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江南少阁主
06-03 21:54
有啥用,机构天天压着盘面
赛道Hyper | 媲美CoWoS:英特尔突破先进封装技术
EMIB-T,英特尔代工对标台积电的底气。
赛道Hyper | 媲美CoWoS:英特尔突破先进封装技术
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{"i18n":{"language":"zh_CN"},"data":{"magic":2,"id":442108548763968,"tweetId":"442108548763968","gmtCreate":1748958859010,"gmtModify":1748958861430,"author":{"id":3495021804105148,"idStr":"3495021804105148","authorId":3495021804105148,"authorIdStr":"3495021804105148","name":"江南少阁主","avatar":"https://static.tigerbbs.com/7d4eb2f2428859c4db141d6c0f72e14d","vip":1,"userType":1,"introduction":"","boolIsFan":false,"boolIsHead":false,"crmLevel":9,"crmLevelSwitch":0,"currentWearingBadge":{"badgeId":"228c86a078844d74991fff2b7ab2428d-3","templateUuid":"228c86a078844d74991fff2b7ab2428d","name":"投资合伙人虎","description":"证券账户累计交易金额达到100万美元","bigImgUrl":"https://static.tigerbbs.com/fbeac6bb240db7da8b972e5183d050ba","smallImgUrl":"https://static.tigerbbs.com/436cdf80292b99f0a992e78750ac4e3a","grayImgUrl":"https://static.tigerbbs.com/506a259a7b456f037592c3b23c779599","redirectLinkEnabled":0,"hasAllocated":1,"isWearing":1,"stampPosition":0,"hasStamp":0,"allocationCount":1,"allocatedDate":"2025.04.15","exceedPercentage":"93.05%","individualDisplayEnabled":0},"individualDisplayBadges":[],"fanSize":2,"starInvestorFlag":false},"themes":[],"images":[],"coverImages":[],"html":"<html><head></head><body><p>有啥用,机构天天压着盘面</p></body></html>","htmlText":"<html><head></head><body><p>有啥用,机构天天压着盘面</p></body></html>","text":"有啥用,机构天天压着盘面","highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"link":"https://laohu8.com/post/442108548763968","repostId":2540963717,"repostType":2,"repost":{"id":"2540963717","kind":"highlight","weMediaInfo":{"introduction":"追踪全球财经热点,精选影响您财富的资讯,投资理财必备神器!","home_visible":1,"media_name":"华尔街见闻","id":"1084101182","head_image":"https://static.tigerbbs.com/66809d1f5c2e43e2bdf15820c6d6897e"},"pubTimestamp":1748872318,"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2540963717?lang=&edition=full","pubTime":"2025-06-02 21:51","market":"fut","language":"zh","title":"赛道Hyper | 媲美CoWoS:英特尔突破先进封装技术","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2540963717","media":"华尔街见闻","summary":"EMIB-T,英特尔代工对标台积电的底气。","content":"<html><body><p>作者:周源/华尔街见闻</p>\n<p>自新CEO陈立武上任以来,<a href=\"https://laohu8.com/S/INTC\">英特尔</a>基本盘看来日益稳固,而新技术也进展颇大。</p>\n<p>最近,英特尔在电子元件技术大会(ECTC)上披露了多项芯片封装技术突破,尤其是EMIB-T,用于提升芯片封装尺寸和供电能力,以支持HBM4/4e等新技术。</p>\n<p>此外还包括新分散式散热器设计和新的热键合技术,可提高可靠性和良率,并支持更精细的芯片间连接。</p>\n<p>EMIB-T(Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV):是嵌入式多芯片互连桥接封装技术的重大升级版本,专为高性能计算和异构集成设计。</p>\n<p>EMIB-T的技术升级主要集中在三个方面:引入TSV垂直互连、集成高功率MIM电容器和跃升封装尺寸与集成密度。</p>\n<p>首先,在传统EMIB的硅桥结构中嵌入硅通孔(TSV),实现了多芯片间的垂直信号传输。</p>\n<p>与传统EMIB的悬臂式供电路径相比,TSV从封装底部直接供电,将电源传输电阻降低30%以上,显著减少了电压降和信号噪声。</p>\n<p>这项设计使其能稳定支持HBM4和HBM4e等高带宽内存的供电需求,同时兼容UCIe-A互连技术,数据传输速率可达32 Gb/s+。</p>\n<p>其次,为应对高速信号传输中的电磁干扰问题,EMIB-T在桥接器内部集成了高密度金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,可有效抑制电源噪声,确保信号完整性。</p>\n<p>这一创新使EMIB-T在复杂异构系统中保持稳定的通信性能,尤其适用于AI加速器和数据中心处理器等对信号质量要求极高的场景。</p>\n<p>第三,EMIB-T支持最大120x180毫米的封装尺寸,单个封装可集成超过38个桥接器和12个矩形裸片(die),凸块间距已实现45微米,未来计划进一步缩小至35微米甚至25微米。</p>\n<p>这种高密度集成能力为Chiplet设计提供了更灵活的架构,比如在单个封装中整合CPU、GPU、HBM内存和AI加速模块,显著提升系统级性能。</p>\n<p>这项新技术将为英特尔代工厂拥有。</p>\n<p>英特尔代工厂旨在利用尖端工艺节点技术,为英特尔内部和外部公司生产芯片。</p>\n<p>现代处理器越来越多地采用复杂的异构设计,将多种类型的计算和内存组件集成到单个芯片封装中,从而提升性能、成本和能效。</p>\n<p>这些芯片设计依赖于日益复杂的先进封装技术,而这些技术是异构设计的基石。</p>\n<p>因此,为了与<a href=\"https://laohu8.com/S/TSM\">台积电</a>等竞争对手保持同步,英特尔必须持续推进全新芯片技术的研发进程。</p>\n<p>英特尔的这项EMIB-T技术,最初曾在5月英特尔的Direct Connect发布,它将硅通孔(TSV)融入已广泛使用的EMIB技术——一种嵌入封装基板的硅桥,可在芯片/裸片之间提供通信和电源管道。 </p>\n<p>EMIB-T延续了传统EMIB的2.5D封装优势(如灵活的芯片布局),同时通过TSV向3D封装(如Foveros)靠拢。</p>\n<p>TSV的垂直互连路径比传统封装走线缩短50%+,不仅提升了数据传输速率(带宽提升约 20%),还降低了通信延迟(延迟减少约15%)。</p>\n<p>这种混合架构使EMIB-T能在更大芯片尺寸下实现高密度集成,为未来异构计算平台提供关键支撑。</p>\n<p>同时,使用TSV也提升了芯片间的通信带宽,从而能集成高速HBM4/4e内存封装,而使用UCIe-A互连技术,将数据传输速率也提升至32 Gb/s+。</p>\n<p>EMIB-T支持有机基板和玻璃基板,后者凭借更高的平整度和热稳定性,可实现更精细的互连(如25微米凸块间距)和更高效的信号传输,这是英特尔未来封装战略的重点方向。</p>\n<p>为配合英特尔同期推出的分解式散热器技术,EMIB-T可将热界面材料(<a href=\"https://laohu8.com/S/TIMB\">TIM</a>)的焊料空隙减少25%,并支持集成微通道的散热器,适用于热设计功耗(TDP)高达1000W的芯片封装,解决了高性能计算中的散热难题。</p>\n<p>这表明,英特尔正在从多个角度解决芯片散热问题。 </p>\n<p>新型热压粘合工艺通过最小化热差,提升了大型封装基板的制造良率和可靠性,进一步增强了EMIB-T的工业化部署能力。</p>\n<p>EMIB-T的核心目标是满足HBM4内存和UCIe互连需求,这使其成为AI加速器、数据中心处理器和超算芯片的理想封装方案。</p>\n<p>通过TSV供电和MIM电容器的协同作用,EMIB-T可稳定支持HBM4的3.2 TB/s带宽,为大模型训练和推理提供高效的内存访问能力。</p>\n<p>随着半导体行业向Chiplet设计转型,EMIB-T为多来源芯片(如英特尔CPU、第三方GPU和内存)的集成提供了统一封装平台。</p>\n<p>这不仅降低了客户的研发风险,还通过高密度互连和低功耗设计提升了系统级能效比。目前,AWS、<a href=\"https://laohu8.com/S/CSCO\">思科</a>等企业已与英特尔合作,将EMIB-T应用于下一代服务器和网络设备。</p>\n<p>EMIB-T的推出,标志着英特尔在先进封装领域的技术追赶努力。</p>\n<p>与台积电的CoWoS相比,EMIB-T在电源完整性和信号稳定性维度更具优势,而Foveros-R和Foveros-B等衍生技术(如采用重布线层和桥片的封装)则进一步拓展了其应用场景。</p>\n<p>此外,西门子EDA已推出基于TSV的EMIB-T参考流程,从热分析到信号完整性构建了完整的工具链,加速了该技术的商业化落地。</p>\n<p>陈立武的努力,不止于推进英特尔的新封装技术努力层面,也以更具有“诚意”的开放策略——为完全不使用任何英特尔制造组件的芯片提供封装服务——有助于英特尔芯片制造服务与潜在的新客户建立关系。</p>\n<p>英特尔计划在2025年下半年实现EMIB-T封装的量产,并逐步将凸块间距从45微米缩小至25微米,以支持更高密度的芯片集成。</p>\n<p>随着玻璃基板技术的成熟,EMIB-T有望在2028年实现单个封装集成超过24颗HBM,进一步推动内存带宽的突破。</p>\n<p>这一技术不仅是英特尔代工厂战略的重要组成部分,也将对全球半导体封装技术的发展方向产生深远影响。</p></body></html>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>赛道Hyper | 媲美CoWoS:英特尔突破先进封装技术</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n赛道Hyper | 媲美CoWoS:英特尔突破先进封装技术\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2025-06-02 21:51 北京时间 <a href=https://wallstreetcn.com/articles/3748291><strong>华尔街见闻</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>作者:周源/华尔街见闻\n自新CEO陈立武上任以来,英特尔基本盘看来日益稳固,而新技术也进展颇大。\n最近,英特尔在电子元件技术大会(ECTC)上披露了多项芯片封装技术突破,尤其是EMIB-T,用于提升芯片封装尺寸和供电能力,以支持HBM4/4e等新技术。\n此外还包括新分散式散热器设计和新的热键合技术,可提高可靠性和良率,并支持更精细的芯片间连接。\nEMIB-T(Embedded Multi-die ...</p>\n\n<a href=\"https://wallstreetcn.com/articles/3748291\">Web Link</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"","relate_stocks":{"BK4554":"元宇宙及AR概念","BK4612":"AI芯片","BK4515":"5G概念","BK4585":"ETF&股票定投概念","BK4534":"瑞士信贷持仓","BK4533":"AQR资本管理(全球第二大对冲基金)","BK4602":"量子计算概念","BK4575":"芯片概念","BK4535":"淡马锡持仓","BK4543":"AI","BK4527":"明星科技股","BK4579":"人工智能","BK4550":"红杉资本持仓","BK4588":"碎股","BK4141":"半导体产品","BK4605":"半导体精选","LU0321505868.SGD":"Schroder ISF Global Dividend Maximiser A Dis SGD","LU0321505439.SGD":"Schroder ISF Global Dividend Maximiser A Acc SGD","LU0081259029.USD":"UBS (LUX) EQUITY FUND - TECH OPPORTUNITY \"P\" (USD) ACC","LU2543165471.USD":"E FUND (HK) GLOBAL QUALITY GROWTH \"A\" (USD) ACC","INTC":"英特尔","BK4512":"苹果概念","BK4529":"IDC概念"},"source_url":"https://wallstreetcn.com/articles/3748291","is_english":false,"share_image_url":"https://static.laohu8.com/e9f99090a1c2ed51c021029395664489","article_id":"2540963717","content_text":"作者:周源/华尔街见闻\n自新CEO陈立武上任以来,英特尔基本盘看来日益稳固,而新技术也进展颇大。\n最近,英特尔在电子元件技术大会(ECTC)上披露了多项芯片封装技术突破,尤其是EMIB-T,用于提升芯片封装尺寸和供电能力,以支持HBM4/4e等新技术。\n此外还包括新分散式散热器设计和新的热键合技术,可提高可靠性和良率,并支持更精细的芯片间连接。\nEMIB-T(Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV):是嵌入式多芯片互连桥接封装技术的重大升级版本,专为高性能计算和异构集成设计。\nEMIB-T的技术升级主要集中在三个方面:引入TSV垂直互连、集成高功率MIM电容器和跃升封装尺寸与集成密度。\n首先,在传统EMIB的硅桥结构中嵌入硅通孔(TSV),实现了多芯片间的垂直信号传输。\n与传统EMIB的悬臂式供电路径相比,TSV从封装底部直接供电,将电源传输电阻降低30%以上,显著减少了电压降和信号噪声。\n这项设计使其能稳定支持HBM4和HBM4e等高带宽内存的供电需求,同时兼容UCIe-A互连技术,数据传输速率可达32 Gb/s+。\n其次,为应对高速信号传输中的电磁干扰问题,EMIB-T在桥接器内部集成了高密度金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,可有效抑制电源噪声,确保信号完整性。\n这一创新使EMIB-T在复杂异构系统中保持稳定的通信性能,尤其适用于AI加速器和数据中心处理器等对信号质量要求极高的场景。\n第三,EMIB-T支持最大120x180毫米的封装尺寸,单个封装可集成超过38个桥接器和12个矩形裸片(die),凸块间距已实现45微米,未来计划进一步缩小至35微米甚至25微米。\n这种高密度集成能力为Chiplet设计提供了更灵活的架构,比如在单个封装中整合CPU、GPU、HBM内存和AI加速模块,显著提升系统级性能。\n这项新技术将为英特尔代工厂拥有。\n英特尔代工厂旨在利用尖端工艺节点技术,为英特尔内部和外部公司生产芯片。\n现代处理器越来越多地采用复杂的异构设计,将多种类型的计算和内存组件集成到单个芯片封装中,从而提升性能、成本和能效。\n这些芯片设计依赖于日益复杂的先进封装技术,而这些技术是异构设计的基石。\n因此,为了与台积电等竞争对手保持同步,英特尔必须持续推进全新芯片技术的研发进程。\n英特尔的这项EMIB-T技术,最初曾在5月英特尔的Direct Connect发布,它将硅通孔(TSV)融入已广泛使用的EMIB技术——一种嵌入封装基板的硅桥,可在芯片/裸片之间提供通信和电源管道。 \nEMIB-T延续了传统EMIB的2.5D封装优势(如灵活的芯片布局),同时通过TSV向3D封装(如Foveros)靠拢。\nTSV的垂直互连路径比传统封装走线缩短50%+,不仅提升了数据传输速率(带宽提升约 20%),还降低了通信延迟(延迟减少约15%)。\n这种混合架构使EMIB-T能在更大芯片尺寸下实现高密度集成,为未来异构计算平台提供关键支撑。\n同时,使用TSV也提升了芯片间的通信带宽,从而能集成高速HBM4/4e内存封装,而使用UCIe-A互连技术,将数据传输速率也提升至32 Gb/s+。\nEMIB-T支持有机基板和玻璃基板,后者凭借更高的平整度和热稳定性,可实现更精细的互连(如25微米凸块间距)和更高效的信号传输,这是英特尔未来封装战略的重点方向。\n为配合英特尔同期推出的分解式散热器技术,EMIB-T可将热界面材料(TIM)的焊料空隙减少25%,并支持集成微通道的散热器,适用于热设计功耗(TDP)高达1000W的芯片封装,解决了高性能计算中的散热难题。\n这表明,英特尔正在从多个角度解决芯片散热问题。 \n新型热压粘合工艺通过最小化热差,提升了大型封装基板的制造良率和可靠性,进一步增强了EMIB-T的工业化部署能力。\nEMIB-T的核心目标是满足HBM4内存和UCIe互连需求,这使其成为AI加速器、数据中心处理器和超算芯片的理想封装方案。\n通过TSV供电和MIM电容器的协同作用,EMIB-T可稳定支持HBM4的3.2 TB/s带宽,为大模型训练和推理提供高效的内存访问能力。\n随着半导体行业向Chiplet设计转型,EMIB-T为多来源芯片(如英特尔CPU、第三方GPU和内存)的集成提供了统一封装平台。\n这不仅降低了客户的研发风险,还通过高密度互连和低功耗设计提升了系统级能效比。目前,AWS、思科等企业已与英特尔合作,将EMIB-T应用于下一代服务器和网络设备。\nEMIB-T的推出,标志着英特尔在先进封装领域的技术追赶努力。\n与台积电的CoWoS相比,EMIB-T在电源完整性和信号稳定性维度更具优势,而Foveros-R和Foveros-B等衍生技术(如采用重布线层和桥片的封装)则进一步拓展了其应用场景。\n此外,西门子EDA已推出基于TSV的EMIB-T参考流程,从热分析到信号完整性构建了完整的工具链,加速了该技术的商业化落地。\n陈立武的努力,不止于推进英特尔的新封装技术努力层面,也以更具有“诚意”的开放策略——为完全不使用任何英特尔制造组件的芯片提供封装服务——有助于英特尔芯片制造服务与潜在的新客户建立关系。\n英特尔计划在2025年下半年实现EMIB-T封装的量产,并逐步将凸块间距从45微米缩小至25微米,以支持更高密度的芯片集成。\n随着玻璃基板技术的成熟,EMIB-T有望在2028年实现单个封装集成超过24颗HBM,进一步推动内存带宽的突破。\n这一技术不仅是英特尔代工厂战略的重要组成部分,也将对全球半导体封装技术的发展方向产生深远影响。","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":0,"commentLimit":10,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false,"reportStatus":false,"symbols":[],"verified":2,"subType":0,"readableState":1,"langContent":"CN","currentLanguage":"CN","warmUpFlag":false,"orderFlag":false,"shareable":true,"causeOfNotShareable":"","featuresForAnalytics":[],"commentAndTweetFlag":false,"andRepostAutoSelectedFlag":false,"upFlag":false,"length":23,"optionInvolvedFlag":false,"xxTargetLangEnum":"ZH_CN"},"commentList":[],"hasMoreComment":false,"orderType":2}