英特尔 18A 制程实测:M0 间距 36nm、GAA 间距 76nm,与宣传存在差距
Panther Lake 的逻辑最小栅极间距为 76nm,而 SRAM 位线间距为 52nm,两者之间存在显著差异。目前尚未公布 GAA 关键尺寸,因此无法进一步反推出 GAA 间距。分析认为,英特尔计划在 14A 节点引入钼,但 14A 的 M0 间距仍然较大,仅略小于 18A,因此目前尚无必要采用钌。分析认为,先不考虑英特尔承诺的 32nm 间距,仅从当前量产产品来看,即使在 36nm 上,良率稳定仍需一些时日。报告提到,18A 逻辑 GAA 间距达 76nm,甚至远大于中芯国际 N+3 工艺的 32nm 鳍片间距。
