ASML于9月8日连续发布三项公告，台积电、三星电子及英特尔全面承诺推进High-NA EUV光刻技术应用。

三家时间表明确：
三星：2028年率先用于DRAM大规模生产
台积电：2030年起用于先进制程，2031年建立12英寸光罩试产线，并以2033年支持大尺寸光罩High-NA系统量产为目标
英特尔：已处理超100万片晶圆，率先实现High-NA逻辑芯片量产，18A中采用High-NA制造的特定制程层，表现已经达到或超过传统0.33NA EUV对应层。

更大的看点在于12英寸光罩计划，ASML与台积电联手推动光罩从6英寸向12英寸升级，可将High-NA设备吞吐量提升40%，目标2031年试产、2033年量产。

台积电此前曾对High-NA持谨慎态度，此次态度逆转意义重大，台积电约占ASML营收的16%。