存储芯片!存储芯片!

港股兆易创新申购中。。。。

大A的​十五大正宗公司来了(收藏)

​1 688008 澜起科技 1683亿

2 603986 兆易创新 1499亿

3 301308 江波龙 931亿

4 688525 佰维存储 556亿

5 300857 协创数据 556亿

6 300475 香农芯创 592亿

7 000021 深科技 466亿

8 001309 德明利 492亿

9 688110 东芯股份 452亿

10 300223 北京君正 434亿

​​​内存接口芯片:

澜起科技:DDR5 第一子代产品(寄存时钟驱动器、数据缓冲器)全球市占率超 40%,第二子代产品(数据缓冲器 + 训练器)已通过 JEDEC 认证,预计 2026 年量产。

​兆易创新:自研 DDR5 内存控制器集成 PLL 锁相环,功耗较第三方方案降低 15%,已进入联想、惠普供应链。

​存储封测与模组:

深科技:HBM3 封装采用 TSV 硅通孔技术,单芯片容量达 16GB,支持 8 通道 1.6TB/s 带宽,良率 98.2%(与三星持平),订单排至 2026 年。

​佰维存储:16 层堆叠 SiP 封装技术可将 8 颗 512Gb DRAM 裸片集成 1TB 容量芯片,量产良率 99.7%,企业级 SSD 写入寿命突破 3000 次 P/E。

​闪存与主控芯片:

江波龙:自研 PCIe 5.0 主控芯片支持 HBM 缓存,连续读取速度达 12GB/s,车规级 SSD 通过 ISO 26262 ASIL-B 认证,应用于比亚迪汉 EV。

​德明利:22nm 闪存主控芯片支持 UFS 4.0 接口速率 4266MB/s,嵌入式存储 eMMC UFS 市占率超 15%,进入特斯拉 Model Y 供应链。

​前沿技术布局:

HBM3E:深科技、佰维存储已完成样品开发,支持 24Gbps 速率和 12 层堆叠,预计 2026 年量产,主要客户为英伟达、AMD。

​存算一体:恒烁股份 CiNOR 芯片在边缘计算场景能效比超 GPU 10 倍,已应用于商汤科技 AI 摄像头。

​抗辐射存储:复旦微电抗辐射 SRAM 单粒子翻转率 < 1×10⁻¹⁰/bit-day,广泛应用于嫦娥五号、天问一号等航天项目。

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