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i23系列 1200V 1000A/1100A IGBT模块采用经典ED封装，超精细微沟槽栅技术下的i23芯片赋予模块超低损耗Eon+Eoff，1200V/1000A 产品搭配加强型Si3N4 绝缘陶瓷覆铜基板，有效增强了模块出流能力。1200V/1100A产品在此基础上增加Pinfin散热底板，实现最低最低热阻的同时进一步提升了出流能力，为大功率、高功率密度、高可靠性的光伏、储能和商用车领域带来全新的解决方案。 新品发布 1200V 1000A/1100A ED封装IGBT模块 产品型号 SISD1000ED120i23 SISD1100ED120i23P 产品特点 i23超低损耗微沟槽栅IGBT芯片组 加强 Si3N4 绝缘陶瓷覆铜基板 低热阻铜底板 行业标准封装，低内部阻抗 实现最低热阻的针柱散热底板 可选择压接式信号引脚 应用领域 光伏逆变器 储能PCS 商用车 变频器 电焊机 UPS

近日，赛晶科技旗下瑞士子公司ASTROL的固态功率组件，获得来自全球头部AI数据中心电气设备制造商的首个批量订单。ASTROL新型固态功率组件将用于该客户最新研发的AI数据中心用固态变压器（SST）中。 ASTROL搭建了丰富的固态开关整体解决方案产品矩阵，产品线覆盖超高速固态直流断路器、固态交流和脉冲功率开关，及多种功率开关组件。依托卓越的产品可靠性与定制研发实力，ASTROL有能力满足AI数据中心电力系统的多元化需求。 凭借国际领先的核心技术、深厚行业积淀与完整产品布局，ASTROL持续强化在固态开关领域的先发优势，为全球AI数据中心产业的高速发展提供坚实保障。

近日，受国网特高压部委托，国网特高压公司在无锡赛晶电力电容器有限公司组织召开蒙西-京津冀工程达拉特换流站BP11/13交流滤波器电容器设备厂内实物冻结专项会议。国网蒙东电力、国网直流中心、国网物资公司、国网经研院、国网工研院、项目施工及监理等多家单位代表，以线上线下相结合方式参会评审。无锡赛晶总经理耿峰带队出席会议，全程参与设备评审与工作对接。 本次实物冻结是特高压工程设备投产前的关键性质量管控节点，直接决定设备批量生产与工程供货进度。会上，各参会单位全面核查设备技术规范执行、设计要求落地、反措整改、原材料质控、生产工艺及试验检测等全维度内容，并对首台设备实物进行联合审查核验。 经多方严谨评审与综合研讨，与会各单位一致确认：由无锡赛晶承制的达拉特换流站BP11/13交流滤波器电容器首台设备实物，完全契合工程技术标准、安全反措及项目建设各项要求，顺利通过厂内实物冻结评审。关键节点圆满达成，标志着该款设备设计、工艺、质量全面定型固化，正式具备规模化批量生产条件，为项目后续高效供货、工程稳步推进筑牢坚实质量基础。 蒙西-京津冀特高压工程是区域清洁能源输送的核心骨干通道，对保障电网稳定运行、优化能源资源配置具有重要意义。交流滤波器电容器作为换流站的核心关键设备，承担着电网谐波治理、稳定电压运行的重要职能。 下一步，无锡赛晶将严格落实本次会议各项要求，严守产品质量底线，精细化推进批量生产、出厂核验及物流保障等各项工作，以高标准、高品质的电力设备助力蒙西-京津冀特高压工程高质量建设，为新型电力系统建设与跨区域能源安全输送保驾护航。

近日，工业和信息化部发布《关于第二轮第三批支持专精特新中小企业高质量发展工作2026年拟支持各省企业数量的公示》。赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”），成功入选国家级专精特新重点 “小巨人” 企业，这份荣誉是国家对赛晶半导体综合实力、创新能力与行业价值的高度肯定。 重点 “小巨人” 是国内中小企业的最高层级荣誉，堪称产业领域的 “硬核标杆”。其遴选标准严苛、优中选优，含金量与稀缺性十足，截至第二轮第三批次全国各行业仅有3852家国家级专精特新重点 “小巨人”企业。入选企业必须深耕细分赛道，兼具专业化、精细化、特色化、新颖化核心优势，扎根产业链关键环节，是保障产业链供应链稳定的中坚力量。此次成功入选，充分印证了赛晶半导体在高端功率半导体领域的行业领先地位。 作为新能源产业链核心器件行业领军企业，赛晶半导体深耕IGBT、FRD、碳化硅芯片及模块等高端功率半导体赛道，拥有国内稀缺、国际领先的自主芯片技术，凭借顶尖技术团队、领先制造工艺与完善质控体系构筑核心竞争力。公司汇聚欧洲及国内顶级IGBT、SiC设计和制造各个环节的资深技术专家，打造实力雄厚的研发队伍；依托工业4.0全自动智能制造产线、千级洁净生产车间，搭建国际标准的全维度质量管控体系，配套先进信息化管理与全面测试平台，为产品品质筑牢根基。 赛晶半导体，最新推出采用第七代微沟槽技术的IGBT芯片及模块，及国际领先水平的 SiC MOS 芯片及模块，性能对标全球一线厂商最高水准，为新能源、储能、工业提供高端国产方案。此外，随着人工智能数据中心（AIDC）快速扩张，更大功率、更高效率的800V直流供电系统呈爆发式增长，赛晶半导体针对性研发1200V及2300V SiC MOS芯片与模块，直击AIDC用国产高端功率半导体供给短板，助力全球能源革命与数智产业发展。 此次获评国家级专精特新重

2026年6月3日，全球光储行业年度盛会——SNEC 第十九届(2026) 国际太阳能光伏和智慧能源( 上海) 大会暨展览会在国家会展中心（上海）举办。作为全球最具影响力的光伏行业盛会之一，本届展会汇聚了来自全球的光伏产业链企业、行业专家及合作伙伴，共同探讨新能源产业发展的新趋势与新机遇。 赛晶科技作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业，携自主研发IGBT、SiC芯片及模块和配套元器件，层叠母排、集成母排及电力电子电容器亮相展会现场，全面展示了赛晶在光伏、储能与电力电子系统集成方向的最新研发成果，成为展会焦点。 立足全球能源低碳转型、双碳战略落地的产业大环境，光伏、储能已是新型电力系统建设的核心支柱产业。依托自主化研发积淀，赛晶科技IGBT、SiC芯片及模块和配套元器件，层叠母排、集成母排及电力电子电容器，以其卓越性能在光伏储能领域大放异彩，吸引众多国内外与会者和客户的高度关注和深入交流，充分展现了赛晶科技在新能源产业的技术创新和引领优势。 此次展会期间，赛晶集中展示了覆盖IGBT与SiC两大技术路线的全谱系功率器件及配套元器件产品，形成了完整的产品生态体系。涵盖ED、ST、EP、BEVD、FP、TF六大封装系列IGBT模块，HEEV与EVD封装SiC模块，以及自主设计的IGBT芯片和二极管芯片，全面覆盖1050V/1200V/1700V三大主流电压平台。产品深度适配光伏集中式逆变器、组串式逆变器、工商业储能系统等主流应用场景，可满足从千瓦级户用系统到兆瓦级电站的多样化需求，充分体现了赛晶对新能源市场需求的精准把握与技术储备的深厚积淀。 除半导体产品外，赛晶自研层叠母排、集成母排、电力电子电容器等电力电子配套产品同样斩获行业高度评价。其中层叠母排凭借高可靠、紧凑型结构，深耕特高压输电、新能源发电、工业变频市场，收获海外客户广泛认可；集成母排则为电池系统和电源应用提供了高度

4月7日下午，赛晶科技集团增资项目签约仪式在嘉善经济技术开发区举行。作为国内领先的电力电子器件与系统集成商，赛晶科技集团此次增资2000万美元，将在现有厂区新建约1.3万平方米厂房，并计划新租赁2.3万平方米厂房，布局金属化蒸镀膜、AI直流配电系统固态直流断路器等前沿领域，达产后预计新增年产值超5亿元。 赛晶科技集团深耕电力电子领域多年，在嘉善经开区已布局华瑞赛晶、赛晶亚太半导体等多个子公司，形成覆盖特高压、新能源、轨道交通等领域的产业矩阵，其产品在不同应用场景都有着广泛应用。此次增资项目，是集团基于产业链协同与前沿技术布局的战略落子。 “此次新建的1.3万平方米厂房，将用于金属化蒸镀膜生产，该材料是柔直用直流支撑电容器的核心上游原料。”赛晶科技集团董事会主席项颉介绍，过去，公司都是从外部采购这一原料，未来，将实现自产自用，在降低生产成本的同时形成自主可控的供应链。 如果说布局金属化蒸镀膜项目是“固本”，那么新租赁厂房布局AI直流配电系统固态直流断路器、半导体设备脉冲电源、可控核聚变脉冲电源等领域，则是赛晶科技“拓新”的关键一步。 近年来，在AI数据中心赛道，随着算力持续爆发，用电需求不断激增。在这其中，固态直流断路器是AI数据中心800伏直流供电的关键部件，可以实现微秒级分断，是保证数据中心安全运行的关键技术。对此，赛晶科技集团抢抓这一风口，提前布局AI赛道，重点开展AI直流配电系统固态断路器的研发、生产和销售，加强用于数据中心的固态直流断路器和SiC MOSFET的技术研发和业务推广，进一步满足AI数据中心各级电源的需求。 值得一提的是，增资项目将与赛晶科技现有业务形成紧密协同。金属化蒸镀膜自产，将保障柔直用直流支撑电容器的稳定生产。而AI直流配电系统固态直流断路器、半导体设备脉冲电源、可控核聚变脉冲电源等新业务，则与集团特高压、IGBT业务形成技术互补。从特高压输电到

$智谱(02513)$ 智谱昨天涨，今天跌，多空都给了赚钱的机会，这样也好，不用相互打架