低估值芯片股正飞速超越英伟达!牛市看涨期权策略解析

投资者正在转向相对估值较低的芯片设计和制造公司。截至本周三,$美光科技(MU)$$高通(QCOM)$$微芯科技(MCHP)$股价飙升近7%;$意法半导体(STM)$上涨5%;$台积电(TSM)$$超微半导体(AMD)$$阿斯麦(ASML)$涨幅超过4%,远远跑赢了$英伟达(NVDA)$本周仅0.78%的涨幅。

$英伟达(NVDA)$ 的预期市盈率为33.45,显著高于同行如 $高通(QCOM)$ (13.52)和 $美光科技(MU)$ (16.32)。其市销率高达23.65,也远远超过高通(4.15)、美光(4.07)和 $美国超微公司(AMD)$ (7.20)。这一估值差距引发市场对高成长股估值过高的担忧,出现部分获利了结的迹象。

投资者密切关注贸易政策的最新进展,认为任何出口限制的放松都将成为芯片股持续上涨的重要催化剂。芯片公司仍是人工智能革命和数字基础设施扩张的核心。

随着投资者轮动进入估值相对较低的芯片制造商,看涨价差(bull call spread)等期权策略成为把握美光、台积电等公司上涨潜力的有效方式。在估值压力影响英伟达表现的背景下,市场对“二线”芯片股的战术布局日益升温,尤其是在AI热潮和贸易政策利好共同推动的广泛半导体反弹中。

美光:投资者押注2025年第四财季与2026财年强劲增长

$美光科技公司(MU)$ 的股价在过去几个月大幅上涨,此前由于关税不确定性和NAND闪存价格疲软,该股年初曾遭遇重挫。如今诸多利好因素开始汇聚,为公司在2025年底至2026年初创下历史新高业绩奠定基础,特别是在存储周期全面启动的背景下。即使在近期上涨之后,市场对其未来的信心依然强烈。

尽管宏观经济因素在美光股价的反弹中确实发挥了重要作用,但另一大关键催化剂则是即将到来的“内存超级周期”。尽管近期业绩受到NAND供过于求的拖累,但内存市场正逐步接近一个拐点,DRAM和NAND都将步入有利的价格环境。

如今,随着美光将于6月25日公布2025财年第三财季财报,投资者可能开始思考应该期待些什么。

美光在第二财季的财报表现平平,显示出利润率依然承压,并提供了预期之中的第三财季业绩指引,继续显示疲弱迹象。然而,市场普遍预期公司管理层将在财报中展望一个乐观的2026财年前景,这有望成为催化剂,推动投资者重新涌入该股,随着内存周期重新加速上涨。

期权策略:看涨价差(Bull Call Spread)

策略结构

  • 买入 2025年7月11日 到期的 $115 看涨期权(中间价约 $8.38)

  • 卖出 2025年7月11日 到期的 $120 看涨期权(中间价约 $6.13)

  • 期权代码:‌$MU 跨价 250711 115C/120C$  

净支出成本(权利金): 约 $2.25 每组价差组合

关键指标

  • 最大收益: $5.00(两个执行价之间的差值) - $2.25(净支出) = $2.75 每组(收益率 122%)

  • 盈亏平衡点: $115 + $2.25 = $117.25

为什么这个策略可行

  • 该策略在限制初始投入成本的同时,也限定了潜在收益的上限。

  • 当财报发布后美光股价上涨至 $120 以上时,将从中获益。

台积电5月营收因AI需求强劲大增39.6%

$台积电(TSM)$,作为英伟达和苹果的主要芯片代工厂商,公布5月营收同比增长39.6%,原因是面对日益加剧的贸易不确定性,企业提前囤积芯片。受此提振,台积电股价周二上涨2.6%。

台积电5月营收达新台币3,205亿元(约合107亿美元),虽然环比较4月的48%增幅略低,但仍表现强劲。分析师普遍预计台积电第二季度营收将同比增长39%。不过,5月营收相较4月仍下滑了8.3%。

台积电首席执行官魏哲家上周向股东重申,公司2025年营收将以美元计价实现中段20%范围的增长。他表示,AI芯片的需求仍持续大于供应

期权策略:看涨价差(Bull Call Spread)

策略结构:

  • 买入7月11日到期的 $215 看涨期权(权利金 $6.71)

  • 卖出7月11日到期的 $230 看涨期权(权利金 $2.15)

  • 合约代码:‌‌$TSM 跨价 250711 215C/230C$  

策略逻辑:

该策略押注台积电接近技术阻力位 $212.55,以及分析师平均目标价 $218.45 的价位。

关键指标:

  • 最大利润: $1015

  • 盈亏平衡点: $219.84

$(MU)$ $(TSM)$

# 期权组合策略

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  • 台积电是未来十年最具确定性的机会,除了地缘政治风险以外,没有什么可以阻止他了,这也是目前压制估值的一个最重要的因素。
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  • 美光刚刚宣布将与美国商务部合作,投资2000亿美元用于半导体制造和研发,以将完整的内存芯片(尤其是高带宽存储器HBM)生产带回美国。
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