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i20 1200V 200A/300A系列IGBT模块采用成熟的ST封装半桥拓扑设计，具有出色的温度循环能力，将运行结温提升至175℃显著提高了产品功率密度，从而拓展了散热设计的自由度。 该模块配备的i20精细沟槽栅型IGBT芯片组可实现极高的电流密度，其超低的损耗给模块带来了出色的系统可靠性，其对称环流设计，使得模块具有更低的寄生参数及开关特性，高度对称并联的电路设计，更好的实现了均流特性。

新品发布

1200V 200A /300A ST封装半桥IGBT模块   

产品型号：

SISD0200ST120i20 _A01SISD0300ST120i20 _A01

产品特点：

i20超低损耗精细沟槽栅IGBT芯片组

加强 AI2O3绝缘陶瓷基板低热阻铜底板

优化行业标准封装，显著降低内部阻抗与接线端温升

竞争优势：

基于多年功率半导体研发经验优化的国产IGBT与二极管芯片组

高鲁棒性短路耐受能力，提升系统安全性

优化开关特性，降低高频应用中的功耗

支持高功率密度输出，适用于紧凑型设备设计

采用可追溯性管理进行质量控制

应用领域：UPS、工业变频驱动器、电焊机、电源

1200V 200A /300A ST封装半桥IGBT模块，现已量产。欢迎广大客户访问赛晶亚太半导体公司网站 https://www.swiss-sem.com/，查阅详情、索取样品。