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2025年6月5日， 博通公司公布了截至 2025 年第二季度的财务业绩。 得益于人工智能网络强劲需求的推动，第二季度，博通AI相关半导体收入同比飙升46%，突破44亿美元。 对于未来的业绩增长，博通很乐观。博通CEO陈福阳表示，已有3家大型客户计划在2027年部署超百万颗AI加速芯片集群，同时预计还将新增4家客户，未来三年AI芯片市场规模有望达到600–900亿美元。博通公司预计，第三季度公司AI相关芯片收入将增长至51亿美元。这意味着，博通将连续十个季度实现增长。 观察博通的财报，会发现其半导体解决方案的收入占比从2020年开始一直稳步增加。2024年，博通收入同比增长44%，达到创纪录的516亿美元。该财年，博通人工智能收入同比增长220%，达到122亿美元，推动公司的半导体收入达到创纪录的301亿美元。在2023年博通收购VMware后，2024年博通半导体解决方案的收入占比降至58.35%；但收入绝对值依旧在2024年实现了6%的增长。“软硬一体”正让博通迎来新的增长。 时间来到2025年，AI产业保持火热发展，真正意义上成为前几年低迷市场的救世主。博通也通过帮助科技公司制造AI 芯片迅速发展，其估值成为仅次于英伟达的半导体公司。根据6月12日数据，英伟达市值35380亿美元，博通市值12044.2亿美元，市值排在第三位的是台积电11173.4亿美元。 从股价表现来看，过去两个月博通股价涨幅超过70%，是标普500指数中表现第五好的股票。这对一家体量庞大的公司来说，是一个相当大的涨幅。在这轮上涨过程中，博通市值一度突破1万亿美元，超过沃尔玛和特斯拉，成为美国市值第七高的上市公司。 三个月以来，博通的表现远高于标普500指数 01 “平替”英伟达，博通的产品组合 英伟达在AI领域的优势建立在三个核心技术上：硬件GPU、软件CUDA生态和高速网络互连技术NVLink。

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自semiengineering 英特尔和三星正在研发先进的制程节点和先进的封装技术，但目前所有大型厂商都已100%依赖台积电。 大型语言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推动数据中心 AI 容量和性能的快速扩展。更强大的 LLM 模型推动了需求，并需要更多的计算能力。 AI 数据中心需要 GPU/AI 加速器、交换机、CPU、存储和 DRAM。目前，大约一半的半导体用于 AI 数据中心。到 2030 年，这一比例将会更高。 台积电在AI数据中心逻辑半导体领域几乎占据100%的市场份额。台积电生产： Nvidia GPU、NVLink 和 CPU。 AMD CPU 和 GPU。 英特尔 CPU。 适用于 Microsoft、Amazon、Google 和 Open AI 的 AI 加速器（与 Broadcom、Marvell、Alchip 和 Mediatek 共同设计）。 Broadcom 和 Astera 交换机。 ASpeed 底板管理芯片。 台积电唯一没有生产的必需 AI 数据中心芯片是存储器：HBM、DDR、闪存。 AI数据中心芯片代工，为何青睐台积电？ 台积电拥有AI数据中心必须具备的四大要素： 最先进的工艺技术和产量。 最先进的封装技术和产量。 能够快速将复杂的新产品提升至每月大批量生产。 拥有提前数年开发并批量交付的财务实力。 先进制程技术： AI 数据中心芯片，尤其是 AI 加速器，需要最先进的制程技术才能在芯片上集成最多的晶体管。像格芯这样的代工厂，目前无力承担先进 FinFET 节点的开发资金。目前只有英特尔、三星和台积电拥有 2 纳米及以下制程技术和路线图。 先进的封装技术： LLM 模型的规模呈指数级增长，即使采用最先进的工艺节点和最大的光罩尺寸，单个 GPU 芯片也无法处理该模型。运行 L

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 美国计划进一步激励芯片制造商在2026年底税收减免到期之前投资建设新工厂。 据报道，美国参议院的税收法案草案要求暂时增加对半导体制造商的投资抵免，加强对芯片制造商在美国建厂的补贴。该措施将把税收抵免额度从工厂投资的25%提高到 30%，从而进一步激励芯片制造商在2026年底税收减免到期之前投资建设新工厂。 《芯片与科学法案》由美国前总统拜登于2022年签署，是美国国内政策的支柱，旨在利用政府支持将转移到亚洲的半导体制造业带回美国本土。该法案包括390亿美元的拨款以及高达750亿美元的贷款——但该法案最丰厚的福利是其对项目25%的税收抵免。而这其中主要受益者包括英特尔公司、台积电、三星电子和美光，几乎在所有情况下，税收抵免都在芯片法案激励措施中占据最大份额。 特朗普呼吁废除《芯片法案》，但两党议员都不愿取消为其选区提供高薪工作的补贴。包括商务部长霍华德·卢特尼克在内的政府官员表示，他们正在与半导体制造商重新制定协议，以鼓励在不增加纳税人资金的情况下进行更大规模的投资。 参议员们希望在7月4日假期前将这项旨在为家庭和企业减税数万亿美元的税收法案送达特朗普的办公桌。该法案很可能在参议院进行修改后才能进行全体投票。最终版本也必须获得众议院批准才能正式成为法律。 债务上限提高到5万亿美元，三项企业税收减免永久化 日前，美国联邦参议院共和党人公布了总统特朗普数万亿美元经济计划中关于税收和医疗保健条款的修订版本，新版本法案在扩大部分税收减免的同时，将债务上限提高5万亿美元，而此前众议院通过的版本为4万亿美元。 值得注意的是，该草案中并未就“州和地方税扣除”（SALT）达成最终协议。当前法案仅以现有的1万美元SALT扣除上限作为暂定条款，立法者仍在就这项具有高度政治敏感性的减税内容展开谈判。 据悉，参议院版本最重要的变动，是将原本在众议院版

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自digitimes ASML的EUV技术还能走多远？ 荷兰半导体设备领导者ASML Holding NV 主导着极紫外 (EUV) 光刻技术，而这项技术是生产尖端半导体芯片的关键。随着行业向更小的节点迈进，以推动人工智能、5G 和下一代计算的发展。 一个问题是：ASML 的 EUV 技术还能走多远？ 根据Research and Markets、Future Market Insights数据，ASML控制着全球75%至80%的EUV光刻市场，其技术无人能及。ASML为所有主要芯片制造商（台积电、三星电子和英特尔）提供产品，实际上垄断了EUV系统领域，该领域贡献了其近四分之一的总收入。 2025年第一季度，ASML净销售额达77亿欧元（约合89亿美元），毛利率达54%，未完成订单达39亿欧元。预计全年销售额将达到300亿-350亿欧元，这主要得益于EUV系统需求的强劲增长以及市场对深紫外光刻设备日益增长的兴趣。 技术路线图：从标准EUV 到高数值孔径及更高水平 标准EUV（0.33 NA） 自2016 年首次亮相以来，ASML 的 0.33 NA EUV 系统（采用 13.5 纳米光刻技术）已实现 2 纳米节点的图案化步骤比 193 纳米浸没式光刻机更少。其结果是：更高的分辨率、更高的良率以及更低的制造复杂性。 高数值孔径EUV (0.5 NA) ASML 的高 NA EUV 系统（0.5 NA）目标是到 2029 年实现 1 纳米级节点的生产。据Tech in Asia和 TrendForce 指出，英特尔计划在其 14A 节点采用该系统，但台积电由于成本和复杂性而选择放弃 A16/A14。 高数值孔径EUV 需要光学、激光器和晶圆系统方面的重大进步。其较小的视场和较浅的焦深需要新的光刻胶、超平坦晶圆以及重新设计的掩模平台

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自securities.io 二维材料凭借其原子级厚度和高载流子迁移率，提供了一种极具前景的替代方案。 在构成现代电子技术基础的半导体技术领域，硅（Si）是应用最广泛的材料。 硅是地球上仅次于氧的第二丰富元素，它通过微型化推动了半导体技术的进步。从微处理器到自动化、计算机、智能手机和电动汽车，硅通过显著缩小设备的物理尺寸，推动了电子技术的突破。 但现在，规模化带来的挑战使得探索新材料成为必要。二维（2D）材料展现出在原子层面上实现器件性能空前提升的潜力。 二维材料是单层原子的超薄纳米材料。它们具有高度的各向异性和化学功能性，其优异的电子特性使其具有广泛的应用前景。石墨烯是一种流行的二维材料。 因此，二维材料凭借其原子级厚度和高载流子迁移率，提供了一种极具前景的替代方案。基于这些材料的晶圆级生长、高性能场效应晶体管 (FET) 和电路也取得了重大进展。 场效应晶体管（FET）是一种利用电场控制半导体电流的晶体管。FET是现代电子器件中至关重要的电子元件，在高压高频电源电路中充当受控开关。 尽管已经取得了很大进展，但实现互补金属氧化物半导体 (CMOS)集成仍然是一个挑战。 CMOS是一种用于制造集成电路的技术，尤其适用于计算机处理器、存储芯片和其他数字设备。它有助于调节流经这些组件的电流，这对于组件的正常运行至关重要。 值得注意的是，CMOS 以互补的方式使用 n 型 (NMOS) 和 p 型 (PMOS) 晶体管来实现逻辑功能。 N型晶体管使用带负电的电子作为主要电荷载流子来导电，并允许电流流动。在P型晶体管中，大多数电荷载流子是空穴（正电荷），它们允许电流从电源流到输出。 在CMOS中，金属氧化物半导体是指用于构造晶体管的材料：用于栅极的金属、用于绝缘层的氧化物和用于通道的硅半导体。 CMOS 的强大之处在于它能够在单个半导

摘要 精密装备通常指加工工艺中精度达到微米级的装备，超精密装备通常需要达到微米级甚至纳米级以上。超精密装备是今天先进制造的基础，同时也是若干高技术产业的关键组成部分，如集成电路、显示、航空航天、仪器仪表、高端机床等。这些产业中超精密装备的水平对该产业的发展水平有决定性影响。超精密装备还是现代科学、技术和工程实践成果的结晶，其发展是一个不断迭代进步的历史过程，需求牵引、科技进步和工程师的关键技能（know-how）积累缺一不可。时至今日，超精密装备产业基本被发达国家的少数企业垄断。超精密装备产业比较薄弱，也是中国作为全球第一制造业大国但还不是制造强国的重要原因之一。文章分析了当前我国超精密装备产业发展的现状和存在的主要问题，以及这些问题产生的原因。面对剧烈变化的内外环境，提出了抓住机遇、迎接挑战的具体工作建议。 关键词 超精密装备，制造业，4类企业，3支队伍 DOI：10.3724/j.issn.1000-3045.20250410002 CSTR：32128.14.CASbulletin.20250410002 作者简介 曹健林，季华实验室理事长、主任，国家新型显示技术创新中心理事长。科学技术部原副部长。主要从事EUV多层膜和相关工程光学技术研究。

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 HBM，未来已来。 HBM利用 3D 堆叠的 DRAM 架构，提供卓越的数据带宽和效率。与依赖更宽总线和更高时钟速度的传统内存模块不同，HBM 将多个内存芯片垂直堆叠，并与处理器紧密集成。这种方法显著拓宽了通信接口，同时降低了延迟和功耗。HBM 由 JEDEC 标准化，最初由三星、AMD 和 SK 海力士共同开发，并于 2015 年首次在 AMD 的 Fiji GPU 中实现商用。自那时起，HBM 已成为高性能应用的关键推动者，包括 GPU、AI 加速器、网络设备，甚至需要高带宽缓存或主内存的 CPU。 HBM 的兴起源于“内存墙”这一持续存在的挑战——处理器速度与内存带宽之间日益扩大的差距。随着 CPU 和 GPU 的发展，DDR 和 GDDR 等传统 DRAM 解决方案难以跟上步伐。早期尝试弥合这一差距的方法包括提高时钟频率和总线宽度，但功耗和信号完整性的限制使得进一步扩展变得不切实际。这促使了 3D 堆叠内存等创新解决方案的出现。 在 HBM 之前，JEDEC 于 2011 年为移动设备推出了 Wide I/O DRAM，美光则开发了混合内存立方体（HMC），这是另一种堆叠 DRAM 概念。这些早期设计为 HBM 铺平了道路，HBM 于 2013 年正式标准化，并在两年后首次实现商用部署。自那时起，多代 HBM 不断提升内存带宽和效率，巩固了其作为高性能计算基础组件的地位。 如今，下一代 HBM 内存已在未来 10+ 年内被预告，包括 HBM4 将出现在 NVIDIA 的新 Rubin AI GPU 和 AMD 刚刚发布的 Instinct MI400 AI 加速器上，但我们还有关于 HBM5、HBM6、HBM7 和 HBM8 的详细信息，它们将于 2038 年出现。 在KAIST（韩国科学与技术研究院）和Tera（T

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 此次交易是赛微电子审慎研究后的战略选择。 近日，赛微电子宣布，拟向Bure、Creades 等七名交易方转让公司所持有的瑞典 Silex Microsystems AB 45.24%股份，交易价格为 23.75 亿瑞典克朗，约合人民币 17.83 亿元。 本次交易之后，赛微电子仍然持有 Silex 约 45.24％的参股股份、2 名董事席位，保留参与重大事项决策的权利，但不再控股。 赛微电子表示，本次交易旨在应对复杂国际政经环境，优化资源配置，集中力量深耕中国半导体市场。此次交易预计将为公司带来可观的现金流入，有助于公司优化资产负债结构，回笼资金并集中资源，进一步聚焦和投入重点业务领域，巩固和提升公司在国内市场的竞争优势。 瑞典Silex连续多年排名第一 瑞典Silex成立于2000年，是全球领先的MEMS芯片制造商。 据Yole数据，自2019年至2023年，瑞典Silex在全球MEMS纯代工厂商排名中均位居第一，MEMS营收连续数年超越竞争对手Teledyne、台积电、索尼、X-fab等。Yole的报告还表明，瑞典Silex在支持的产品种类上也超越竞争对手。 2015年赛微电子发起收购瑞典Silex。这是一座成熟的MEMS晶圆工厂，拥有两条200mm产线。在过去10年中赛微电子与瑞典Silex真诚合作、共迎挑战，在产业与财务方面均实现了共同成长。 在收购完成初期，瑞典Silex与赛微电子控股子公司赛莱克斯北京开展技术合作，对赛莱克斯北京MEMS产线的设计建造、工程师团队搭建、生产工艺流程等提供了基础支持。 在并入赛微电子之后，瑞典Silex也取得了巨大发展，员工人数从超100人增长至超400人，营业收入从超2亿元增长至超8亿元，净利润从0.2亿元增长至最高2亿元水平，行业地位从纯代工厂商排名靠前提升至连续5年位居第一。

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 PCIe 6.0 SSD要到2030年才会问世。 PCIe 5.0 SSD 将在市场上停留相当长的时间，至少对于消费市场来说是这样。Silicon Motion 的首席执行官透露了 PCIe 6.0 没有需求的真正原因。 Silicon Motion 确认 PCIe 6.0 SSD 要到 2030 年才会问世，因为 PCIe 5.0 SSD 足以满足当前的消费市场需求。 听到 PCIe 5.0 SSD 在市场上的使用寿命很长也就不足为奇了，这不仅因为它们更新、更快，还因为不需要更快的驱动器。与 PCIe 4.0 相比，PCIe 5.0 标准的传输速度几乎翻了一番，而主流消费市场尚未正确过渡到新标准。 消费者还需要几年时间才能看到新标准在市场上普及，因为两者之间几乎没有任何使用户受益的重大影响。这也是 Silicon Motion 首席执行官 Wallace Kou 的想法，据悉PC OEM 目前对 PCIe 6.0 没有兴趣，AMD 和英特尔都不想谈论它。 由于 PCIe 5.0 表现相当不错，而且 SMI 已经是行业的领军者，因此它觉得没有必要准备 PCIe 6.0 SSD 控制器。Kou 表示，PCIe 5.0 的竞争已经减少，因为它的成本远高于制造 PCIe 4.0 控制器。如果包括 PCIe 5.0 SSD 的 IP 和掩码成本，单次流片成本可能是制造 PCIe 4.0 SSD 的两倍。 从 PCIe 5.0 到 Gen 6.0 可能会导致更高的制造成本，Gen 6.0 SSD 控制器比 Gen 5.0 控制器贵 25% 到 30%。PCIe 6.0 控制器将拥有 16 个 NAND 通道，并将使用 4nm 工艺节点制造。这就是为什么单次流片的成本可能高达 30 至 4000 万美元，而 PCIe 5.0 的成本仅为

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自aninews 三强蓄势待发。 预计2025 年下半年全球对下一代 2 纳米半导体的领先竞争将愈演愈烈，顶级代工厂台积电和三星电子准备开始大规模生产。与此同时，英特尔也希望通过推出更先进的1.8nm制程技术来超越竞争对手。 据报道，台积电已开始接收其2纳米工艺节点的客户订单。这些芯片预计将于今年下半年在其位宝山和高雄的工厂生产。 这对台积电来说是一个重要的里程碑，因为它首次在其2nm 芯片中采用了环栅 (GAA) 晶体管架构。与目前的 3nm 技术相比，新节点有望将性能提高 10-15%，功耗降低 25-30%，晶体管密度提高 15%。 与此同时，第二大晶圆代工企业三星电子也计划在2025 年下半年实现 2nm 芯片的量产。 该公司在其最新财报中确认，将于今年开始采用其2nm 工艺生产移动芯片。虽然该公司没有透露具体产品，但普遍认为这款芯片是 Exynos 2600，预计将于 2026 年初应用于即将推出的 Galaxy S26 系列。 三星是首家在其3nm 芯片上采用 GAA 技术的公司，但初期因良率低而陷入困境。该公司目前的目标是利用其早期经验来提高其 2nm 生产效率。 据消息，台积电目前在全球晶圆代工市场占据主导地位，到2025 年第一季度，其市场份额为 67.6%。该报还补充说，台积电2 纳米良率已超过 60%，这是稳定量产的关键水平。 相比之下，据报道三星的成品率约为40%，市场份额为7.7%。三星的2nm GAA工艺良率仍在爬坡阶段。尽管三星声称其2nm节点的良率已超过40%，相比早期的30%有了明显提升，但仍远低于台积电的水平。为了提升良率，三星正通过优化制造流程和加强系统LSI与晶圆代工事业部之间的协作来降低成本并提高效率。不过，要达到稳定的量产水平（通常需要70%以上的良率），三星仍需时间。 随着FinF