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这份来自美银证券（BofA Securities）11月26日发布的全球存储科技研报，记录了分析师与SK海力士IR负责人的一次深度电话会议。

核心信号极其明确：HBM4已在四季度实现实际销售，2026年下半年占比有望突破50%，而传统DRAM的合约价格在未来6-9个月内仍有50%的上行空间——这在当前spot price已处于"异常高位"的背景下，堪称重磅leak。

HBM4量产与产能扩张均按计划推进，1c节点产能将在2026年底覆盖韩国fab约50%的非HBM产能（目前仅20%）。

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研报特别指出，"our channel checks indicate that Hynix is the No. 1 HBM3e supplier to Google/Broadcom"（我们的渠道调研显示，海力士是谷歌/博通HBM3e的第一供应商）。NAND方面情绪也较6-12个月前明显转暖，eSSD需求是主要推手，但海力士明确表示不会扩晶圆产能。

Capex将维持历史高位，市场预期的2026年约30万亿韩元支出与管理层口径一致；股息方面，创纪录的自由现金流为分红提供了充足想象空间。

Samsung虽在HBM4量产与1c节点上仍落后海力士一步，但美银维持"买入"评级，看好其4Q25至2026年传统DRAM ASP回升带来的利润修复，加上低估值P/B提供安全边际。

整体而言，DRAM超级周期逻辑未变，谷歌新TPU与英伟达持续加单共同推动HBM及整体存储需求扩张，两大韩厂的alpha依然清晰——更多细节与估值逻辑，以上传星球。