512GB、12TB、16W：美光服务器内存的三组关键数据
@潘驴邓晓闲缺一：
9月15日，Micron展示512GB DDR5 RDIMM，最高速率达到 9,200 MT/s，采用DRAM Die垂直堆叠和TSV互联。24个DIMM槽位的双路服务器，理论内存容量可以做到 12TB。AMD、Intel均在验证这款产品，Micron计划于 2027年下半年进入量产。 产品规格之外，更值得跟踪的是Micron过去三年的技术路线。 2024年的128GB RDIMM基于 1β制程和32Gb单片DRAM Die；今年5月开始送样的256GB产品改用 1γ+3DS+TSV；到了512GB，Micron继续采用DRAM垂直堆叠和TSV互联。 高容量Server DRAM继续扩容，单靠提高单颗Die密度已经不够，封装密度开始承担更多任务。 Micron为什么重新用上3DS 128GB阶段，Micron其实刻意选择了一条不同路线。 2024年5月，公司开始出货基于32Gb单片DRAM的128GB DDR5 RDIMM，在主要服务器平台上验证至5,600 MT/s。Micron当时给出的数据是，相较竞品3DS TSV方案，其位密度提高超过45%，能效最高改善22%，延迟最高降低16%。 在128GB这个容量档位，更高密度的单片Die已经足以解决扩容问题，没有必要增加3D堆叠带来的封装复杂度。 256GB出现以后，产品结构开始变化。今年5月，Micron开始向服务器生态伙伴送样256GB DDR5 RDIMM。产品基于1γ DRAM，并明确采用 3DS和TSV，速度能力达到9,200 MT/s。 到了512GB，Micron没有披露具体DRAM节点和堆叠层数，但技术方向没有再变化：多颗DRAM Die垂直堆叠，通过TSV完成互联。 这并不是Server DRAM第一次采用TSV。三星2021年发布的512GB DDR5已经使用8层TSV结构，并表示TSV早在2014年就用