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芝能智芯出品

2025年第二季度SK海力士的财报像是为内存行业打了一针强心剂，SK海力士凭借HBM等AI专用内存产品强势反弹，实现营收22.2万亿韩元（约合162.73亿美元）、营业利润9.2万亿韩元（约合67.4亿美元）的历史新高。

在这背后，是AI大模型带来的“算力红利”开始从GPU蔓延至底层存储结构的真实体现。

对内存产业而言，2025年不仅是“供需周期”重启的起点，HBM3E走向量产、HBM4提前布局、LPDDR与GDDR架构细化，SK海力士以极高的技术确定性，回应了产业从“成本敏感”向“性能主导”转型的历史时刻。

Part 1

  HBM主导的增长逻辑：

从工艺到市场的闭环实现

2025年第二季度：

◎ SK海力士实现了22.232万亿韩元的收入，环比增长26%、同比增长35%。

◎ 营业利润高达9.213万亿韩元，创下公司历史新高，得益于DRAM业务，尤其是高带宽内存（HBM）的持续放量。

技术层面，SK海力士当前主要量产的是基于12英寸晶圆的HBM3E产品，采用TSV（硅通孔）堆叠技术，将多层DRAM芯片通过微米级互连方式垂直堆叠，在有限的空间内实现更高带宽与更大容量。

目前的HBM3E已达到8或12层堆叠，单颗容量从24GB到36GB不等，带宽超过800GB/s，功耗控制优于前代产品，适配高端AI加速器如NVIDIA H100及其后续芯片。

SK已于2025年3月向客户交付全球首批HBM4样品，HBM4将在带宽、功耗效率及散热性能上进一步提升，预计采用1β（1-beta）工艺节点，配合更高堆叠层数（如12层或16层），其关键创新点在于I/O速度和功耗控制能力的跃升。

从产线部署看，SK海力士正在加速M15X工厂的准备进度，该工厂将于2025年第四季度启动，并于2026年起专产HBM系列。

这一布局说明公司不仅在技术制程上具备领先优势，也在资本投入上做好了充足准备，以保障HBM4在未来两年内形成大规模出货能力。

为满足不同客户对AI内存的差异化需求，公司还在拓展基于LPDDR的服务器模块，计划于年内正式供货。同时，GDDR产品线也从原有的16Gb容量向24Gb迈进，用于训练型AI GPU等场景，丰富产品矩阵、提高客户黏性。

SK海力士在AI内存领域已构建起从设计、验证、制造到封装的完整闭环，并通过产线前置投资与技术迭代形成周期优势。

HBM不仅是公司当前的利润核心，更可能成为未来两到三年内存市场的结构性支点。

Part 2

 DRAM与NAND分化共进：

高密度、高能效与控制力 

除HBM外，DRAM业务整体同样表现出色，占本季度总收入的77%，高于去年同期的66%。

DRAM产品组合中，除服务器端使用的高带宽DDR5外，LPDDR5X与LPDDR4X分别面向旗舰智能手机和中国市场需求，SK海力士通过不同制程与封装方案优化成本结构与供货弹性。

在DRAM工艺节点方面，公司正向1β技术（即1-beta）推进，该节点通过EUV多重曝光与高K金属栅（HKMG）工艺，进一步提升晶体管密度与能效。服务器专用DRAM已达到128GB的单模块容量，传输速度超过8000Mbps，可满足训练、推理模型不断增长的上下行数据量。

NAND业务则呈现出技术领先与需求疲软并存的局面。本季度NAND收入占比降至21%，相比去年同期的31%有所减少。尽管销量增长显著，但平均售价环比下滑，反映出市场竞争依然激烈。

SK正着重推进基于QLC（四比特单元）的高密度eSSD产品，该产品能在较低成本下提供超120TB的存储容量，适用于AI训练、云数据中心与视频存储等场景。

同时，SK海力士于第二季度成功开发出全球首个321层UFS 4.1 NAND，并计划在年底前扩展至cSSD与eSSD，这代表其在NAND层数、栅极控制、通道架构等方面仍保有较强工程能力。

在资本开支方面，SK海力士维持审慎策略，尤其在NAND领域，将投资重点集中于高毛利产品线，并以盈利为导向控制产能扩张速度。尽管市场尚未全面复苏，公司正以“技术为先+结构优化”的方式，为下一个周期做好铺垫。

DRAM与NAND形成结构性分化：前者通过高端化实现利润增长，后者则需通过技术突破与成本控制来稳定收入贡献。SK海力士选择对两者采取不同经营策略，本质是资源在产业周期中有序分配，形成内在韧性。

小结

HBM作为AI时代的“新石油”，已不再是单一高性能芯片的配角，而正成为构建AI系统性能与能效的关键变量。从HBM3E到HBM4，从服务器级LPDDR5X到面向GPGPU训练的GDDR7，SK海力士不仅提供产品，更在塑造一套完整的技术标准和产业节奏。