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2023-12-02

每支iPhone 专利费赚不到0.3 美元,ARM对苹果颇恼火

对供应商来说,苹果一直都是态度强硬的合作伙伴。外媒报导,苹果使用Arm 技术设计许多产品的处理器,但苹果需要支付的专利费却低得惊人。 《The Information》指出,苹果需要向Arm 支付的专利费“每款设备不到30 美分(约台币9.16 元)”,苹果将Arm 技术用在自家笔电、手机、平板、手表、智慧音箱及其他设备。 苹果虽然长期与Arm 合作,但苹果所需支付的专利费用全数加起来不到Arm 整体收入5%;这约是高通与联发科(Arm 的两家最大客户)支付费用的一半。 如此低廉专利费让Arm 与母公司软银颇恼火;《The Information》报导,软银2016 年收购Arm 时,执行长孙正义就曾希望重组与苹果的授权交易,希望提高专利费,但当时未能成功。 值得注意的是,Arm 起初是由多家科技公司合资的企业,而苹果就是创始成员之一。 那Arm 有打算结束与苹果合作吗?看起来似乎没有。9 月时Arm 还宣布与苹果达成长期协议,延续到2040 年,这对科技领域来说是很长的时间;《The Information》指出,通常科技领域合作协议是五年,苹果与Arm 的协议远远超过这个年限。 此外,苹果现在也开始研究开放标准RISC-V 架构(不需支付任何专利费),且该公司先前也公开招聘RISC-V 架构程式设计师,未来也可能影响Arm 在苹果产品的地位。 但为什么Arm 还愿意与苹果合作?主要原因在与苹果合作可大大提升Arm 与其他供应商间的可信度,且苹果似乎也为Arm 带来更多客户。《The Information》称,Arm 可能是为了效仿苹果的成功,因此形成可能持续数十年的复杂合作关系。 来源:technews
每支iPhone 专利费赚不到0.3 美元,ARM对苹果颇恼火
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2024-05-13

提前一年!SK海力士2026年将量产HBM4E

SK海力士设定的目标是在2026年量产第七代高带宽存储器(HBM)。 HBM4E 是首款采用 10 纳米级第六代 (1c) DRAM 的产品。最初量产的目标是在 2027 年之后,但似乎是应 NVIDIA 等主要客户的要求提前的。随着SK海力士发展路线的改变,预计三星电子、美光等主要竞争对手将加速下一代HBM的开发和量产。 SK海力士PL金贵旭5月13日在首尔广津区华克山庄首尔大酒店举行的IMW 2024上表示,HBM一直在以两年为周期开发产品,但最近,由于技术进步,这个周期加快了大约一年。 NVIDIA 等主要客户的要求似乎影响了 HBM4E 量产计划的这一变化。 SK海力士相关人士解释称,HBM4E的最大特点是它采用了32GB DRAM芯片,此前1c DRAM被用作核心芯片,直到 HBM4,都使用 1b DRAM 作为核心芯片。业界预测SK海力士将在HBM4中使用1b DRAM,并比竞争对手更快地完成产品开发。 目前,HBM4E正处于开发的早期阶段,以确定产品概念。经确认,具体层数或粘合方法尚未确定。不过,当HBM堆叠超过20层时,估计会采用混合键合方法。 关于应用混合键合的时机,PL金贵旭表示,混合键合应用于量产工艺时存在良率问题,在HBM4中使用混合键合的可能性很低。 随着SK海力士推进其HBM量产路线图,三星电子等竞争对手的HBM开发步伐预计将加快。三星电子正在运营双下一代 HBM 开发组织,以提高 HBM 竞争力。 HBM3E将由负责现有HBM开发的DRAM设计团队负责,而计划于明年量产的HBM4将由最近新成立的HBM开发团队负责。 不过,根据开发路线图,SK海力士仍领先于量产。三星电子在 1 月份举行的 2023 年第四季度电话会议上宣布,计划明年开始 HBM4 样品,并于 2026 年实现量产。 同时,SK海力士正在通过向主要客户发送样品的方式对HBM3E
提前一年!SK海力士2026年将量产HBM4E
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2024-01-24

台积电1nm制程厂计划曝光:拟落地嘉义,预计2030年量产

1月22日消息,台积电1nm晶圆厂最新计划曝光,中国台湾消息人士透露,台积电拟在中国台湾地区中部的嘉义县太保市的科学园区设厂。此前台积电于法说会宣布将在高雄扩增建设第三座2nm晶圆厂,如今更先进制程的1nm晶圆厂计划也在进行中。 消息人士透露,台积电已向主管嘉义科学园区的南科管理局提出100公顷用地需求,其中40公顷设先进封装厂,后续60顷将作为一纳米建厂用地。由于台积电用地需求超出嘉义科学园区第一期规划的88公顷面积,预计将加速第二期扩编,以利台积电进驻。 台积电于2023年选定桃园、中科、龙潭等多个科学园区作为1nm产线备选地,考虑不同地区的土地、供水供电等问题。如今台积电选址嘉义,意味着其它计划遭弃。 据悉,台积电建厂小组在嘉义科学园区2023年8月编定纳入南科管理局管辖的科学园区前,即派人前往进行厂勘,这也是在进驻桃园龙潭科学园区第三期扩建遭激烈抗争后,台积电建厂小组启动备案计划,最后决定放弃在龙科三期扩建案内的设厂计划。 嘉义县行政部门表示,尊重台积电设厂地点决定,相信会有最佳评估,诚挚欢迎台积电投资嘉义、更欢迎优秀的人才来嘉义。嘉义科学园区目前清洁能源充足,也拟兴建海水淡化厂,为产业打造发展好基地,优渥条件绝对是首选。 产业分析人士指出,台积电1nm制程落脚嘉义科学园区,可分散区域风险,带动周边发展。此外,嘉义科学园区离嘉义高铁站车程仅七分钟,往北串起台积电中科、竹科厂,往南串连南科厂及高雄厂,均符合台积电创办人张忠谋先前所提可在一日内动员上千名工程师支持各厂区运作,让中国台湾西部科技廊带更完整。 根据台积电此前公布的路线图,1.4nm级A14和1nm级A10制造工艺,预计将于2027年至2030年实现量产。 来源:集微网
台积电1nm制程厂计划曝光:拟落地嘉义,预计2030年量产
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2023-07-19

北方华创发布首台国产12英寸晶边刻蚀机Accura BE

7 月 18 日消息,近日,北方华创科技集团股份有限公司(以下简称“北方华创”)正式发布应用于晶边刻蚀(Bevel Etch)工艺的 12 英寸等离子体刻蚀机 Accura BE,号称实现国产晶边干法刻蚀设备“零”的突破,为我国先进芯片制造量身打造良率提升高效解决方案。 ▲ 图源北方华创公众号 据介绍,在器件制造过程中,由于薄膜沉积、光刻、刻蚀和化学机械抛光等工艺步骤的大幅增长,在晶圆的边缘造成了不可避免的副产物及残留物堆积,这些晶边沉积的副产物及残留物骤增导致的缺陷风险成为产品良率的严重威胁,因此,越来越多逻辑及存储芯片等领域制造商开始重点关注 12 英寸晶圆的边缘 1mm 区域,从晶圆的边缘位置着手提高芯片良率。晶边刻蚀机作为业界提升良率的有力保障,其重要性日益凸显。 Accura BE 作为首台国产 12 英寸晶边刻蚀设备,其技术性能“已达业界主流水平”,IT之家附官方宣传亮点如下: 通过软件系统调度优化与特有传输平台的结合,可助力客户实现较高的产能; 通过选择搭配多种刻蚀气体,实现对 PR(光刻胶),OX(氧化物),SiN(氮化硅),Carbon(碳),Metal(金属)等多类膜层材料的晶边刻蚀工艺全覆盖; 可定制多种尺寸的聚焦环设计组合,实现对等离子体刻蚀区域的精准位置控制,从而为客户提供灵活、全面的良率提升方案; 具备软件智能算法,可实施可视化的量化调节,简化维护流程,提高设备生产效率。 北方华创表示,Accura BE 刚发布上市,就已斩获逻辑及存储器领域头部客户多个订单,通过工艺调试,进入量产阶段。 来源:IT之家
北方华创发布首台国产12英寸晶边刻蚀机Accura BE
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2022-12-06

半导体周期调整IGBT走强 头部企业订单饱满纷纷扩产

半导体周期虽然出现阶段性调整,但受益于新能源汽车、新能源发电等需求推动,以IGBT(绝缘栅双极型晶体管)为代表的功率器件强势增长,A股相关IGBT公司订单量饱满,产能供不应求。 车规级IGBT持续放量 作为IGBT龙头,斯达半导今年前三季度实现净利润达到5.9亿元,同比增长1.21倍,增速超过营业收入,销售毛利率达到41.07%,环比提升。 在12月5日斯达半导三季度业绩说明会上,公司高管介绍,近几个季度营收增长主要驱动力来自公司产品在新能源汽车、光伏、储能、风电等行业持续快速放量,市场份额不断提高;随着规模化效应释放、产品结构优化、生产经营效率提高,公司毛利率持续增长。 从收入结构来看,1~9月份,斯达半导来自新能源行业(包含新能源汽车、新能源发电、储能)的收入占比超过一半,成为公司业绩增长的主要推动力。其中,公司的车规级半导体模块在国内主流新能源汽车厂家大批量应用多年,市场份额不断提高,已成为国内新能源汽车车规级功率半导体模块的主要供应商。 据此前披露,斯达半导生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量,上半年合计配套超过50万辆新能源汽车,并预计下半年配套数量将进一步增加,其中A级及以上车型超过20万辆。 “公司正在积极扩产以满足不断增长的市场需求。”斯达半导高管介绍,目前公司订单饱满,公司整体产能利用率保持在较高水平,公司正在积极扩产建设以满足新能源汽车、光伏发电、风力发电、储能、工业控制等行业不断增长的市场需求。 产能爬坡影响利润 IGBT同行宏微科技也受益于新能源市场发展,今年前三季度公司实现净利润6125万元,同比增长约三成;其中,第三季度实现2901万元,同比上年同比增长近翻倍,销售毛利率21.77%,约为斯达半导一半。 对于毛利率差异,宏微科技高管在11月接受机构调研时指出,公司2022年全年毛利率相比较2021年处于同等水平,与同行业公司之间还
半导体周期调整IGBT走强 头部企业订单饱满纷纷扩产
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2023-09-05

小米拟重启手机自研芯片计划,已开始大量招聘设计师工程师

近日,手机中国注意到,在小米公司官方的招聘网站上,出现了大量和自研SoC相关的职位招聘,包括SoC设计工程师、高级SoC验证工程师(高速接口方向)、高级SoC验证工程师(低功耗方向)、SoC验证工程师(总线方向)等等。 小米在这些SoC相关的职务描述中写道:“负责自研SoC平台CPU能效以及调度交付”“承担关键特性的架构设计及开发”“负责自研SoC Android手机端到端调度特性的优化、问题识别及解决方案落地”“负责ARM架构CPU性能和功耗能效交付,基于对ARM CPU微架构的深入分析,达成Benchmark及功耗KPI”“负责SoC芯片的前端设计及端到端的全流程支持工作”等等。有网友猜测称,开始大规模招聘SoC相关的设计师和工程师,这或许意味着小米正计划重启自研SoC的研发工作。 2017年2月,小米在当时发布了一款小米5C智能手机,在当时引起了轰动。这款手机搭载了小米自研的8核心64位处理器)——小米澎湃S1。彼时,在发布会上,小米集团的主要创始人和董事长雷军曾表示:“我心澎湃”。可惜的是,在小米5C之后,小米并未拿出第二款搭载了澎湃核心处理器的手机,直到如今。 来源:手机中国
小米拟重启手机自研芯片计划,已开始大量招聘设计师工程师
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2024-05-06

AI 芯片供不应求,消息称台积电今明两年先进封装(CoWoS、SoIC)产能已被英伟达、AMD 包下

英伟达、AMD 两家公司重视高性能计算(HPC)市场,包下台积电今明两年CoWoS 与 SoIC 先进封装产能。 台积电对 AI 相关应用的发展前景充满信心,总裁魏哲家在 4 月份的财报会议上调整了 AI 订单的预期和营收占比,订单预期从原先的 2027 年延长到 2028 年。 台积电认为,今年 AI 服务器将会带来翻倍的营收增长。他们预测,未来五年 AI 服务器的年复合增长率将达到 50%,到 2028 年将占台积电营收的 20% 以上。 全球云服务公司(注:如亚马逊 AWS、微软、谷歌、Meta)正在积极投入 AI 服务器军备竞赛。英伟达、AMD 的产品供不应求,他们全力向台积电下单,以应对云服务公司的大量订单需求。 为应对客户的巨大需求,台积电正在积极扩充先进封装产能。今年底台积电的 CoWoS 月产能将达到 4.5 万至 5 万片,SoIC 预计今年底月产能可达五、六千片,并在 2025 年底冲上单月 1 万片规模。 英伟达目前的主力产品 H100 芯片主要采用台积电 4 纳米制程,并采用 CoWoS 先进封装,与 SK 海力士的高带宽内存(HBM)以 2.5D 封装形式提供给客户。 AMD 的 MI300 系列则采用台积电 5 纳米和 6 纳米制程生产,与英伟达不同的是,AMD 先采用台积电的 SoIC 将 CPU、GPU 芯片做垂直堆叠整合,再与 HBM 做 CoWoS 先进封装。 来源:IT之家
AI 芯片供不应求,消息称台积电今明两年先进封装(CoWoS、SoIC)产能已被英伟达、AMD 包下
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2022-07-19

总投资80亿元,湖南三安半导体项目二期开工

7月14日,长沙湘江新区全域145个重大项目集中启动开竣工仪式,其中,湖南三安半导体项目二期项目工程正式开工。 三安半导体二期项目总投资80亿元,占地面积480亩,按照规划,二期项目预计将于今年内建成投产。 资料显示,湖南三安半导体项目总投资约160亿元,占地面积约1000亩,主要建设具有自主知识产权,以碳化硅、氮化镓等为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。 该项目分两期建设,建设周期为48个月。一期项目主要聚焦碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设,项目产品主要应用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等领域。 2021年6月,项目一期已实现点亮试投产,成为国内首条、全球第三条SiC垂直整合产线,产线覆盖衬底材料、外延生长、晶圆制造、封装测试等主要环节,建成后可实现6英寸SiC晶圆月产能30,000片。 据悉,目前一期项目长晶、衬底、外延、芯片车间已全线正式批量生产,月产能力2万片。整个项目达产后,将实现年产值120亿元,年税收13亿元,增加就业1.2万人。  LEDinside整理
总投资80亿元,湖南三安半导体项目二期开工

超预期!英伟达Q4净利近乎翻倍,达430亿美元

2月26日,英伟达发布 2026 财年第四财季业绩报告,营收、盈利、核心业务增长及下一财季业绩指引全线超出市场预期。作为全球 AI 芯片领域的绝对龙头,这份财报不仅印证了 AI 产业的高景气度仍在延续,也清晰展现了英伟达在 AI 浪潮中的核心竞争力。核心业绩全线超预期,净利润翻倍本财季英伟达交出了一份远超华尔街预期的成绩单,核心财务指标均实现大幅同比增长,具体表现如下:营收规模再创新高:第四财季总营收达 681.3 亿美元,同比大幅增长 73%,超出市场预期的 662.1 亿美元,营收规模持续刷新历史纪录。盈利水平大幅跃升:当季净利润从去年同期的 221 亿美元增至 430 亿美元,实现近乎翻倍增长;摊薄后每股收益从 0.89 美元升至 1.76 美元,调整后每股收益 1.62 美元,超出市场预期的 1.53 美元,盈利能力随营收规模扩张持续增强。业绩指引大幅超预期,增长确定性极强:英伟达预计 2026 财年第一财季营收为 780 亿美元,上下浮动 2%,大幅超出分析师预期的 726 亿美元。值得重点关注的是,这一业绩预测并未计入来自中国市场的数据中心收入,意味着其核心业务的内生增长动力远超市场预期,也为后续业绩预留了充足的弹性空间。数据中心成绝对增长引擎本财季英伟达的业务结构呈现出极致的 “AI 主导” 特征,数据中心业务成为拉动业绩增长的绝对核心,其他业务板块则表现分化,传统核心业务权重持续下滑。(一)数据中心业务:增长与壁垒双重提升,生态布局持续深化数据中心业务是英伟达本财季的核心支柱,也是其超预期业绩的核心来源:营收规模方面,当季数据中心业务营收达 623 亿美元,同比增长 75%,超出市场预期的 606.9 亿美元,该业务收入占公司总营收的比重已超过 91%,几乎撑起了英伟达的全部业绩基本盘。增长结构方面,除核心 AI GPU 外,网络部件业务成为新的增长亮点。当
超预期!英伟达Q4净利近乎翻倍,达430亿美元
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2024-04-23

联电退出联咏董事会,消息称联咏部分OLED DDIC订单转交台积代工.....

显示器驱动IC 大厂联咏将于5/31召开股东会改选董事,最新公布的董事会改选名单显示,8 席董事候选人全是自然人,现任法人董事联电缺席。 据联咏公告称,本次独立董事应选名额为5 席、一般董事应选名额为3 席,新任董事名单为何泰舜、王守仁续任,新增迅捷投资协理郑婉伶;新一届董事会独董提名人为刘永生、黄婷婷、苏慧贞、王金来、廖湘如。 目前外界认为,联咏可能是为了降低过往视为联电公司的色彩。另有消息指出,联咏获得知名客户(A)相关手机应用大单,负责供应OLED 驱动IC,很可能传由台积电代工,而非联电。 由于联电将退出联咏董事会,加上联咏部分OLED 驱动IC 会释单给台积电,引发业界热议。 根据今年3 月最新统计,联电持股比率约2.7%,目前外界也在观察联电是否退出联咏董事后会,再接续出脱联咏持股。 来源:technews
联电退出联咏董事会,消息称联咏部分OLED DDIC订单转交台积代工.....

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