赛晶亚太半导体发布2300V SiC MOSFET——以创新功率器件技术驱动数据中心800V直流架构变革
2026年4月10日,深圳——在“800VDC数据中心能源变革·储能与第三代半导体协同发展论坛”上,赛晶亚太半导体研发主管Nick Schneider发表了题为《固态变压器用2300V SiC MOSFET技术方案》的主题演讲,正式发布面向下一代数据中心能源系统的2300V碳化硅功率器件解决方案。 新品发布 2300V SiC MOSFET 行业背景:AI算力增长驱动数据中心能源架构变革 随着人工智能技术的快速发展,全球数据中心算力需求呈现指数级增长。据行业统计,AI算力每六个月翻一番,而伴随而来的能耗问题已成为制约数据中心可持续发展的关键瓶颈。传统数据中心采用400V交流配电架构,依赖低频变压器实现电压变换,存在系统损耗高、设备体积大、功率密度低等固有缺陷,难以满足GPU集群爆发式增长的供电需求。 在此背景下,800V直流配电架构凭借其更高的输电效率、更简化的系统拓扑和更优的功率密度,正逐步成为数据中心能源系统升级的主流方向。固态变压器(Solid State Transformer, SST)作为实现中压交流到低压直流高效变换的核心设备,可在无需传统低频变压器的情况下完成能量转换,显著提升系统灵活性、可扩展性和整体能效。 技术方案:2300V SiC MOSFET赋能固态变压器 赛晶亚太半导体基于成熟的m23技术平台,开发出适用于固态变压器应用的2300V SiC MOSFET器件。该产品在电压等级选择上实现了技术性能与系统成本的最优平衡:相较于1200V器件,2300V器件可支持两级拓扑结构,减少50%的子系统数量和系统复杂度;相较于更高电压等级(如6.5kV)器件,则在成本、导通损耗和商用成熟度方面具有显著优势。 核心性能参数 SwissSEM 2300V SiC MOSFET具备优异的静态和动态特性:在150°C结温条件下,导通电阻RDS