美光FY25Q3财报一览:HBM助力DRAM高歌猛进,NAND利润恶化;手机、工业回暖
存储巨头美光拉开半导体二季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY25Q3,按实际时间对应2025年3/4/5月。
美光FY25Q3财报:
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营收93亿美元,同比增长37%,环比增长16%,创历史新高;预计FY25Q4营收107亿美元,同比增长38%,环比增长15%,再创历史新高;
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GAAP毛利率37.7%,环比增长0.9个百分点;预计FY25Q4毛利率41%,环比增长3.3个百分点(毛利率巅峰是FY18Q4的61%);
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GAAP经营利润21.7亿美元,环比增长22%,经营利润率23%(经营利润巅峰是FY18Q4的43亿美元);
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经营现金流46.1亿美元,环比增长17%(经营现金流巅峰是FY18Q4的52亿美元);自由现金流连续5个季度为正;
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GAAP净利润18.9亿美元,环比增长19%,NonGAAP净利润21.8亿美元,环比增长22%;预计FY25Q4 GAAP净利润25.8亿美元,NonGAAP净利润28.1亿美元(净利润巅峰是FY18Q4的43亿美元);
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本季度仍未回购;
分业务:
DRAM营收71亿美元,同比增长51%,连续7个季度增长,环比增长15%,营收占比76%;DRAM bit出货量环比增长超20%,ASP环比下滑低个位数;预计FY25Q4 bit出货量环比增长;
NAND营收22亿美元,同比增长4%,连续7个季度增长,营收占比23%;NAND bit出货量环比增长mid-20%s,ASP环比下滑高个位数;预计FY25Q4 bit出货量环比增长;
本季度数据中心DRAM与NAND继续分化,CNBU经营利润21.8亿美元,环比增长14%,连续7个季度环比增长;SBU经营亏损900万美元,环比转亏,本季度手机MBU经营利润2.2亿美元,环比增长262%,结束连续3个季度环比下滑;EBU经营利润9800万美元,环比增长3167%,结束连续2个季度环比下滑;
分市场:
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预计2025年服务器出货同比增长中个位数(不变),主要靠AI服务器带动;公司主要数据中心产品包括HBM、高密度D5/LP5以及数据中心SSD这三大类;本季度数据中心营收同比翻倍增长,其中数据中心DRAM营收连续4个季度创新高,HBM市场份额持续提升,FY25前三季度数据中心高密度D5和LP产品合计营收已达数十亿美元,持续创新高,美光仍然是数据中心领域LPDRAM的独家量产供应商;数据中心SSD市场份额连续3个季度创新高,第三方统计Q1排名第二;GB200 NVL72推荐配置的9550 SSD本季度完成多家厂商验证,预计CY25H2数据中心SSD市场要比CY24H1好;
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本季度HBM营收超15亿美元,环比增长近50%,对比之下SK海力士Q1 HBM营收约44亿美元;预计2025年HBM TAM超350亿美元(不变);
应用于GB300的HBM3E 12H开始ramp,良率爬坡比8H更快,预计FQ4营收会反超其他HBM产品;本季度共向四个HBM客户出货,包含GPU与ASIC;预计2025下半年公司HBM市场份额将会与公司DRAM市场份额相匹配(20%+);6月初宣布拿下AMD MI355X平台的HBM3E 36GB 12H;美光HBM4使用自家1-beta DRAM叠加先进制程逻辑Die(应该与SK海力士HBM4一样,逻辑Die由台积电制造),目前已向多个客户送样,预计2026年量产;
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预计2025年PC出货同比增长低个位数(下调);Q1美光客户端SSD市场份额创新高;
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本季度MBU营收环比增长45%,主要因客户去库存以及手机DRAM用量持续提升;本季度开始送样业界首款基于1-gamma工艺的LP5X产品;MBU产品经营利润率14%,环比提升8个百分点;
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美光终端市场的客户库存水平总体上健康,工业业务开始环比增长;
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美光将于下季度起按新架构披露财务数据,四大业务部门分别为云内存事业部(CMBU)、核心数据中心事业部(CDBU)、移动与客户端事业部(MCBU)和汽车与嵌入式事业部(AEBU);
会议纪要重点:
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预计2025年DRAM bit需求增长high-teens%(上调),NAND bit需求增长low-teens%(不变);2025年DRAM/NAND bit供给增速低于行业nonHBM与NAND的平均水平;中期DRAM/NAND bit需求增长CAGR mid-teens%(不变);
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FQ3消费者业务拉低了毛利率,预计从FQ4开始随着DRAM增长快于NAND,毛利率会逐步提升;
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NAND制程转换会使FY25 NAND产能比FY24低10%;随着HBM的硅片需求和晶圆转换比持续提升(HBM3E较D5消耗3倍wafer,HBM4将消耗更多,HBM4E将消耗超4倍wafer),美光需要建设新的greenfield产能;
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预计FY25 capex 140亿美元(不变),大部分与HBM相关;FY26 capex占营收约35%;
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本季度DIO 139天,环比下降19天,预计FQ4 DRAM库存将非常紧张,NAND库存将显著减少,DIO会降至120天以下;
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美光LP4、D4产品主要用1-alpha DRAM工艺,未来2-3个季度之后不再出货,预计FY25H2 D4相关产品全球营收敞口约低个位数,LP4短缺也可能提升D4产品营收占比;
总的来说,美光这份财报还行,市场担心的消费电子疲软得到缓解,以及数据中心SSD短期过剩的担忧开始散去,HBM3E 12H开始放量,HBM4进展良好。但鉴于目前美光超高的估值,市场需要更多关于HBM市场TAM上调的积极信号,管理层这次并未给到。
目前美光PB 2.8x,已经突破历史估值区间向上两个标准差,而全球HBM一哥SK海力士目前PB 2.5x(25Q1,25Q2可能会更低),HBM掉队的三星电子目前PB 1x(25Q1,25Q2可能会更低)。
如果非要很乐观去单独拍HBM业务估值:2025年HBM TAM 350亿美元,美光市占率取25%(counterpoint 25Q1),意味着接近88亿美元营收,净利润率取30%(CNBU业务OPM 43%),就意味着26.4亿美元净利润,根据官方给出的2024-2028年HBM TAM CAGR 40%+指引,PEG取1就意味着40倍PE,结合下来就是HBM业务对应约1050亿美元估值,是现在美光市值的75%。当然这种计算也只是个乐子。
此前财报一览(时间由近及远):
《美光FY25Q2财报一览:HBM季度营收突破10亿美元大关,数据中心SSD、消费电子疲软》
《美光FY25Q1财报一览:HBM营收环比翻倍,难挡消费电子超预期疲软》
《美光FY24Q4财报一览:HBM如期放量,DRAM/NAND明年供需指引乐观》
《美光FY24Q3财报一览:手机贡献大量利润,HBM下半年放量》
《美光FY24Q2财报一览:AI助力存储开启上行周期》
《美光FY24Q1财报一览:价格上涨将带动毛利率持续走高》
《美光FY23Q4财报一览:笔电需求回暖,2024Q2毛利率转正》
《存储周期底部确立,但美光明年才能毛利率转正》
《美光指引超预期,数据中心下半年稳了》
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