,在EUV光刻机上的布局要多于英特尔。</b>而且台积电和三星均将在美国建厂,这些工厂也都需要EUV光刻机。</p>\n<p>据wccftech的报道,台积电的洁净室供应商江西汉唐系统集成有限公司在4月份发表的声明中,提供了有关台积电美国芯片厂设备进展的一些初步细节。该工厂将建在亚利桑那州,也是英特尔的所在地。汉唐董事长陈朝水概述了该工厂的合同将于7月完成,设备安装将于明年9月开始。</p>\n<p><img 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正在扩大生产,但到目前为止,他们只出货了100多台EUV机器,这是另一个潜在的瓶颈。</b></p>\n<p>存储厂商也来到EUV光刻机时代</p>\n<p>过往,逻辑厂商在工艺上一直处于先进地位,也是使用EUV光刻机的大户。但是现在存储厂商的发展也来到了使用EUV光刻机阶段。</p>\n<p>此前一直表示不会采用EUV光刻的美光,也扛不住来到了EUV光刻时代,近日据韩媒报道,美光计划到 2024 在其制造工厂中实施极紫外(EUV)光刻,在1γ(Gamma)节点的有限的层数中部署EUV,然后会将其扩展到具有更大层采用率的1δ(Delta)节点。旨在通过允许制造更小的芯片特征来保持摩尔定律的存在。</p>\n<p>美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在公司2021财年第三季度财报电话会议上表示:“我们一直说我们会监控EUV的进展。我们实际上参与了EUV评估。我们过去使用过EUV工具。所以我们一直说,当我们看到EUV平台以及生态系统变得更加成熟时,我们将在我们的路线图中使用EUV。美光已从ASML订购了多种 EUV工具。”Mehrotra证实。美光已将2021财年的资本支出增加到略高于95亿美元,其中就包含这些EUV的预付款。</p>\n<p>2021年2月1日,SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂,它于2年前开始建造,位于京畿道利川园区的晶圆厂名为M16,是该公司最大的晶圆厂。SK海力士首次为M16引进了EUV光刻设备。SK海力士计划使用尖端设备从今年下半年开始生产第四代10纳米DRAM产品,即1a-nm DRAM。</p>\n<p>除此之外,SK海力士已与ASML签署了一份价值4.75万亿韩元(43亿美元)的5年合同,以采购极紫外光刻系统,按照最先进的EUV曝光设备预计每台约200亿日元,本次合同金额为采购20台以上的规模(支付金额包括安装费用等)。</p>\n<p>去年年初,三星电子宣布全球首次开发基于 ArF-i 的D1z DRAM和分别应用其EUVL光刻的 D1z DRAM。今年2月份,三星电子基于极紫外光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已经完成了量产。半导体分析机构TechInsights拆解了采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM,它认为该技术提升了三星的生产效率,并减小了DRAM的核心尺寸。</p>\n<p><b>DRAM单元尺寸和D/R缩放最近越来越难,但三星将D1z的D/R降低到15.7 nm,</b>比D1y缩小了8.2%。据了解,三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1e8bf932b5a6b420454d1ce2811dc991\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星 DRAM 单元尺寸趋势,D3x到 D1z(图源:TechInsights)</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/3800c06aab38dedd6e033e3eeed05cd8\" tg-width=\"640\" tg-height=\"331\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>三星DRAM单元D/R趋势,D3x到 D1z(图源:TechInsights)</p>\n<p>至此,存储三巨头三星、SK海力士、美光都已加码投资EUV光刻机,EUV光刻机需求不断增加,而ASML的产能有限,预计各家公司将竞相采购设备。</p>\n<p>“千呼万唤”的下一代EUV光刻机</p>\n<p>多年来,芯片制造商使用基于光学的193nm波长光刻扫描仪来对芯片中最先进的功能进行图案化。通过多重图案化,芯片制造商已将193纳米光刻技术扩展到10或7纳米。<b>但是在5nm处,当前的光刻技术已经失去动力。</b>所以EUV光刻机就被推上历史舞台,这将NA(breaking index)从大约1.0提高到大约1.35纳米。</p>\n<p>ASML的EUV光刻机目前使用的还是第一代,EUV光源波长在13.5nm左右,物镜的NA数值孔径是0.33,发展了一系列型号。但是,现在第一代的EUV光刻机的NA指标太低,解析度不够。所以在第一代EUV光刻机你争我抢的局面下,下一代光刻机也在被呼唤。</p>\n<p>在ASML的规划中,第二代EUV光刻机的型号将是NXE:5000系列,其物镜的NA将提升到0.55,进一步提高光刻精度,<b>半导体工艺想要突破1nm制程,就必须靠下一代光刻机。</b>不过这也将更加昂贵,其成本超过一架飞机,预计成本超过3亿美元。</p>\n<p>但下一代high-NA EUV的演进却不是那么容易,未来工艺节点向高数值孔径(“high NA”)光刻的过渡不仅需要来自系统供应商(例如 ASML)的巨大工程创新,<b>还需要对合适的光刻胶材料进行高级开发。</b>EUV光刻演化的一个经常被低估的方面是相应光刻胶材料的相应开发工作,寻找合适的光刻胶必须与系统开发同时进行。(详细的技术细节请查看《下一代的EUV光刻,准备好了吗?》)</p>\n<p>High-NA EUV光刻系统将始于N2、N2+技术节点,ASML预计将在2022年完成第一台High-NA EUV光刻机系统的验证,并计划在2023年交付给客户。ASML宣布,它现在预计High-NA设备将在 2025 年或2026年(由其客户)进入商业量产。如三星、台积电和英特尔等的客户们也一直呼吁开发High-NA 生态系统以避免延误。</p>\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"https://static.tigerbbs.com/629dd49b5c31e5a1a9589d7d2bb1d3ee","relate_stocks":{"TSM":"台积电","EWT":"台湾ETF-iShares 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Rapids)的处理器。\n英特尔将斥资200亿美元在亚利桑那州建立两个领先的制造工厂,这将是“EUV能力”,这意味着他们将能够生产7nm及以下的芯片。通过引入EUV光刻技术,同时将制造外包给台积电来争取时间,这似乎是试图重建公司内部开发和制造体系的尝试。\n而在日前参加摩根大通的会议时,CEO基辛格又表示,英特尔将全面拥抱EUV光刻工艺,大家能够看到英特尔对EUV工艺进行多代重大改进,也能看到晶体管级别的重大改进。这也是因为英特尔来到7nm之后,将有更多晶圆(芯片中的层)使用EUV进行曝光。而目前只有十几个最关键的层使用EUV进行曝光,这就是英特尔“全面拥抱EUV”的意思。\n台积电和三星两家一直在追逐先进工艺,在EUV光刻机上的布局要多于英特尔。而且台积电和三星均将在美国建厂,这些工厂也都需要EUV光刻机。\n据wccftech的报道,台积电的洁净室供应商江西汉唐系统集成有限公司在4月份发表的声明中,提供了有关台积电美国芯片厂设备进展的一些初步细节。该工厂将建在亚利桑那州,也是英特尔的所在地。汉唐董事长陈朝水概述了该工厂的合同将于7月完成,设备安装将于明年9月开始。\n\n台积电在上个月的技术研讨会上分享了其亚利桑那工厂的渲染图。图片:台积电\nFanuan System Technology是台积电为荷兰ASML极紫外(EUV)光刻机生产组件的合作伙伴,该公司也将派工程师前往亚利桑那州,预计该工厂的营收将从明年第三季度开始,这家工厂应该也要采购EUV光刻机。根据台积电上个月在其技术研讨会上分享的详细信息,该晶圆厂在全球拥有所有这些机器的一半,并负责去年所有基于EUV的芯片的 65%的出货量。\n今年5月,据韩国媒体报道,三星电子已决定在德克萨斯州奥斯汀建设EUV半导体晶圆厂,这将是该公司首次在韩国以外的国家拥有EUV生产线。该公司做出这一决定是为了满足对更小的芯片日益增长的需求以及拜登总统重组该国半导体供应链的计划。公司计划今年第三季度破土动工,2024年开始运营,据悉该厂将采用5nm工艺。该工艺是三星电子迄今为止商业化的最先进工艺。\n此外,三星电子李在镕去年10月访问了ASML,显然是为了获得EUV光刻机。而就在今年5月,ASML与韩国中央和地方政府签署了一份协议,将投资2400亿韩元(2.11亿美元),到 2025 年在京畿道华城建立EUV产业集群。\n随着英特尔开始全面拥抱EUV光刻机,EUV光刻机的抢夺将更加白热化。虽然ASML 正在扩大生产,但到目前为止,他们只出货了100多台EUV机器,这是另一个潜在的瓶颈。\n存储厂商也来到EUV光刻机时代\n过往,逻辑厂商在工艺上一直处于先进地位,也是使用EUV光刻机的大户。但是现在存储厂商的发展也来到了使用EUV光刻机阶段。\n此前一直表示不会采用EUV光刻的美光,也扛不住来到了EUV光刻时代,近日据韩媒报道,美光计划到 2024 在其制造工厂中实施极紫外(EUV)光刻,在1γ(Gamma)节点的有限的层数中部署EUV,然后会将其扩展到具有更大层采用率的1δ(Delta)节点。旨在通过允许制造更小的芯片特征来保持摩尔定律的存在。\n美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在公司2021财年第三季度财报电话会议上表示:“我们一直说我们会监控EUV的进展。我们实际上参与了EUV评估。我们过去使用过EUV工具。所以我们一直说,当我们看到EUV平台以及生态系统变得更加成熟时,我们将在我们的路线图中使用EUV。美光已从ASML订购了多种 EUV工具。”Mehrotra证实。美光已将2021财年的资本支出增加到略高于95亿美元,其中就包含这些EUV的预付款。\n2021年2月1日,SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂,它于2年前开始建造,位于京畿道利川园区的晶圆厂名为M16,是该公司最大的晶圆厂。SK海力士首次为M16引进了EUV光刻设备。SK海力士计划使用尖端设备从今年下半年开始生产第四代10纳米DRAM产品,即1a-nm DRAM。\n除此之外,SK海力士已与ASML签署了一份价值4.75万亿韩元(43亿美元)的5年合同,以采购极紫外光刻系统,按照最先进的EUV曝光设备预计每台约200亿日元,本次合同金额为采购20台以上的规模(支付金额包括安装费用等)。\n去年年初,三星电子宣布全球首次开发基于 ArF-i 的D1z DRAM和分别应用其EUVL光刻的 D1z DRAM。今年2月份,三星电子基于极紫外光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已经完成了量产。半导体分析机构TechInsights拆解了采用EUV光刻技术和ArF-i光刻技术的三星1z-nm工艺DRAM,它认为该技术提升了三星的生产效率,并减小了DRAM的核心尺寸。\nDRAM单元尺寸和D/R缩放最近越来越难,但三星将D1z的D/R降低到15.7 nm,比D1y缩小了8.2%。据了解,三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤。\n\n三星 DRAM 单元尺寸趋势,D3x到 D1z(图源:TechInsights)\n\n三星DRAM单元D/R趋势,D3x到 D1z(图源:TechInsights)\n至此,存储三巨头三星、SK海力士、美光都已加码投资EUV光刻机,EUV光刻机需求不断增加,而ASML的产能有限,预计各家公司将竞相采购设备。\n“千呼万唤”的下一代EUV光刻机\n多年来,芯片制造商使用基于光学的193nm波长光刻扫描仪来对芯片中最先进的功能进行图案化。通过多重图案化,芯片制造商已将193纳米光刻技术扩展到10或7纳米。但是在5nm处,当前的光刻技术已经失去动力。所以EUV光刻机就被推上历史舞台,这将NA(breaking index)从大约1.0提高到大约1.35纳米。\nASML的EUV光刻机目前使用的还是第一代,EUV光源波长在13.5nm左右,物镜的NA数值孔径是0.33,发展了一系列型号。但是,现在第一代的EUV光刻机的NA指标太低,解析度不够。所以在第一代EUV光刻机你争我抢的局面下,下一代光刻机也在被呼唤。\n在ASML的规划中,第二代EUV光刻机的型号将是NXE:5000系列,其物镜的NA将提升到0.55,进一步提高光刻精度,半导体工艺想要突破1nm制程,就必须靠下一代光刻机。不过这也将更加昂贵,其成本超过一架飞机,预计成本超过3亿美元。\n但下一代high-NA EUV的演进却不是那么容易,未来工艺节点向高数值孔径(“high NA”)光刻的过渡不仅需要来自系统供应商(例如 ASML)的巨大工程创新,还需要对合适的光刻胶材料进行高级开发。EUV光刻演化的一个经常被低估的方面是相应光刻胶材料的相应开发工作,寻找合适的光刻胶必须与系统开发同时进行。(详细的技术细节请查看《下一代的EUV光刻,准备好了吗?》)\nHigh-NA EUV光刻系统将始于N2、N2+技术节点,ASML预计将在2022年完成第一台High-NA EUV光刻机系统的验证,并计划在2023年交付给客户。ASML宣布,它现在预计High-NA设备将在 2025 年或2026年(由其客户)进入商业量产。如三星、台积电和英特尔等的客户们也一直呼吁开发High-NA 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href=\"https://laohu8.com/S/GOTU\">$高途(GOTU)$</a>高途昨日冲高回落,5日线继续压制股价,今天在一些利好的刺激下,高途有望突破12元,进入11元区间。很多被高途深套的股民,还是把A股的“毛病”带到了美股上,A股被套了就是死不割肉,结果被套牢。做美股也要止损思维,制定操盘纪律:亏损10%,坚决止损换股,绝不再碰止损股。照此纪律,大部分高途的股民,还是建议止损,现在美股大好的行情,不要在高途上浪费时间浪费机会了。","listText":"<a 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referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>美国货币政策对新兴市场的所谓“溢出效应”为何存在差异?我们最近的研究表明,美国货币政策对新兴市场的金融溢出效应取决于两个关键因素:</p>\n<p>第一个是美国利率变化的原因。由良好的增长前景推动的利率上升,可能对新兴金融市场产生相对良性的影响,因为美国贸易伙伴进口需求增加带来的国内生产总值(GDP)增长,以及投资者信心增强带来的好处都应该会抵消加息的成本。相反,如果加息主要是由于对通胀的担忧或美联储政策转向鹰派(我们将其统一称为货币消息),则可能对新兴市场造成更大的破坏。</p>\n<p>影响美国货币政策溢出效应的第二个关键因素是,新兴市场国家自身的状况;宏观经济脆弱性较高的经济体的金融状况往往对美国利率的上升更为敏感。</p>\n<p>我们的研究结果有助于解释为什么最近几个月美国国债收益率的上升对新兴市场经济体金融状况的影响相当温和。尽管近期通胀数据有所上扬,但这在很大程度上可能是由于对美国经济迅速复苏的预期升温所致,这将有利于全球经济的整体发展。此外,尽管近年来新兴市场经济体债务显著增长,并且因大流行病暴发而加剧,但宏观经济脆弱性仍然低于1990年代和1980年代这些动荡年代:宏观经济政策更审慎,货币在应对危机时更灵活,金融领域也更富有弹性。</p>\n<p>在本报告的其余部分,我们将总结上述发现背后的研究,并提出关于较长期美国国债收益率上升对新兴市场经济体金融状况影响的新证据。我们首先围绕两种不同的事件——联邦公开市场委员会(FOMC)会议和美国就业报告——观察一个小时的窗口期内10年期美国国债收益率的变化,然后我们将FOMC会议和就业报告分类,根据它们主要传达的是增长消息(即关于未来增长前景的信息),还是货币消息(即关于未来通胀或美联储的反应机制的信息)。</p>\n<p>为了做到这一点,我们研究了标普500指数的同步变动。因此,如果10年期美国国债收益率和标普500指数走势一致,那么FOMC的公告和非农就业数据将被视为主要传达经济增长消息。例如,FOMC的沟通增加了投资者对美国经济增长的信心,可能导致美国国债收益率和股票价格携手上涨,一份表明增长和盈利前景不佳的非常疲弱的就业报告则可能导致收益率和股价下跌。图2中蓝色圆点散点图显示了自2010年以来FOMC所有会议和就业报告引发的10年期美国国债收益率和标普500指数变化的组合,我们将这些数据归类为主要传达增长的消息。这些数据分别占FOMC会议和就业报告的三分之一还多。</p>\n<p>相比之下,如果10年期美国国债收益率和标普500指数在会议后走势相反,我们就将FOMC会议和就业报告视为主要传达货币政策的消息。例如,FOMC宣布通胀压力上升,或许会被解读为政策立场更趋鹰派,这可能推高美国国债收益率,而压低标普500指数,因为实际贴现率上升会对股票估值构成压力。或者,一份就业报告可能会导致收益率下降,但股价上涨,因为投资者可能认为它的疲弱程度足以避免美联储未来收紧货币政策。图2中红色菱形散点图显示了我们将其归类为主要传达货币消息的观察结果。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/7ac675aef97e9cb91189cd5b73ba596f\" tg-width=\"800\" tg-height=\"748\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>有了这一分类,我们接下来估计新兴市场资产价格--本币债券收益率、股票指数、信用违约互换(CDS)息差和货币--对美国国债收益率走势的反应。我们分别对这四种资产价格与10年期美国国债收益率在FOMC会议和就业报告前后的变化进行面板回归分析,利用一个22个新兴市场经济体从2010年1月至3月22日的样本。我们允许估计反应基于以下情况而有所不同:(1)FOMC或就业报告是根据上述方法归类为传达增长还是货币消息;(2)事件爆发前新兴市场经济体自身的宏观经济脆弱性。为了量化新兴市场经济体的脆弱性,我们使用了Ahmed等人(2017)开发的一种复合衡量方法,该方法结合了六个指标的信息:通胀、经常账户赤字、国际储备、政府债务、外债和私营部门信贷增长。</p>\n<p>我们的主要结果显示在图3中,该图显示了10年期美国国债收益率上升100个基点对新兴市场经济体资产价格的影响。蓝条表示增长消息的溢出效应,红条表示货币消息的溢出效应。这些图表充分说明了我们的两个重要发现:</p>\n<p>(1) 货币消息驱动下的国债收益率变化对新兴市场经济体资产价格的影响要比增长消息驱动下的收益率变化大得多;</p>\n<p>(2) 相对于不那么脆弱的经济体,脆弱经济体的资产价格对美国国债收益率变动更为敏感。货币政策消息推动的收益率上升对较为脆弱的经济体造成了沉重打击:本币债券收益率的升幅是美国国债收益率升幅的两倍多,CDS息差飙升,股价和货币崩溃。相反,当美国国债收益率上升反映的是增长消息时,对新兴市场经济体金融状况的影响一般是有限的,从统计角度讲,在大多数情况下几乎为零。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6e50ddae97e535c72e0727c5a8031a6e\" tg-width=\"800\" tg-height=\"1126\" 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货币消息驱动下的国债收益率变化对新兴市场经济体资产价格的影响要比增长消息驱动下的收益率变化大得多;\n(2) 相对于不那么脆弱的经济体,脆弱经济体的资产价格对美国国债收益率变动更为敏感。货币政策消息推动的收益率上升对较为脆弱的经济体造成了沉重打击:本币债券收益率的升幅是美国国债收益率升幅的两倍多,CDS息差飙升,股价和货币崩溃。相反,当美国国债收益率上升反映的是增长消息时,对新兴市场经济体金融状况的影响一般是有限的,从统计角度讲,在大多数情况下几乎为零。\n\n综上所述,美国国债收益率上升可能导致新兴市场经济体金融状况明显收紧,但这种影响在很大程度上取决于收益率上升的驱动因素和新兴市场经济体的国内状况。我们的研究结果有助于解释今年迄今美国国债收益率上升对新兴市场的金融溢出效应为何有限,这是因为收益率上升似乎主要是受到美国增长前景改善的推动。话虽如此,如果未来加息反映了对通胀的担忧加剧,脆弱的新兴市场可能会面临压力。","news_type":1,"symbols_score_info":{"513500":0.9,".DJI":0.9,".IXIC":0.9,".SPX":0.9,"DDM":0.9,"DOG":0.9,"DXD":0.9,"ESmain":0.9,"IVV":0.9,"OEF":0.9,"PSQ":0.9,"QID":0.9,"QLD":0.9,"QQQ":0.9,"SDOW":0.9,"SH":0.9,"SPY":0.9,"SQQQ":0.9,"TQQQ":0.9,"UDOW":0.9}},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":1014,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0}],"defaultTab":"posts","isTTM":false}