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2026年初，全球内存行业再次迎来高爆发，“超级存储周期”的提法再次被摆放到前台。

美银发布一份研究报告指出，DRAM将在2026-27年开启史上最强超级周期，全球DRAM销售额预计从2025年的1303亿美元飙升至2026年的2098亿美元，同比暴涨61%。

美银预计，2027年这个数字将进一步增至2314亿美元。趋势背后，AI需求爆发、供应结构性短缺与技术迭代形成三重共振。

在报告中，美银大幅调高了SK海力士、三星电子、南亚科技等核心标的目标价，认为内存行业正从传统周期性产业向AI驱动的成长性赛道蜕变。

Part.01

超级周期的五大核心支撑

美银报告认为，内存行业此前深陷“扩产-过剩-降价-减产”的周期循环，但2026年启动的超级周期呈现本质不同——AI带来的刚性需求与供应端的约束形成长期错配，推动行业进入高质量增长阶段。

首要驱动是AI内存需求的爆发式增长

以英伟达Rubin Ultra GPU、谷歌TPU v7为代表的AI加速器，对HBM（高带宽内存）、GDDR7等高端内存的搭载量呈数倍提升，单台AI服务器的HBM搭载量已从早年的340GB增至1.17TB，英伟达下一代Rubin Ultra更是有望突破1TB。这种需求并非短期脉冲，而是AI训练与推理场景规模化落地的长期诉求，带动内存行业从依赖PC、智能手机的传统需求结构，转向AI主导的多元化需求矩阵。

其次是供应端的结构性收缩与约束加剧短缺

主流芯片厂商将资本支出向HBM、eSSD等高端领域倾斜，传统DRAM产能持续收缩；同时，300mm晶圆洁净室空间有限、1c DRAM、300层以上NAND等新型内存良率低、生产周期长，导致行业产能扩张受限。截至2025年末，DRAM和NAND库存仅维持3-4周，远低于1-2个月的正常水平，而主要晶圆厂利用率已接近满负荷，为价格上涨提供坚实支撑。

第三，价格上涨形成强劲盈利弹性

2025年第四季度传统DRAM合约价环比上涨30%+，2026年第一季度再涨15%+，16Gb DDR5现货价已突破30美元，较2025年初涨幅超500%。价格上涨直接转化为企业盈利，SK海力士2026年营业利润预计达86.2万亿韩元，较2025年翻倍，三星电子内存业务营业利润也将增至72.5万亿韩元。

第四，资本支出结构优化锁定长期格局

尽管SK海力士2026年资本支出预计翻倍至35万亿韩元，但主要用于HBM产能扩张与基础设施建设，晶圆产能年均扩张仅6.5万片/月，对全球供给影响有限。这种“重高端、轻传统”的投资策略，将进一步巩固行业供需紧平衡。

最后，技术迭代提升行业壁垒

HBM4、GDDR7等新型内存的技术门槛显著提高，SK海力士在HBM领域的市场份额已达60%+，且量产进度领先竞争对手1-2个季度，技术优势转化为市场份额与利润率优势，行业从价格竞争转向技术竞争。

Part.02

千亿赛道核心标的对决

美银基于行业趋势与企业竞争力，上调了三大核心标的目标价，其投资逻辑各有侧重，共同分享超级周期红利。

SK海力士：HBM王者，超级周期核心受益者

作为全球内存行业的首选标的，SK海力士的核心优势集中在HBM领域的绝对领导地位。公司已连续两年占据全球60%以上的HBM市场份额，HBM4量产较竞争对手领先两个季度，且将充分受益于英伟达Rubin Ultra对HBM4e的海量需求。

财务层面，公司2026年营业利润预计达86.2万亿韩元，DRAM ASP同比涨幅预计达36%，叠加HBM 60%+的超高利润率，推动盈利持续超预期。

美银将其目标价上调至100万韩元，对应2026年预期市净率3.9倍，仍低于同行美光的4倍，估值仍有修复空间。

三星电子：产能巨无霸，提价弹性先锋

三星电子凭借每月超100万片的全球最大内存产能，在价格上行周期中具备显著弹性。公司2025年第四季度DRAM提价力度高于行业平均水平，推动2026年EPS上调12%。

尽管HBM市场份额（20%+）不及SK海力士，但随着海力士产能饱和，三星有望承接美国科技巨头与中国OEM的增量订单，HBM业务增速预计达62%。

美银将其普通股目标价上调至17万韩元，优先股目标价至13.6万韩元，GDR目标价至3000美元，看好其在传统内存与HBM领域的双重增长。

南亚科技：传统内存稀缺标的，细分市场龙头

在主流厂商纷纷放弃传统DRAM之际，南亚科技聚焦DDR3、DDR4等 legacy产品，成为该细分领域的核心供应商。受益于传统DRAM供应短缺，公司2026年ASP预计上涨6%，营业利润率有望突破40%，较2023-25年的亏损或低毛利状态实现根本性反转。

美银将其目标价上调至235新台币，对应2026年预期市净率3.5倍，估值重估空间显著。

Part.03

HBM：超级周期的“黄金赛道”

HBM（高带宽内存）作为AI时代的关键硬件，已成为内存行业增长最快的细分领域。美银预测，2026年全球HBM销售额将达550亿美元，同比增长59%，2027年进一步增至650亿美元，2025-28年复合增长率达40%。

技术迭代与需求放量是HBM增长的核心逻辑。HBM4的带宽达2.0-2.8TB/s，是传统DDR5的数倍，完美匹配AI芯片的高速数据传输需求；而随着英伟达Rubin、AMD MI400等下一代AI加速器的量产，HBM搭载量将从当前的288GB提升至384GB甚至1TB，进一步打开市场空间。

竞争格局方面，SK海力士将持续主导市场，2026年HBM销售额预计达293亿美元，市场份额维持53%；三星凭借产能优势快速追赶，份额有望提升至25%；其他厂商合计份额22%，行业呈现“一超多强”格局。高利润率是HBM的另一大亮点，行业平均营业利润率超40%，SK海力士更是高达63%，成为企业盈利的“利润奶牛”。